简介:研究KTiOAsO4晶体的生长缺陷,对于改善它的性能和应用前景,有很大的意义。本文利用化学腐蚀光学显微术和同步辐射X射线形貌术研究了KTiOAsO4晶体的缺陷,实验结果表明,两种腐蚀剂对于显示KTA晶体的表面缺陷效果显著,KTA晶体中主要的缺陷有铁电畴、生长层、扇形界、位错和包裹物。讨论了这些缺陷形成的原因。
简介:利用原于力显微镜研究了KTiOAsO4晶体的铁电畴,发现了这一实验方法的诸多特点。如放大倍数高,可以得到晶体表面的定量信息等,得到了KTiAsO4晶体铁电畴的原于力显微镜照片,并结合化学腐蚀光学显微法的实验结果进行了研究。最后对铁电畴的机制与消除进行了理论讨论。
简介:利用原子力显微镜,同步辐射X射线形貌术和化学腐蚀光学显微等方法深入研究了KTiOAsO4晶体缺陷中的铁电畴和位错。首次用原子力显微镜给出了用两种腐蚀剂腐蚀过的KTA晶体表面的铁电畴和位错蚀坑的照片及定量信息,如发现铁电畴的明区要高于暗区,且两者的粗糙度明显不同。这为研究各种晶体的生长缺陷开辟了一条新的途径。
简介:LiNdP4O12(LNP)晶体是一种新型的激光材料。本文报道了用同步辐射X射线白光形貌术和光学显微法研究由助熔剂籽晶旋转法生长的LNP晶体的生长缺陷,观察到了圆形生长台阶及精细的系列台阶结构,对晶体中的包裹物和位错缺陷等进行了详细的观察描述,还发现了一种比较奇特的腐蚀沟槽,分析了这种腐蚀沟槽的形成机理及各种缺陷的成因和克服办法。
简介:报道了用同步辐射X射线白光形貌术和光学显微法研究由助熔剂籽晶旋转法生长的LNP晶体的生长缺陷。本文除对晶体中的包裹物和位错缺陷等进行了详细观察描述外,还发现了一种比较奇特的腐蚀沟槽。最后分析了这些缺陷的成因和克服办法。
简介:【摘要】目的:探讨V4C ICL术后早期眼压波动情况及舒适护理模式的效果。方法:选取2017年1月-2019年9月行V4C后房型有晶体眼人工晶体植入术患者80例,测量记录不同时段眼压。对眼压高的患者予以局部、全身降眼压药物等处理,对所有患者实行舒适护理模式。结果:所有患者体验良好,术后眼压≥25mmHg的患者为73眼,占45.625%。眼压升高时段:术后1h为27眼,术后2h为25眼,术后4h为13眼,术后6h为4眼,术后12h为3眼,术后24h为1眼。术后1h、2h、4h眼压与术前眼压相比较,差异有统计学意义,其他时段眼压与术前相比较无明显差异。结论:对V4C ICL患者采取舒适护理模式,不仅能够有效缓解患者术后出现眼压升高后紧张焦虑的情绪,而且能够提高患者护理满意度。
简介:测量了Er3+:YVO4晶体的吸收谱,得到Er3+离子在YVO4晶体中的光辐射特性。通过Dexter理论计算得到了4I13/2+4I13/2→4I9/2+4I15/2和4I11/2+4I11/2→4F7/2+4I15/2的交叉弛豫几率分别为P1=6.718×105s-1和P2=1.676×105s-1,同时建立了描述Er3+离子跃迁的动力学模型,利用速率方程讨论了P1、P2对1550nm荧光的影响。
简介:O482.3199053393Ga1-xAl-xAs外延片有源区Al组份的测定方法=MeasurablemethodofaluminiumcompositeofGa1-xAlxAsepitaxialmaterialwithinactiveregion[刊,中]/刘学彦(中科院长春物理所.吉林,长春(130021))//发光学报.—1998,19(4).—361—363利用电致发光测得Ga1-xAlxAs外延片有源区发射光谱,并通过公式计算得出有源区Al组份值。图4表1参3(常唯)O72299053394半绝缘GaAs单晶化学配比的X射线双晶衍射Bond方法测量=BondmethodmeasurementofstoichiometryinSi—GaAsbulkmaterialbydouble
简介:O722002032276X射线驻波方法研究半导体超薄异质外延层=StudyofsemiconductorsuperthinheterostructureswithsynchrotronradiationX-raystandingwavetech-nique[刊,中]/姜晓明,贾全杰,胡天斗,黄宇营,郑文莉,何伟,冼鼎昌(中科院高能物理所.北京(100039)),施斌,蒋最敏,王迅(复旦大学应用表面物理国家重点实验室.上海(200433))//高能物理与核物理.-2001,25(6).-588-594利用双晶单色器和精密二圆衍射仪,在北京同步辐射装置建立了同步辐射X射线驻波实验技术,并用这一实验技术结合X射线衍射方法,研究了Si晶体中外延生长的超薄Ge原子层的微结构。图5参9(李瑞琴)