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Cr：KTiOPO4晶体缺陷的研究

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摘要首次报道了利用光学显微法和同步辐射白光X射线形貌术对Cr:KTP晶体缺陷的研究结果。光学显微法采用热磷酸作为腐蚀剂，用Opton大型显微镜反射法观察，观测到（100）面和（021）面的位错蚀坑以及（021）面的小角度晶界。用同步辐射白光X射线形貌术作出（001）面、（010）面和（100）面形貌面，从图中可明显观察到生长层、扇形界及位错线。由此得出，Cr:KTP晶体的主要缺陷是位错、生长扇形界、生长层等。

DOI ojz7oe8n45/1434370

作者胡秀琴;马长勤;等

机构地区不详

出处《同步辐射装置用户科技论文集》 2000年1期

关键词 Cr:KTiOPO4晶体缺陷同步辐射白光X射线形貌术缺陷非线性光学晶体

分类 [核科学技术][核技术及应用]

出版日期 2000年01月11日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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