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基于InAs纳米线电子器件装配方法研究

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摘要采用了一种新颖的电子器件装配制造方法.InAs纳米线场效应晶体管通过介电泳方法装配,在装配之前,InAs纳米线放入到（NH）2Sx溶液进行湿法刻蚀来去除表面的氧化层.装配后的器件用原子力显微镜表征.实验结果表明,当施加频率2MHz和电压10V时,InAs纳米线装配的成功率很高.同时,该方法和实现技术也可发展应用于其它一维纳米材料的规模化装配制造研究上.

DOI pj09o1mwjy/1563175

作者许可;于晓婷;戚爰伟;孙东;宫巍

机构地区不详

出处《纳米科技》 2015年4期

关键词纳米器件 InAs纳米线场效应晶体管介电泳

分类 [一般工业技术][材料科学与工程]

出版日期 2015年04月14日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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