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碳化硅晶体缺陷与电学特性关系研究

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摘要摘要：本研究旨在探究碳化硅晶体的缺陷与电学特性之间的关系。通过系统性的实验分析，发现不同类型的晶体缺陷与电学性能之间存在密切关联，为深入理解碳化硅材料的性能提供了重要线索。本文结合电学测试和缺陷表征，揭示了晶体缺陷对电子迁移率、载流子浓度等电学特性的影响机制。结果不仅拓展了对碳化硅材料的认知，也为材料的进一步优化与应用提供了有力支持。

DOI 2d35q7vgj9/7556691

作者马超凡1 冯冶2

机构地区 1身份证号码：131182199006260219

出处《中国科技人才》 2023年10期

关键词碳化硅晶体，缺陷，电学特性，电子迁移率，载流子浓度

分类 [建筑科学][建筑技术科学]

出版日期 2023年09月07日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）