简介：随着产业界要求产品越来越小，越来越轻，运行速度越来越快，对020l元件的使用逐年增加。十个020l元件所占的面积最多只占一个0402元件的三分之一。因此，可以把部件组装得更紧密，从而减小PCB板的尺寸。采用020l元件遇到的主要问题是：随着元件尺寸的减小，工艺窗口也减小了。与1206元件相比，0201的元件已表明其直立的可能性比前者要大9倍，而与0402元件相比，则其可能性要比0402元件大2点5倍。因此，在表面组装020l元件时，要更多注意设计和工艺。总的来说，现已知静态因素(如PCB板和模板设计)比工艺中的动态因素(如印刷参数，贴装参数，回流参数)更能影响缺陷数量。部分动态参数确实能对组装过程产生很大的影响(如在回流焊中空气与氮气环境)，但是总的来说，静态因素对可能产生的缺陷数影响要比动态因素大得多。在此研究过程中，优化组装参数和设计参数对组装参数的影响都以PPM缺陷数表示。本篇论文中集中了研究中的数据和对元件组装时进行的多次评估中搜集的数据。首先在每一加工步骤中工艺参数，然后再对整个过程进行研究。检测的部分工艺参数包括印刷工艺中的印刷压力，印刷速度，模板擦拭频率，及回流焊气体，回流曲线和回流曲线上升速度等。从这些研究中可以得到适应高速的020l组装工艺的可靠的工艺窗口。该窗口已证明能使DPM小于200。

简介：文章主要介绍了封装过程中的几个重要工艺参数，分别探讨了不同的工艺条件对环氧塑封料成型工艺的影响，并介绍了封装过程中的工艺调整方向，同时介绍了在环氧塑封料的选择中必须考虑的几个重要因素，并论述了这几个因素对封装器件可靠性造成的影响。

简介：低压差分信号（LVDS）是用于高速低功耗数据传输的一种非常理想的传输技术。由于使用全差分技术和低电压摆幅，LVDS技术达到高速度的同时消耗的功耗非常小。设计了一种具有Gbps发送速度的LVDS发送电路。通过在输出采用闭环控制模式，使得LVDS输出共模电平和电压幅值被控制在一个合理的范围内。基于SMIC0．18μmCMOS工艺模型，采用Hspice仿真器对整个发送电路进行模拟，结果表明所设计的发送电路具有4Gbps发送速度，功耗仅为18．6mW。

简介：针对日趋激烈的市场竞争，如何才能取得市场竞争的有力地位，各大厂商均在想方设法，晶英作为全国领先的电子工业表面贴装辅材设计和制造厂商之一，当然也不例外。

简介：设计了一种小型化的LTCC低通滤波器，采用LC集总元件完成原理图的设计与仿真，使用HFSS完成滤波器结构的三维电磁场仿真，最终在LTCC~艺线上完成加工制作。LTCC滤波器使用介电常数7．8、损耗角为0．006的生瓷片，内部导体电路印刷使用配套的银浆料，最终尺寸为3．2ram×1．6mm，厚度为1．4mm，达到小型化的目的，可应用于移动通信等领域。

简介：

简介：高清数字电视的HD-DVR机顶盒已经成为了全球发展的趋势,MIPS_RAC终端测试作为其中缓存的反应速度的主要芯片参数,其工艺窗口直接关系到机顶盒成品率的高低和稳定。文章研究了MIPS_RAC终端测试与器件速度之间的关系,并定义了MIPS_RAC在0.13μm的通用逻辑工艺平台上的工艺安全范围。

简介：前言随着数码相机等高科技产品在市场上的普及,近几年来光学镜片加工行业也得到了迅猛发展。清洗工艺是光学镜片加工生产过程中重要的一环。目前国内光学玻璃加工厂家常规采用的透镜加工工艺大致如下:玻璃毛坯-切削-研磨抛光-清洗-求芯(磨边)-清洗-镀膜-清洗-接合-涂墨。本文针对其中的镜片清洗工艺及其配合使用的清洗剂的不同特点,进行了论述。

简介：文章首先详细研究了D类音频放大器和相关的BiCMOS的基本原理和结构，并在此基础上综合现阶段国内市场对D类功率放大器的需求，开发了基于0．6μm特征线宽、双层多晶、双层金属的多晶发射极BiCMOS工艺的D类功率放大器。该D类音频放大器，在5V电压下可以以1．4W／Ch的功率驱动阻抗为8的负载。它同样可驱动阻抗为4的负载，5V电压下提供的最大功率为2．1W／Ch。同时还详细描述了前置音频放大器，三角波产生电路、比较器，死区控制电路，输出驱动电路等子模块的设计内容。电路在Cadence环境下进行设计和仿真验证，经过仿真表明电路设计性能良好，符合设计要求，可广泛应用于便携式电子产品。

简介：前言：上期我们谈到“无铅技术的发展和对中国SMT界的影响大观”，知道了无铅技术的推行只是个时间上的问题。而对某些行业和企业来说，虽然距离必须推行的期限还有一段时间，不过当考虑到推行所需要的大量准备工作时，此刻已经可算是件急事了。我在下期的文章中会和大家分享在无铅技术的引进和管理工作上的一些关键的考虑点。

简介：介绍厚膜混合集成电路的制造工艺,特点以及它在几种电子产品中的应用

简介：<正>台积电、ARM于近日联合宣布,双方已经签订了新的多年合作协议,将共同致力于10nmFinFET制造工艺的研发,并为ARMv8-A系列处理器进行优化。双方表示,20nmSoC、16nmFinFET工艺节点上的合作都非常愉快,因此决定携手走向下一步,并预计最早2015年第四季度实现10nmFinFET工艺的流片。

简介：摘要随着现代采矿业的发展，国家对煤矿机电设备的要求不断提高，其不仅体现在功能上，更重要的是产品的安全性能。矿用机电设备的表层处理对设备的使用寿命和安全性都具有重要的影响。涂料涂装前壳体表面预处理的优劣程度，会影响涂装设备表观质量及涂层使用寿命。

简介：TSMC4月7日宣布针对65nm、40nm及28nm工艺推出已统合且可交互操作的多项电子设计自动化（ElectronicDesignAutomation，EDA）技术档案。这些与设计相关的技术档案套装包括可互通的工艺设计套件（iPDK）、工艺设计规则检查（iDRC）、集成电路布局与电路图对比（iLVS）及工艺电容电阻抽取模组（iRCX）。

简介：近年来集成电路封装材料、设备及工艺技术研究进展迅速，尤其是封装材料及封装设备更是日趋完善。材料性能和设备能力已不再是SOT23系列产品达到MSL1要求的主要／关键限制因素。文章主要研究影响SOT23系列产品达到MSL1要求的工艺过程因素，寻求SOT23系列产品达到MSL1要求的工艺过程控制解决方案。通过对工艺过程中关键工序加工方法、工艺流程及工艺条件的试验，最终确定了可以稳定通过MSL1的方案，其主要做法是：在粘片后采用分段烘烤，在压焊和塑封前加等离子清洗以及对工序间间隔时间进行控制。

简介：从锡铅工艺向无铅工艺转化过程中，可能会出现一些意想不到的器件封装、测试问题，因此必须从模拟实验中推测可能出现的问题，寻求出解决方案。无铅装配中器件性能及长期可靠性固然重要，但如果凸点材料不具备可生产性和可测试性，那么就不能将这种材料引入无铅产品中。另外，无铅测试中要求负载力增大，这样会导致贵重测试设备的损坏或降低生命周期，因此．选择了错误的材料或是操作设置参数不适当．就会延误产品投放市场的最佳时机，在利润减少的同时，又失去了客户的信任度。

简介：摘要航空航天领域轻量化要求的不断提高，促进了轻质、高强度材料的应用。但是，由于这些材料的成形性能差、回弹不易控制等问题，导致冲压成形难度大。针对变速/变载成形提高板料成形性能的问题。提出成形载荷控制板料弯曲回弹的方法，建立了回弹预测模型。本文将应用上述结论指导变速/变载下的拉深实验工艺设计，深入研究变速/变载提高板料成形极限的规律，分析变速/变载提高板料成形极限的机理。

简介：摘要冷气导管的冲压法翻边成形方法是基于圆截面管的平法兰生产制造工艺提出的，主要包含扩口和压平两道工序，因此研究冷气导管的冲压法翻边成形工艺的重点就是研究冷气导管扩口和压平过程。冷气导管作为大推重比航空燃气涡轮发动机的重要部件，主要用于发动机导向叶片冷却及调节叶片腔内的温度场，是包括气流沿导管轴向流出及通过管壁上的小孔流向叶片内腔的薄壁零件，其管端翻边等工艺已成为该部件制造的瓶颈。目前，国外航空发动机先进制造公司对该部件实行制造技术保密。因此，开展其相关成形工艺的研究具有重要意义。

简介：由于SOI（Silicon-On-Insulator）工艺采用氧化物进行全介质隔离，而氧化物是热的不良导体，因此SOIESD器件的散热问题使得SOI电路的ESD保护与设计遇到了新的挑战。阐述了一款基于部分耗尽SOI（PDSOI）工艺的数字信号处理电路（DSP）的ESD设计理念和方法，并且通过ESD测试、TLP分析等方法对其ESD保护网络进行分析，找出ESD网络设计的薄弱环节。通过对ESD器件与保护网络的设计优化，并经流片及实验验证，较大幅度地提高了电路的ESD保护性能。

简介：文章论述了金锡共晶烧结工艺在功率器件焊接中的应用，分析了金锡共晶烧结温度、时间和压力对芯片粘接质量的影响。同时分析了金锡焊料重熔后粘接层孔隙的变化，试验表明金锡共晶烧结时控制好烧结工艺参数，可以保证多次重熔对粘接层孔隙率的影响，粘接质量能满足相关要求。