简介：蓝、白光片式LED器件是当今半导体光源的宠儿,用作移动通信工具的显示光源更是一种时尚。自从1992年第1只氮化镓(GaN)基蓝色发光二极管问世后,其寿命和可靠性一直被世人所关注。GaNLED行业由于美、日等国的疯狂投入,其发展之迅速、成果之惊人,众所周知。我国在这方面做了大量的工作,取得了巨大的进展。早在20世纪90年代末,传统封装的蓝光器件已形成大规模生产,白光LED也已形成产业,工艺已基本成熟。

简介：据悉，南京地质矿产研究所黄福羹研究员经多年潜心研究，开发出一种无毒、无害、无放射性的环保节能新产品——蓄能发光新材料。长期以来，人们使用的蓄能发光材料是由硫化锌晶体组成的。因其中加入了少量铜或放射性元素镭、钷和钴等同位素，不仅化学稳定性差、发光亮度低、发光时间短，而且对环境、人体有很

简介：据媒体报道，由中科院长春光机与物理研究所研制出的“紫光转换纯绿光LED的新型稀土发光材料”目前通过专家鉴定。专家认为，该课题组研制出紫外激发的稀土铕激活的硼铝酸盐绿色荧光粉和紫外激发的三基色荧光粉，在国内首次制备出紫外光激发的绿光LED，相关材料与器件拥有自主知识产权，已获国家发明专利，技术指标达到了国内领先水平。

简介：介绍了在多孔氧化铝模板(AAM)中沉积Zn阵列后将其加热氧化，得到单晶六角纤锌矿结构的ZnO／AAM纳米线有序阵列体系。研究了不同的氧化温度对Zn向ZnO转化和ZnO纳米阵列光致发光性能的影响。

简介：据媒体近日报道，为推动节能降耗，促进电力电子技术和产业的发展，国家发改委等有关部门将对安排补贴资金支持新型电力电子器件产业化。

简介：中国科学院外籍院士、美国佐治亚理工学院王中林领导的研究小组首次研发出一系列基于压电纳米材料的大功率纳米发电机（Nanogenerator）,输出电压达2-3伏,并将其首次成功应用于驱动常规电子器件。这一系列最新进展的3篇论文分别发表在7月和10月出版的美国《纳米快报》和英国的《自然—通讯》上。

简介：概述了铁电薄膜在非易失存储器中的应用研究现状，将铁电存储器与其他类型存储器进行了比较，针对铁电薄膜在存储器中的应用，探讨了铁电薄膜制备工艺与半导体工艺兼容性、极化疲劳、尺寸效应等几方面的问题，指出了当前研究的重点。

简介：据海外媒体报道，德国、瑞士和波兰联合研究小组在一项新研究中首次观察到，碳纳米管中缺口间的分子在电流通过时能够发光。这种现象称为场致发光。相关研究成果刊载于近期出版的《自然-纳米技术》上。

简介：白色发光二极管（WLED）被称为第四代照明光源，应用前景十分广阔。概述了目前国内外WLED用蓝色荧光粉的研究进展，介绍了WLED用蓝色荧光粉的基质材料、制备方法、发光中心和掺杂离子等对WLED用蓝色荧光粉发光性能的影响，展望了该类荧光材料的发展研究趋势和应用前景。

简介：以硬脂酸锌为Zn源、硫化钠为S源,首次采用油水界面法制备出单分散于环己烷和甲苯的ZnS纳米材料,探索有机溶剂、锌源和油酸浓度等对紫外吸收影响的同时,以ZnS为基质,掺杂Mn^2＋和Eu^3＋制得ZnS：Mn^2＋,Eu^3＋发光纳米材料,采用高分辨率透射电子显微镜（HRTEM）、X射线粉末衍射仪（XRD）、紫外可见（UV-VIS）和荧光分光光度计（PL）对产物进行了表征,紫外和HRTEM测试结果均表明,产物为单分散性,平均粒径为4.3nn;荧光测试表明,产物所发荧光较强,肉眼可观测到明显的橙黄色（585nm）和橙红色（616nm）发光;XRD结果显示,产物结构为立方闪锌矿结构

简介：据海外媒体报道，近日，美日科学家合作以镱为基础材料研制出一种奇特的新型超导体。该超导体不需要改变压力、磁场强度或经化学掺杂，在自然状态就能达到物理学家所说的“量子临界点”。这一发现突破了理论物理的限制，为人们理解量子临界状态打开了新视野。这种异常性质，也将改变人们对超导体制造、电子数据存储的理解方式。有关研究结果发表于近期《科学》上。

简介：集成电路工业从一开始就在使用离子注入技术。如果不利用离子注入的固有的精确性就很难制造极大规模集成电路（VLSI）。特别是离子注入可精确地调整MOSFET的阈值电压。离子注入有三大优点：能达到晶片表面上掺杂剂均匀分布、可精确控制掺杂剂的深度及其分布、可精确控制掺杂剂密度。这些优点催生了所谓“掺杂剂分布工程”，它对早期CMOS的研制成功是一个关键因素。如果没有离子注入就不会有CMOS工艺的快速发展也就不会对我们的生活产生如此深刻的影响。

简介：以油酸（OA）作为表面修饰剂，在乙醇一水体系中合成了油酸修饰的LaF3：Tb3＋纳米粒子（OA—LaF3：Tb3＋），用红外光谱（IR）、X-射线衍射分析（XRD）、透射电镜（TEM）、紫外光谱（UV）、荧光光谱（FS）对所合成的纳米粒子进行了表征和荧光性能研究，结果表明，OA与纳米粒子发生了化学键合作用；所制备的纳米粒子在三氯甲烷中的溶解性很好；纳米粒子大小均匀，粒径约为10nm；纳米粒子的晶相为LaF，的六方体结构；在312nm紫外光激发下，纳米粒子发射Tbn的特征荧光，表明表面修饰剂OA对Tbn具有较好的敏化作用。

简介：在国家自然科学基金和中科院创新群体基金的资助下，中科院化学所的姚建年课题组，在前期吡唑啉有机纳米粒子研究的基础上，进一步将研究工作拓展至掺杂有机纳米粒子上，在有机纳米粒子发光颜色的调控方面取得了新进展。该研究成果发表在近期出版的《先进材料》上。

简介：利用水热法制备了Cr3＋-Yb3＋-Er3＋共掺杂的NaYF4微管。在980nm的红外激光激发下，微管产生了强的可见上转换荧光。相比于Yb3＋-Er3＋共掺NaYF4微棒，微管的绿光和红光强度分别提高30倍及20倍。上转换荧光增强的原因被归结为Cr3＋掺入引起稀土离子周围晶体场对称性的减弱。对微管的生长过程及上转换发光机制进行了分析。

简介：

简介：2007年11月28日，据河北省发展和改革委员会办公室转发国家发展改革委办公厅关于2007年电子专用设备仪器、新型电子元器件及材料核心基础产业产业化专项项目复函的通知，唐山晶源裕丰电子股份有限公司申报的年产7200万件新型片式石英晶体元器件产业化项目，已列入国家高技术产业化发展项目计划及国家资金补助计划。本项目将得到800万元的国家资金支持。

简介：采用溶胶-凝胶（Sol-gel）法和旋涂法在单晶硅片表面制备了5％（摩尔分数）Er3＋掺杂的Yb2Ti2O7薄膜.采用X射线衍射仪（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）对薄膜的相结构和表面及截面形貌进行了表征,通过荧光光谱仪检测了薄膜的上转换发光特性.结果表明：Ep＋掺杂的Yb2Ti2O7薄膜为单一面心立方Yb2Ti2O7相结构,薄膜表面较光滑平整,颗粒尺寸约为80nm.976nm半导体激光器（LD）激发Er3＋掺杂的Yb2Ti2O7薄膜获得了较强的绿色、红色和红外上转换发光,分别对应于Er3＋的2H11/2/4S3/2→4I15/2、4F9/2→4I15/2和4S3/2→4I13/2跃迁.Er3＋掺杂Yb2Ti2O7薄膜的绿色和红色上转换发光均为双光子吸收过程.Er3＋掺杂Yb2Ti2O7薄膜和粉末的上转换发光光谱还出现了绿色和红色上转换发光强度的变化.

简介：用固相反应法制备了LnBaCo2O5＋δ（Ln=Gd，Nd，Sm，Pr）-Ba0．5Sr0．5Co0．8Fe0．2O3-δ（质量比为1：1）4种双相混合导体膜。通过XRD分析可知，除了PrBaCo2O5＋δ和Ba0．5Sr0．5Co0．8Fe0．2O3-δ（KSCF）复合时发生明显反应外，其它3种复合膜在复合过程中均显示了良好的化学兼容性。4种双相膜在850℃时透氧率最高的是NdBa-Co2O5＋δ-Ba0．5Sr0．5Co0．8Fe0．2O3-δ（约为0．28mL／（cm2·min））。