简介：摘 要：偏光片是薄膜晶体管液晶显示器中重要的关键零组件。本文介绍了偏光片的工作原理和原材料特性,并对薄膜晶体管液晶显示器用偏光片的关键技术进行分析与探讨。期许能给相关人士带来参考。

简介：采用电子束光刻技术和反应离子刻蚀等工艺，在P型SIMOX硅片上成功地制备了一种单电子晶体管。提供了一种制备量子线和量子点的工艺方法，在器件的电流、电压特性上可观测到明显的库仑阻塞效应和单电子隧穿效应。

简介：早在电子计算机问世之前，工程师们就制造出了以杠杆和齿轮等机械装置为基础的计算机。而今天，计算机大多数都是以电子晶体管为基础的，但是晶体管有一个很难突破的障碍，就是它们没有办法承受较高的温度。于是，科学家们又开始寻求新的发展方向。

简介：上一篇我们讨论到19世纪末由IBM公司研制的一台电磁计算机。这台计算机在当时的全美国人口普查工作中做出了巨大贡献,使得人工需要几年时间才能完成的工作,仅仅用了

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简介：英特尔（Intel）宣布将在2017年底之前启动全新22纳米鳍式场效晶体管（FinFET）制程22FFL，相关开发套件（PDK）在接下来几个月也将陆续到位，市场上认为22FFL的推出，显然是针对GlobalFoundries等业者以绝缘上覆硅（FD-SOI）为移动装置及物联网（10T）应用所生产之同类芯片而来。据EETimesAsia报导，英特尔称自家22FFL是市场上首款为低功耗loT应用及移动装置产品而开发出来的FinFET技术，能打造出高效能及低功耗的晶体管，

简介：中国科学技术大学郭国平教授研究组与日本国立材料研究所等机构学者合作，于国际上首次在半导体柔性二维材料体系中实现了全电学调控的量子点器件，这种新型半导体量子晶体管为制备柔性量子芯片提供了新途径。国际权威学术期刊《科学》子刊《科学·进展》日前发表了该成果。

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简介：<正>恩智浦半导体(NXPSemiconductorsN.V)近日推出首款采用1.1-mm×1-mm×0.37-mm超薄DFN(分立式扁平无引脚)封装的晶体管。全新产品组合由25种器件组成,其中包括低RDsonMOSFET以及可将电流能力最高提升至3.2A的低饱和通用晶体管。该全新产品系列凭借其超小外形和高性能,非常

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简介：通过Stille偶联反应合成了5，5″-二辛基-2，2’：5’2″-三联[3，2-b]并二噻吩，并对该化合物的物理化学性质以及真空蒸镀薄膜的结构和形貌进行了详细表征．以这一化合物作为半导体层、采用顶电极结构制备了有机薄膜晶体管，并对薄膜生长基底温度做了优化，发现基底温度为100℃时器件性能最好，迁移率达到0．13cm^2／V·s，开关比为7×10^3，阈值电压为-19V．

简介：<正>OFweek光电新闻网和OFweek电子工程网在深圳联合主办了2013电子行业年度评选活动,英飞凌科技公司产品40VOptiMOSTMT2功率晶体管荣获了技术创新奖。英飞凌科技(中国)有限公司汽车电子事业部市场总监杜曦先生出席了颁奖仪式并代表英飞凌领取了该奖。

简介：摘 要 随着环境污染与能源短缺等问题日益严重，各个国家对新能源的开发与研究也日益加快，而光催化技术因为其高效便捷，光催化材料成本低无污染等特点，正逐步成为各国研究的焦点。然而，光催化剂受到光生电子空穴分离-复合机制的约束，降低了光催化技术在多领域应用的普适性，因此，本文从构建异质结改性方法出发，综述该领域内研究现状，总结诱导电荷分离的主要策略，探索诱导电荷分离的机理，展望未来提升光催化性能的主要策略。

简介：Diodes公司推出ZXTR2000系列高压稳压器，把晶体管、Zener二极管及电阻器集成到一个标准SOT89封装，通过减少器件数量和占位面积，提升电路的功率密度。这些器件主要用于网络、电信和以太网供电（PoE）应用，可以有效地为48V直流一直流电源的变压器初级端控制器调节电压。

简介：2007年1月29日，英特尔公司宣布在基础晶体管设计方面取得了一个最重大的突破，采用两种完全不同以往的晶体管材料来构建45nm晶体管的绝缘“墙”和切换“门”。在下一代英特尔。酷睿TM2双核、英特尔一酷睿TM2四核以及英特尔。至强。系列多核处理器中，将置人数以亿计的这种微观晶体管或开关。英特尔公司同期宣布已有5种早期版本的产品正在运行，这是公司计划中的15款45nm处理器产品的第一批。

简介：摘要：由于高分子复合物的导电纤维不但具有柔软、可编结和良好的导电率等优点，因此广泛应用于各种领域。与常规的硅基半导体晶体管的柔性、制造工艺比较繁琐、对栅极的厚度敏感、工作电压较高等缺点，采用这种方法制作的MEMS器件不但稳定性好、反应灵敏、工作电压小、适用范围更广。本文采用原位聚合法，在Cotton或PET上采用多种方法，分别将聚苯胺与PANI复合，制成Cotton/PANI或PET/PANI的导电光纤。对Cotton/PANI/PET/PANI复合材料的电阻、IR、SEM、拉伸性能进行了测试，并对其性能进行了测试。最后，在一组试验结果的基础上，选择了一种适用于有机电化学晶体的衬底及试验的方法。

简介：以TiO2纳米管阵列（TNTs）为基底,采用电化学沉积法制备TNTs/CdSxSey异质结,在单一变量的基础上结合正交实验,探讨了络合剂的选择、沉积时间、沉积温度、Na2S2O3浓度、柠檬酸浓度、沉积电压等条件对TNTs/CdSxSey异质结光电压的影响。结果表明,当Na2S2O3浓度为0.009mol·L^-1、柠檬酸的浓度为0.025mol·L^-1时,在20℃、2.4V沉积电压下电化学沉积5min,获得的TNTs/CdSxSey异质结光电压值达0.2672V,优于同等条件下空白TNTs的0.0917V。XRD结果显示,CdSxSey的主要衍射峰位于2θ为26.276°、27.992°、51.285°、52.842°的位置,分别对应于标准卡片CdS0.25Se0.75的[002]、[101]、[112]、[201]晶面,属于六方晶系,在2θ为37.600°、47.565°处出现Se的单质峰,在2θ为62.728°、72.033°处出现六方晶系单质Cd的（110）、（112）晶面。根据EDS的数据分析可知,Cd、S、Se的原子个数百分比分别为2.57%,0.63%,4.76%,对Cd进行归一化处理后,可确定所得样品的化学式为TNTs/Cd1.02S0.25Se1.89,其中含0.02的单质Cd和1.14的单质Se,扫描电子显微镜（SEM）显示所制样品为50~100nm量子点。

简介：据媒体报道，日前，中科院福建物质结构研究所王元生研究员领导的课题组在半导体异质结液相可控合成方面取得重要进展。相关研究成果发表在国际著名刊物ACSNano上。

简介：摘要：在科技水平不断提高的背景下，异质结光伏组件的发电效果得到了不断提升，在实际运用的过程中，单块组件月均发电量满足各项标准，而且通过对比分析异质结光伏组件，对于多晶光伏组件在发件效率方面呈现出良好的优势，而且可以与理论争议相符。基于此，本文主要围绕异质结光伏组件的特点以及未来发展前景展开探究，并阐述了相关建议。