简介：在国家自然科学基金和中科院创新群体基金的资助下，中科院化学所的姚建年课题组，在前期吡唑啉有机纳米粒子研究的基础上，进一步将研究工作拓展至掺杂有机纳米粒子上，在有机纳米粒子发光颜色的调控方面取得了新进展。该研究成果发表在近期出版的《先进材料》上。

简介：战略分析指出，手机市场仍然是GaAs器件工业的主要驱动力，2003年北美的公司是其主导者。

简介：

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简介：国际半导体工艺指南（ITRS）的组织者们，迄今仍主要关注SiCMOS器件，但也在考虑非数字、非Si器件的应用，例如，无线通信。就数字电路来说，HRS的组织者们也不得不寻找Si以外的材料，在ITRS的最新版（2005年版）中，有这样的评论：随着本“指南”接近末期，器件将按准弹道模式工作，其电流增益将按与目前所知不同的参数得以增强，实际上碳纳米管、纳米线和其它高输运沟道材料（例如，Ge、Si衬底上的Ⅲ-Ⅴ族化合物薄膜沟道）是需要的。这一陈述是记载在“长期指南（2014-2020年）”部分。“准弹道”意味着载流子平均自由程和驰豫时间达到器件特征尺寸量级和工作频率量级。同时需建立新的电荷输运物理模型。

简介：克利夫兰的SIFCO工业公司停止了它的涡轮器件服务和修复业务，包括关闭它在明尼阿波利斯的工厂。修复业务据称战略上不符合公司核心打造业务。SIFCO生产的产品主要用在航空和能源工业，并提供多种金属加工服务包括锻造，热处理，涂层和机加工。

简介：研究了几种纳米器件处理的活化水对不同种子发芽的影响，探讨了活化水处理时间对种子发芽势、发芽率、发芽指数和活力指数的变化。结果表明，几种纳米器件对水稻浸种均不同程度地提高了种子的发芽势、发芽率、发芽指数和活力指数，对种子的发芽产生了明显影响，在生产中可进一步试验推广应用。

简介：由哥伦比亚大学JamesHone团队的博士后YongDuckKim领导的，由来自首尔国立大学和韩国标准与科学研究院的科学家团队第一次展示了用石墨烯作为灯丝的集成可见光源。他们将石墨烯薄片贴在金属电极上后悬挂在基板之上，然后对灯丝通电使其发热。

简介：由欧盟发起了一项投资2000万欧元旨在加强对有机发光二极管所使用的有机聚合物进行基础性研究的科研项目。这些有机聚合物在通电状态下发出光，可应用于信息技术和照明行业。该项目的合作者包括荷兰飞利浦和德国西门子公司，以及来自法国、德国、波兰、比利时、意大利、芬兰、荷兰和瑞士的大学和科研机构。最近几年，有机发光二极管技术已获得长足进步，预计它们将成为新一代固态光源。

简介：美国麻省理工学院的研究人员通过一种插座转换设备使发光二极管（LED）能够比其消耗的电功率释放出更多光功率，电源转换效率可达到100％以上。相关研究发表于最新一期的《物理评论通讯》上。

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简介：介绍了纳米电子学的基本概念及其＂自上而下＂和＂自下而上＂的发展路线,分析概括了纳米电子器件的基本物理原理及其应用,基于纳电子器件的实际应用价值,阐述了研究纳电子学的现实意义,总结了纳米电子学目前存在的问题及今后的发展趋势。

简介：

简介：2010年山东将依靠科技进步，推动经济增长由主要依靠物质消耗向主要依靠科技进步、劳动者素质提高和管理创新转变。

简介：据报道，为推动节能降耗，促进电力电子技术和产业的发展，国家发改委等有关部门将对安排补贴资金支持新型电力电子器件产业化。

简介：采用常压热蒸发锡粉的方法制备出尺寸均匀、表面光滑致密的SnO2纳米带。通过高温退火处理，氧化锡纳米带从Sn304和SnO2的混合相转变为SnO2金红石相。深入研究了SnO2纳米结构的光致发光性能，结果显示，退火前SnO2纳米带在600nm附近有一较强的发光峰，在375nm有一弱发光峰；退火处理后，375nm处的PL峰消失，此现象可能是由于退火后纳米带中晶格缺陷减少而导致。

简介：采用气相传输法,以金膜为催化剂,氧化锌和石墨混合粉末为锌源,制备氧化锌纳米材料。研究获得氧化锌纳米线的光致发光性能。初步探索了氧化锌纳米线的生长机理。实验结果表明,当衬底温度为600℃时,金颗粒的催化性能得到了较好的发挥,形成长度大于10μm,直径小于80nm的均匀致密的氧化锌纳米线膜。这种氧化锌纳米线具有紫外发光特性。低于600℃时,锌氧蒸汽发生了自凝结,进而在金颗粒间隙形成氧化锌带(400℃时),或在金颗粒上吸附聚集形成花状氧化锌纳米棒(200℃时)。而在高于600℃时,金颗粒析出的锌迅速挥发或氧化、长大,出现了稀疏的针状氧化锌和颗粒。氧化锌纳米线可能的生长模式为"底端生长"模式。

简介：采用了一种新颖的电子器件装配制造方法.InAs纳米线场效应晶体管通过介电泳方法装配,在装配之前,InAs纳米线放入到（NH）2Sx溶液进行湿法刻蚀来去除表面的氧化层.装配后的器件用原子力显微镜表征.实验结果表明,当施加频率2MHz和电压10V时,InAs纳米线装配的成功率很高.同时,该方法和实现技术也可发展应用于其它一维纳米材料的规模化装配制造研究上.

简介：利用射频(RF)共溅射的方法在n-Si(111)衬底上,以SiO_2为主靶,上面放置不同数量的Si片和石墨片,沉积出掺杂氧化物SiC复合薄膜,随后在不同温度下进行退火处理,并研究了其光致发光谱和光激发谱。不同C含量的样品在450nm和580nm附近均得到不同强度的发光峰,主要来自于Si、C注入后引起的基质成键变化而带来的氧空位缺陷和Si晶粒,对于C含量较高的样品在580nm处观察到黄光发射与C团簇有关。利用FTIR和XRD表征了复合膜的结构,UV—VIS分光光度计表征了复合膜的透射吸收特征。

简介：通过低压化学气相沉积法在硅片上制作碳纳米管薄膜阴极,用真空荧光显示器的封装工艺,制备了碳纳米管场发射显示器试验性样管。比较测试可知,直接测量显示屏的器件电压和测试电源驱动电压所得结果是不同的,用后者代替前者不够合理。通过光亮度与电压、电流、功率的关系曲线比较分析可知,用光亮度与电流成线性关系的结论表征碳纳米管场发射显示屏的性能比用电压更合理,更利于器件的分析和设计。