首页 > 《半导体信息》 > 2011年6期 > Vishay推出PowerPAIR双芯片不对称功率MOSFET器件

Vishay推出PowerPAIR双芯片不对称功率MOSFET器件

在线阅读下载PDF 导出详情

摘要 <正>宾夕法尼亚、MALVERN—2011年11月14日,VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出新器件—SiZ300DT和SiZ910DT—以扩充用于低电压DC/DC转换器应用的PowerPAIR?家族双芯片不对称功率MOSFET。新器件扩大了该系列产品的电压和封装占位选项,使Vishay成为3mm×3mm、6mm×3.7mm和6mm×5mmPowerPAIR尺寸规格产品的独家供应商。

DOI wjvx2z0n47/1564050

作者江兴

机构地区不详

出处《半导体信息》 2011年6期

关键词双芯片 PowerPAIR VISHAY 不对称独家供应商系列产品

分类 [电子电信][物理电子学]

出版日期 2011年06月16日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）