简介：<正>VishayIntertechnology,Inc.推出0402和1206外形尺寸的器件,扩充其PATT精密车用薄膜片式电阻家族。器件提供镀金接头,可适应传统的焊膏组装和导电胶合电路板安装技术。薄膜PATT电阻的工作温度范围比大多数传统电阻宽85℃,在100%的散热功率下的工作温度可达+155℃,线性降额时温度可达+250℃。器件通过AEC-Q200认证,具有±25ppm/℃的绝对TCR,经过激光微调的公差低至±0.1%。电阻芯采用钽氮化物技术制造,具有固有的

简介：

简介：近年来，采用各种不同沟槽栅结构使低压MOSFET功率开关的性能迅速提高。本文分上、下两篇综述了这方面的新发展。上篇重点阐述了降低漏源通态电阻RDS（on)?B7矫娴募际醴⒄梗幌缕氐悴隽私档陀胖礔oM方面的技术发展。

简介：IBM发表了新型绝缘体材料配方，号称能有效提升先进工艺芯片性能与良率。IBM近日在美国硅谷举行的年度IEEE国际可靠度物理研讨会（InternationalReliabilitvPhysicsSymposium，IRPS）上发表了新型绝缘体。

简介：采用物理气相传输（PVT）工艺,成功制备出3英寸高纯半绝缘（HPSI）6H-SiC单晶。依据氮在碳化硅晶格中占碳位的规律,通过生长过程温度和压力等工艺参数的优化,减少生长前沿碳空位的数量,实现了在较高碳硅比气氛下低氮含量碳化硅单晶生长的目标。二次离子质谱（SIMS）测试给出了晶体中氮及其他杂质的控制水平,证明单晶的高纯属性;非接触电阻率Mapping（CORE-MA）和电子顺磁共振（EPR）测试进一步证实其高纯半绝缘特性。

简介：<正>瑞萨电子宣布开发出了导通电阻仅为150mΩ(栅源间电压为10V时的标称值)的600V耐压超结(SJ:SuperJunction)型功率MOSFET"RJL60S5系列",将从2012年9月开始样品供货。超结是可在不牺牲耐压的情况下,降低导通电阻的功率MOSFET的元件构造。虽然其他竞争公司已经推出了采用这种构造的功率MOSFET,但据瑞萨电子介绍,"RJL60S5系列"在600V耐压产品中实现了业界最小水平的导通电阻。马达驱动电路和逆变器等采用RJL60S5系列功率

简介：介绍应用溅射工艺制备Cr·SiO薄膜电阻器的方法，通过大量的实验及不断的工艺优化，制备出了高精度、高稳定性、低TCR的HIC中的薄膜电阻器基片，并已投入批量生产。

简介：<正>美国佐治亚理工学院(GeorgiaInstituteofTechnology)宣布,开发出了特性几乎不会劣化的有机FET。可在大气且低温的环境中制造,有望为柔性有机电子,比如有机类太阳能电池、RFID、有机EL的实用化做出巨大贡献。进行开发的是佐治亚理工学院电子与计算机工程系教授BernardKippelen

简介：介绍一种用于变电站电气设备绝缘在线监测的数据采集装置,合理的硬件设计使装置具有良好的性能。文中也对软件设计中的有关问题作了详细讨论。

简介：文章概述了导热性介质覆铜箔基板的特征,按其导热系数的等级可归纳为五类。通过开发导热绝缘有机聚合物和导热绝缘无机物可以得到导热率为0.2~100W/m.K或更高的覆铜箔基材。这些导热性介质覆铜箔基材所形成的PCB基本上可以满足各个领域的应用要求。

简介：<正>Vishay发布新的通过AEC-Q200认证的25W厚膜功率电阻—DT025,它采用小尺寸、表面贴装TO-252型(DPAK)封装。对于汽车、工业和国防应用,VishaySferniceDT025比前一代方案节省更多空间,在PCB上的耗散功率则达到3W以上,阻值范围较宽。DT025是无感器件,阻值从0.016Ω到700kΩ,其外形尺寸为8.2mm×7.3mm的面积和2.8mm的厚度,在DPAK封装内能承受比竞争元器件多10倍

简介：<正>日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出新系列高功率表面贴装的精密薄膜片式电阻-PCAN系列器件。该系列器件采用氮化铝基板,功率等级为2W~6W,分别采用1206和2512小外形尺寸。今天发布的VishayDale薄膜电阻的氮化铝基板采用更大的背面端接,减少了上侧电阻层与最终用户的电路组装上焊点之间的热阻。这样,器件可处理

简介：<正>日前,VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出采用金端接,可用于导电胶合的新系列精密薄膜片式电阻阵列-ACAS0606ATAU,该电阻阵列把两个电阻集成在一个衬底上,可在155°C高温下工作,相对公差低至±0.05%,相对TCR低至±5ppm/K。除了优异的高温性能,ACAS0606ATAU系列对恶劣的环境条件还具有极好的耐受能力,且具有优秀的耐潮能力-在85°C和85%相对湿度下经过1000

简介：法国BERNIN2010年3月19日电／美通社亚洲／在中国受到高度关注和支持的SOI项目全球领先的微电子行业工程晶圆供应商SOITECGroup（EuronextParis）今天宣布，该公司与中国领先的半导体专业代工厂商华润上华半导体有限公司（CSMCTechnologiesCorporation）（“CCSMC”）签订了一项协议，向后者提供绝缘硅（SOI）晶圆。

简介：随着现代化建设的发展，我国直流输电线路的建设也逐渐趋于成熟。直流输电系统它的输送距离较远，可以有效实现不同区域进行电网互联，而且损耗非常小，目前，大量500kV直流输电工程陆续投运。但是，近年来500kV换流站直流分压器所发生的故障也越来越多。通过查阅一些资料以及经验，分析了龙泉以及江陵这两个地方发生的500kV换流站，直流分压器外绝缘闪络事故，指出该分压器发生闪络事故的原因，探讨其解决方案，供我国直流输电工程运行、设计、制造部门参考。

简介：摘要随着国家经济的快速发展，建筑事业也得到了良好的发展，水泥在建筑工程施工中有着不可或缺的作用，是最为主要的原材料。如果建筑施工所使用的水泥与相关规定不相符，则会影响到整个建筑物的使用寿命与稳定性，基于此，在建筑工程的施工过程中需要强化水泥的检测工作，保障施工期间所使用的水泥质量与具体规定相符，以此来保障施工建筑的整体质量。

简介：TE电路保护部宣布推出其可回流焊热保护（RTP）器件系列的最新成员RTP200R060SA器件，该RTP系列是典型热保险丝的一种更便利、高性价比的替代方案。RTP器件有助于防止因各种场效应管、电容、集成电路、电阻和其他功率元器件损毁和失效所引起的热失控伤害。

简介：VishayIntertechnology，Inc．发布采用其新型P通道TrenchFET第三代技术的首款器件——Si7137DP，该20VP通道MOSFET采用SO-8封装．具备业内最低的导通电阻。

简介：电力电子器件是半导体功率器件的总称，是构成电力电子设备的基础，是从事电力电子器件设计、研发、生产、营销和应用人员以及电源技术工作者应该熟悉的内容。本刊从今年4月份开始以“电力电子器件知识”为题开展讲座．以满足广大读者增长知识和用好这些器件的需求。欢迎厂家及用户的工程师们撰稿，并望提出宝贵意见。

简介：射频绝缘体上硅公司PeregrineSemiconductor近期宣布在微波频率段实现集成相位和幅值控制,这是其下一阶段智能集成能力的发展重点。去年秋天,Peregrine宣布利用UltraCMOS技术可将射频、数字和模拟组件集成在单一芯片上。如今通过在更高频率条件下实现相位和幅值控制,Peregrine公司表示可以为无线基站,合成孔径雷达,波束形成和取消干扰等应用领