Fairchild推出80 V MOSFET器件-中国期刊网

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（整期优先）网络出版时间：2005-03-13

作者: 章从福

电子电信 >物理电子学

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<正>飞兆半导体(Fairchild)日前宣布推出采用SO-8封装的80VN沟道MOS-FET器件FDS3572,能同时为DC/DC转换器的初级和次级同步整流开关电源设计提供优异的整体系统效率。FDS3572提供7.5nCMiller电荷(Qgd),比相

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