简介：摘要：本研究旨在探究碳化硅晶体的缺陷与电学特性之间的关系。通过系统性的实验分析，发现不同类型的晶体缺陷与电学性能之间存在密切关联，为深入理解碳化硅材料的性能提供了重要线索。本文结合电学测试和缺陷表征，揭示了晶体缺陷对电子迁移率、载流子浓度等电学特性的影响机制。结果不仅拓展了对碳化硅材料的认知，也为材料的进一步优化与应用提供了有力支持。

简介：阐述了碳化硅的结构,粉体和制品的制作方法,探讨了碳化硅作为一种新型材料的应用现状和发展前景.

简介：近日,日本研究者着眼于绝缘栅双极型晶体管(IGBTs)在轻掺杂碳化硅材料中实现了少数载流子寿命的延长。这些新型产品有望实现超过10kV的高压条件下电力的传输和分配。器件一般需要较低电阻值和相对较厚的漂移层才能实现高压条件下的运行。而对于碳化硅材料,尤其p型碳化硅材料,漂移层电阻会受到少数载流子寿

简介：

简介：摘要为了提高碳化硅晶体生产质量和降低后续加工碳化硅衬底时的晶体开裂问题，本文对碳化硅晶体结构缺陷的形成和抑制进行了研究。研究表明碳化硅晶体扩径过程中的单晶比例会直接影响后续加工的晶体开裂率，其次，通过精细控制长晶工艺条件能够降低碳化硅晶体中的微管密度。

简介：摘要：现在以碳化硅、氮化镓为代表的第三代宽禁带功率半导体在工业上的应用已成为未来发展趋势。碳化硅 SiC材料具有击穿电场强度高、热稳定性好、载流子饱和漂移速度高、热导率高等特点，使得 SiC器件具有耐高温、耐高压、损耗小、开关频率高、动态性能优良等优点，在较高电压等级 (高于 3 kV)、散热要求高或对电力电子装置性能有更高要求的场合，有着硅器件无法比拟的优势，具有良好的应用前景。

简介：摘要本文使用分子动力学模拟方法，构建出了碳化硅晶体的生长模型，模拟研究了碳浓度、生长晶面以及生长温度对碳化硅晶体生长的影响。

简介：为了满足炼钢碳化硅类脱氧剂中碳化硅的分析，在参照国家标准方法的基础上，通过烧失率、助熔剂选择、线性化考核及精密度和准确度等条件试验，建立了红外吸收法测定炼钢碳化硅类脱氧剂中的碳化硅的分析方法。方法的回收率大于98％，相对标准偏差为0．5％～0．7％，准确度高，误差小，实用性强。

简介：从碳化硅（SiC）功率半导体器件的等效电路入手，分别讨论了碳化硅肖特基二极管（SiCSBD）与碳化硅结型场效应功率晶体管（SiCJFET）的稳态与暂态特性。分析并解决了碳化硅器件开通电压与驱动电压不匹配的问题，设计了一种SiCJEFT功率开关器件的驱动电路。实验结果表明，SiC新器件具有良好的开关特性，驱动电路可以有效驱动SiCJFET器件。

简介：碳化硅泡沫陶瓷具有气孔率高、热稳定性好等优良性能，被广泛用作金属溶液过滤器、高温气体和离子交换过滤器、催化剂载体等。重点介绍了碳化硅泡沫陶瓷的种类，阐述了碳化硅泡沫陶瓷的制备方法和影响碳化硅泡沫陶瓷产品性能的因素，展望了碳化硅泡沫陶瓷的发展前景。

简介：摘要：本文从四个方面阐述了高压碳化硅芯片封装技术。

简介：中红外激光（3-5μm）在环境监控、气体分子识别、相干断层成像、军事等领域有着重要应用,特别是近年来在高次谐波产生单个阿秒脉冲的研究中,由于周期量级中红外飞秒激光能获得更高截止能量的谐波阶次,有望获得更短的阿秒脉冲和更高的时间分辨率,因此倍受人们的青睐。

简介：碳化硅[SiC]优越的材料性质为电力电子器件提供了比传统的硅基器件更优越的性能。最近开发了一种1200V、50A的SiCDMOSIrET已用于开关电路。在此基础上，又研制了一种1200V，550A完全用SiC的对偶模块。本文阐述其中每个开关用11个SiCDMOSFET和11个SiCJBS＊组成的先进对偶模块的实验特性。

简介：摘要：本文探讨了碳化硅半导体在电力电子领域的应用前景。通过深入分析碳化硅半导体的特性和优势，以及电力电子领域的需求，我们认为碳化硅半导体具备在高温高压、高频高功率等复杂工况下稳定工作的潜力。关键技术突破和市场推动将进一步促进碳化硅半导体在电力电子领域的广泛应用，为能源转型和电力系统的可持续发展提供有力支持。

简介：通过对整流设备的测试和分析,制定改造方案。采用新技术,用较小的投资,不但解决了生产中出现的问题,还取得较大的经济效益和节能效果。

简介：摘要首先阐述了碳化硅材料的基本特性，介绍了碳化硅功率器件的种类及特点、典型应用。

简介：

简介：本文介绍了意法半导体公司（STMicroelectronics）首次提出的1200V/20A的SiCMOSFET,并与1200V常闭型SiCJFET（结型场效应晶体管）和1200VSiCBJT（双极结型晶体管）作了对比。我们全面比较了三种开关器件工作在T=25℃、电流变化范围1A～7A的动态特性,并在T=125℃、I_D=7A条件下做了快速评估。尽管SiCMOSFET的比通态电阻（Ron＊A）很高,但与另外两种器件相比仍被认为是最有前景的开关器件：SiCMOSFET的总动态损耗远远低于SiCBJT和常闭型SiCJFET,且驱动方案非常简单,因此在高频、高效功率转换领域中SiCMOSFET是最好的选择。

简介： 摘要：为了准确表征纳米碳化硅粉末的粒径和结构，分别采用激光粒度仪、比表面分析仪、扫描电镜和透射电镜对同一批次纳米碳化硅粉末进行测试。结果表明，纳米碳化硅粉末的粒径基本集中在（50~112）nm，使用激光粒度仪测量的团聚颗粒，并不能完全表征单颗粒的粒径。利用表面积和粒径大小的几何相关性，可以表征纳米碳化硅粉末的粒径。使用扫描电镜和透射电镜微束分析技术不仅能够表针粉末形貌及结构，也能够客观表征纳米颗粒的粒径。

简介：摘 要：为改善化学机械抛光加工碳化硅试件过程中存在的表面质量差等问题，将超声振动辅助化学机械抛光加工碳化硅与化学机械抛光进行对比，研究超声振动辅助抛光的效果。