简介：随着集成电路特征尺寸的减小，集成电路对ESD的要求越来越高，同时集成电路面积和引脚数量的增加，使得全芯片的ESD保护成为挑战。SCR器件相对于其他器件，具有相同面积下最高的ESD保护性能。文章以SCR保护器件为基础，介绍一种新型的ESD保护架构——ESD总线。从全模式和混合电压芯片的ESD保护出发，进而提出了全芯片ESD保护结构，针对现代集成电路芯片引脚不断增多的特点，以及系统集成带来的多电压模式问题，提出了使用ESD总线结构的保护方案来实现全芯片的ESD保护。

简介：摘要随着通信速率的提高，集成芯片对静电放电(ESD)、电缆放电(GDE)事件、浪涌等干扰变得敏感易损坏，如不加以防护，设备的可靠性将受到影响。因此应对各种干扰的形成原因及其特点进行分析，并通过对保护器件的对比选择，以设计出合理的以太网接口保护电路，提高设备的可靠性。

简介：摘要：静电是造成CMOS电路芯片失效机理的主要因素之一，严重时还会引发电路自燃现象。因此，探讨ESD对于CMOS电路芯片保护而言存在一定的必要性。基于此，本文简单分析提升ESD保护能力的常用方式及保护原理，并深入探讨CMOS电路芯片ESD保护电路结构设计，以供参考。

简介：为了提高成品率及最终产品的长期可靠性，电子制造商们需要对生产工艺中各个关键部分的性能参数实行密切控制，而采用自动闭环反馈方式对工艺条件漂移（如印刷机或贴片机的性能漂移）进行实时监控，能在产量明显下降之前就采取纠正措施。随着ESD设备的不断发展，现在已可以把静电感应仪器连接起来形成一个闭合的监控网络，使制造商能对传统上“看不见的”ESD和普遍存在的问题进行全过程控制。

简介：由于SOI（Silicon-On-Insulator）工艺采用氧化物进行全介质隔离，而氧化物是热的不良导体，因此SOIESD器件的散热问题使得SOI电路的ESD保护与设计遇到了新的挑战。阐述了一款基于部分耗尽SOI（PDSOI）工艺的数字信号处理电路（DSP）的ESD设计理念和方法，并且通过ESD测试、TLP分析等方法对其ESD保护网络进行分析，找出ESD网络设计的薄弱环节。通过对ESD器件与保护网络的设计优化，并经流片及实验验证，较大幅度地提高了电路的ESD保护性能。

简介：日前,全球领先的电源半导体解决方案供应商安森美半导体（ONSemiconductor）的ESD9L5.0SESD保护二极管荣获美国《ElectronicProducts》杂志颁发2007“年度产品”奖。产品评选包括技术上的重大进展、应用、设计创新或性价比有出色表现。

简介：CaliforniaMicroDevices(CMDI）日前宣布推出CM1406和CM1407两款电磁干涉(EMI)过滤器阵列。这也是该公司首次推出带静电放电保护(ESD)的封装EMI过滤器阵列产品。

简介：安森美半导体（ONSemiconductor）推出业界首款带集成电流保护和高速静电放电（ESD）保护的过压保护（OVP）器件——NCP362，用于便携、电信、消费和计算系统中的USB2．0应用。

简介：

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简介：摘要成品油管道沿线建有具备各个功能的输油站场，为确保管道安全平稳高效运行，输油站场设有ESD保护系统，该系统在输油站场和管道沿线出现危急整个管道安全运行的事故时，会实现紧急截断功能，确保人员和设备安全。在管道正常运行期间，由于物的不稳定状态，ESD保护系统中的硬件设备出现故障后，会传输非正常信号，导致保护系统的误触发，使管道输油出现非计划停输。结合生产运行管理实践，探讨使系统误触发的各种原因，总结应对措施，减少ESD保护系统误触发概率，确保输油生产平稳进行。

简介：Semtech公司日前推出ESD保护器件μClamp3324P，采用2．1×1．6×0．58mm无铅封装，尺寸比同类产品小77％。

简介：摘要：ESD防护设计对电子通信产品的安全使用有较大影响，也是一项关键的技术要求，能保护电子设备免受静电放电的损害。对此，在防护设计前还需详细掌握ESD的产生原因和特点，可使用电阻、电容和二极管等器件限制和分散ESD的能量，可保护电子设备免受损害。同时，还需在电路设计和物理层面上综合考虑，采取合适的防护措施，确保电子通信产品正常运行和安全使用。

简介：摘要：电子通信产品是时代发展的产物，对人类社会的进步具有重要意义。随着科技水平的不断提高，电子通信产品越来越先进，具有明显的技术、技术、网络等特点。但是，一些电子通讯产品会在人们使用的过程中出现，影响人们的通讯活动。因此，近年来，在电子通讯设备的发展过程中，国家有关部门越来越重视ESD防护措施，以减少事故发生的频率，保证人们良好的通讯活动。

简介：在PCB板的设计当中，可以通过分层、恰当的布局布线和安装实现PCB的抗ESD设计。在设计过程中，通过预测可以将绝大多数设计修改仅限于增减元器件。通过调整PCB布局布线，能够很好地防范ESD。

简介：Vishay推出新的4路ESD保护阵列——VBUS54FD-SD1。该器件采用超小尺寸的芯片级CLP1007-5L封装，可用于便携式电子产品。在不牺牲性能的前提下，VishaySemiconductorsVBUS54FD-SDI的尺寸远小于前一代元器件，具有低电容和低漏电流的特点，可保护高速数据线路免收瞬变电压信号的影响。

简介：摘要：会议摄像机搭配各种会议软件，实现远程会议、实时通话、人脸追踪等功能。本文主要论述了会议摄像机在外壳和接口部分的静电放电抗扰度设计，描述了研发中获得的实践经验。对测试中涉及到的静电放电问题进行了分析与解决。

简介：NMOS管I-V曲线在ESD（electrostaticdischarges）脉冲电流作用下呈现出反转特性。其维持电压VH、维持电流IH、触发电压VB、触发电流IB以及二次击穿电流等参数将会影响NMOS管器件的抗ESD能力。文章通过采用SILVACO软件，对1．0μm工艺不同沟长和工艺条件的NMOS管静电放电时的峰值电场、晶格温度以及VH进行了模拟和分析。模拟发现，在ESD触发时，增加ESD注入工艺将使结峰值场强增强，VH减小、VB减小，晶格温度降低；器件沟长和触发电压VB具有明显正相关特性，但对VH基本无影响。最后分析认为NMOS管ESD失效主要表现为高电流引起的热失效，而电场击穿引起的介质失效是次要的。

简介：32位嵌入式CPU内核的领先供应商杭州中天微系统有限公司宣布已加入电子系统设计（ESD）联盟，享有表决权。电子系统设计（ESD）联盟是一家旨在为全球半导体设计生态系统提供商品和服务的国际企业协会。

简介：摘要：集成电路在我们日常生活中扮演着越来越重要的角色，而电子设备的工作环境是一个非常复杂的系统，在这个系统中，静电和电磁干扰是非常常见的问题。当电子设备被这些问题困扰时，静电放电（ESD）会导致电子设备发生故障甚至损坏。在许多情况下，静电放电对集成电路产生干扰，如信号完整性问题和逻辑电路错误。为了防止这些问题对电路造成严重损害，有必要了解ESD的基本原理并掌握，同时做好防护措施。本文将从静电放电的基本原理和基本防护措施两个方面入手，详细介绍集成电路ESD防护措施。