简介：

简介：场效应晶体管具有输入电阻高、噪声系数低、受温度和辐射影响小等优点，在前置电压放大，阻抗变换电路，振荡电路、高速开关电路等方面应用也越来越广泛。在大屏幕电视机、彩色显示器、电脑的电源及主板、音响，手机、直流电机调速器等电路中都可看到场效应管的身影。而在实际维修中由于场效应管损坏引起的故障并不少见，因此掌握场效应管的原理、特性及测量判断的方法尤显重要。

简介：晶体管的工作状态分为放大、饱合与截止三个区,它们应用在线性放大器中或脉冲数字电路中各自具有不同的特点。本文的目的,是以NPN型管所组成的共射电路为例,来分析放大状态静态工作点的设置与非线性失真的关系,并从非平衡少数截流子在基区的分布入手来阐明开关状态的特点。一、线性放大器的失真与晶体管的开关作用晶体营运用在线性放大器中工作点的设置必须合理,如果工作点偏高可能引起饱合失真,工作点偏低又可能引起截止失真。但是,工作点如果较高而信号幅度却很小,则并不一

简介：薄膜晶体管是液晶显示器的关键器件，对显示器件的工作性能具有十分重要的作用。本文论述了薄膜晶体管的发展历史，描述了薄膜晶体管的工作原理，分析了非晶硅薄膜晶体管、多晶硅薄膜晶体管、有机薄膜晶体管、ZnO活性层薄膜晶体管的性能结构特点与最新进展，并展望了薄膜晶体管的应用。

简介：把闹钟的后盖打开,在电池正极端焊一根电线,在闹钟振铃开关正极上同样也焊一条线,将这两条线的另一端焊在准备好的一个小型插座上,然后把插座固定在闹钟侧面;另外再准备两根长电线,一端接在插头上,另一端接到门枢的按钮开关上。最后把

简介：通过图解分析法和微变等效电路分析法,对晶体管恒流源负载的等效静态电阻和动态电阻进行了详细分析,阐明了它们在不同工作状态下的变化情况,以指导具有晶体管恒流源负载的晶体管工作状态的确定.

简介：本文从长期工作实践中摸索总结出晶体管电路中带有一定普遍现象的两类软故障:即接触不良和元器件(晶体等、电阻、电容)造成软故障的判断、检查与处理方法.

简介：通过微波调谐器、匹配线和器件特性的了解可以帮助设计人员更好地了解RF和微波晶体管。

简介：ATDF公司和HPL公司最近展示了面向多栅场效应晶体管(MuGFET)的45nm技术节点上的工艺能力，MuGFET这种先进的半导体器件最终可能取代传统的CMOS晶体管。

简介：

简介：晶体管多级放大器，是应用晶体管三种基本放大电路各自的特点，再根据信号源和负载的特性巧妙地组合形成的电路。它既要有高的放大倍数，又要有合适的输入、输出电阻，并能稳定正常地工作满足实际需求。这部分内容实用、重要、综合性较强，学生感到难学，可从文中所述的方面努力来提高其教学效果。

简介：在实验研究的基础上，对晶体管二次击穿现象的原因提出一种新的观点，并进而讨论避免二次击穿的思路。

简介：本文就晶体管收音机电路中的一些问题在理论上作出进一步的解释,并就组织实验中需注意的事项提出自己的看法。

简介：QFET芯片结构与传统MOSFET是不同的，主要表现在三个方面：

简介：本文介绍一个实用的晶体管开关电路（如图１），用它能够很准确地测定出电容和介电常数。

简介：本文通过研究晶体管、场效应管电路符号,揭示了晶体管、场效应管电路符号表示的意义.并引导学生应用这些结论:一方面,准确识别给定的电路符号对应的晶体管、场效应管的种类;另一方面,准确画出给定类型的晶体管、场效应管对应的电路符号.期望本文对学习涉及晶体管、场效应管有关理论知识的学生有所帮助.

简介：<正>据《NEC技报》2005年第3期报道,该公司开发了用于手机基站的大功率、小型、高效的单芯片GaN晶体管。目前,用于基站的晶体管大都为Si或GaAs晶体管,为了获得240-300W的饱和输出功率,通常采用3-4个晶体管芯片进行功率合成。这次开发的单芯片功率管的特性大致如下:①在热导优异的SiC衬底上形成高品质的GaN和AlGaN的异质结;②形成高电压、大电流工作的场调制板(FP)电极结构;⑧采用可降低栅漏电流1/50的埋入电极结构。

简介：分析晶体三极管三种组态电路H混合参数，用不同方法导出共集、共基放大电路H参数和更精确的共集电极及共基电极晶体三极管H参数与其共发射极组态H参数的关系，说明不同组态电路有相同的电路形式。

简介：本文介绍节能灯用晶体管的技术特性和发展现状,尤其是一些新型高反压高速功率晶体管,可用来进一步提高节能灯的质量及安全特性。

简介：<正>M/A-COM公司开发出PH1090-700B系列NPN共基极C类脉冲功率晶体管,设计用于1030MHz～1090MHz频带的中频频率和其它航空电子学用途。其32μs脉宽和2%占空因素时的峰值饱和输出功率超过700Wpk,50%集电极效率时的可保证增益为7.5dB;在严格的S模脉冲猝发条件下,器件的饱和输出