简介:三星电子日前宣布,公司已开始通过第二代10nm级工艺量产DRAM内存芯片。三星称,公司使用第二代10nm级工艺生产出了8GbDDR4芯片,实现了新的突破。2016年2月,三星已使用第一代10nm级工艺生产出了8GbDDR4芯片。
简介:Intersil公司近日宣布,推出业内最小的隔离RS~485差分总线收发器-ISL32704E,用于为工业物联网(loT)提供4Mbps双向数据传输功能。高速ISL32704E提供业内领先的抗电磁干扰(EMI)和共模瞬态抗扰度(CMTI)。
简介:主要介绍了高速串行总线在传输介质高频衰减较大的情况下采用的这两种补偿技术,并介绍了这两种补偿技术的原理与优缺点。结合其优缺点,给出了如何正确使用这两种补偿技术的方法。
简介:国际整流器公司(IR)推出采用5引脚SOT-23封装的业内最小功率因数校正(PFC)升压Ic——IRS2505LTRPBF,适用于开关模式电源(SMPS)、LED驱动器、荧光灯及HID电子镇流器等应用。IRS2505L扩充了IR的μPFCTMPFC控制Ic系列,并配备崭新的控制系统,只需5个引脚就可部署PFC控制器,从而大幅减少整体系统尺寸、器件数量及系统成本。IRS2505L还可以在临界导通升压PFC、降压或反激配置下操作。
简介:鼎芯科技目前针对WCDMA市场推出一款高效率,高线性的直放站PA。鼎芯科技是NXP在国内的首家微波产品(LDMOS,ADC/DAC)技术服务商,其在该款产品中结合了NXP的高性能RF功率横向扩散晶体管(LDMOS)和Scintera推出的一种新型自适应模拟预失真芯片SC1887,并在PA中采用了当今流行的Doherty技术。
简介:概述了各种基材上平滑电路形成用的电镀工艺,应用UV光的基材表面改性和电路图形的形成.
简介:概述了铜凸块形成用三层箔的特征,制造方法和应用.
简介:由于在PWB设计中不断增加高密度线路的要求,驱使印制线路板(PWB)的阻焊膜(或焊接掩膜)技术的逐步发展。光成像技术已普遍地用来形成阻焊膜图形和改善PWB生产精细阻焊膜性能的能力,但是,由于紫外光(UV)通过阻焊膜/层压板基体而产生的穿
简介:概述了利用激光辅助植晶(LAS)机理形成PCB的高厚径比盲微导通孔的质量和可靠性,可以比得上传统的化学镀技术。LAS是一种有前途的替代技术。
三星开发出全球最小DRAM内存芯片速度提升10%
Intersil推出业内尺寸最小的隔离Rs-485收发器
预加重与线性均衡技术在高速背板中的应用
IR推出采用5引脚SOT-23封装的业内最小PFC升压IC
鼎芯科技推出高效率高线性的WCDMA直放站PA
各种基材上形成平滑电路的电镀工艺
铜凸块形成用三层箔
屏蔽UV光的层压板——新材料将阻止重影图像的形成
利用激光辅助植晶机理形成PCB的高厚径比盲微导通孔的质量和可靠性