简介：

简介：ThegrowthdetectsinNd:YCa4O(BO3)3(Nd:YCOB)crystalswereinvestigatedbytransmissionsynchrotrontopography.ItwasfoundthatgrowthstriationsweretheprimarydefectsinNd:YCOBcrystals.Grown-indislocations.mosaicblocksandinclusionswerealsoobseredinthecrystals.Theeffectoftemperaturefieldontheformationofgrowthdefectsinthecrystalswasdiscussed.

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简介：用同步辐射角分辨偏上光电子谱对K／Ru(101^-0)表面上吸附的CO分子轨道的对称性测量发现：结合能在11.2eV的CO－4α1（4σ）分子轨道对s偏振光（在沿＜12^-10>的入射面）是禁戒的。结果表明由于K的强烈影响，CO的分子轨道重新排列（sp^2杂化）。根据选择定则和分子轨道的对称性说明，sp^2再杂化的CO分子吸附的桥位取向是<12^-10>晶向。

简介：采用同步辐射白光形貌术结合化学腐蚀法研究了TNAB系列晶体NdxGd1-xAl3(BO3)4(NGAB)和YbxY1-xAl3(BO3)4(YbYAB）晶体中的生长缺陷。发现生长孪晶是该系列晶体中普遍存在的缺陷。NGAB晶体中的孪晶为180°旋转孪晶，操作轴为[0001]轴，即结构的三次对称轴，该孪晶以结构因子的衬度出现在X射线形貌像中：而YbYAB晶体中的孪晶则为反演孪晶，主晶与孪晶的结构互为中心对称。该孪晶在X射线形貌像中不出现畸的衬底，而仅出现界面的运动学衬度。

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简介：目前，北京同步辐射装置4W1A束线的双晶单色器存在着调节困难、单色光出口不固定等问题，本文对其中原因进行了讨论，并提出一种新型结构的双晶单色器。此单色器具有调节简单、波长切换方便等优点，并实现了单色光固定出口。从而能够大大缩短调光时间，提高4W1A束线专用光的用光效率。

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简介：采用EXAFS方法研究了经中温等温和低温LN2处理的2mol%Y2O3-ZrO2陶瓷中Zr^4+和Y^3+离子的近邻结构。结果表明，与中温等温试样相比，LN2处理的试样中Zr-O层和Zr-Zr(Y）层的配位数显著减少，平均键长明显缩短；Y－O层配位数减少，Y－Zr(Y）层平均键长伸长；各配位层畸变程度均增大。两个试样的Y－O层配位数均高于Zr-O层配位数，表明点阵中的氧空位倾向于与Zr离子为邻。分析认为，该试样Zr-O配位层中较多的氧空位主要来源于从高温快速冷却时所保留下来的Schottky缺陷，对四方相稳定性和中温相变具有重要的影响。

简介：利用原子力显微镜，同步辐射X射线形貌术和化学腐蚀光学显微等方法深入研究了KTiOAsO4晶体缺陷中的铁电畴和位错。首次用原子力显微镜给出了用两种腐蚀剂腐蚀过的KTA晶体表面的铁电畴和位错蚀坑的照片及定量信息，如发现铁电畴的明区要高于暗区，且两者的粗糙度明显不同。这为研究各种晶体的生长缺陷开辟了一条新的途径。

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简介：利用同步辐射（BSRF）漫散射站四圆衍射仪，对SiC体单晶的结构进行了判定以及对利用常压化学气相沉积（APCVD）生长的3C－SiC/Si(001）中的孪晶及含量进行了分析。六方{10-15}极图证明了该SiC单晶为6H（H为Hexagonal的缩写）结构。对3C－SiC外延薄膜，Φ扫描证明了3C－SiC外延生长于Si衬底上，外延取向关系为：（001）3C－SiC//(001)Si,[111]3C-SiC//[111]Si。3C－SiC的{111}极图在x=15.8°出现了新的衍射，采用六方{10-10}极图以及基体倒格点111、孪晶倒格点002的Mapping分析了x=15.8°处产生的衍射为3C－SiC孪晶所致，并利用ω扫描估算了孪晶的含量约为1％。

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简介：ThisworkinvestigatedC2F6/O2/ArplasmachemistryanditseffectontheetchingcharacteristicsofSiCOHlow-kdielectricsin60MHz/2MHzdual-frequencycapacitivelycoupleddischarge.FortheC2F6/Arplasma,theincreaseinthelow-frequency(LF)powerledtoanincreasedionimpact,promptingthedissociationofC2F6withhigherreactionenergy.Asaresult,fluorocarbonradicalswithahighF/Cratiodecreased.Theincreaseinthedischargepressureledtoadecreaseintheelectrontemperature,resultinginthedecreaseofC2F6dissociation.FortheC2F6/O2/Arplasma,theincreaseintheLFpowerpromptedthereactionbetweenO2andC2F6,resultingintheeliminationofCF3andCF2radicals,andtheproductionofanF-richplasmaenvironment.TheF-richplasmaimprovedtheetchingcharacteristicsofSiCOHlow-kfilms,leadingtoahighetchingrateandasmoothetchedsurface.

简介：采用Czochralski法，我们成功地生长了大尺寸GdCa4O(BO3)3单晶。在对晶体的完整性进行检测的过程中发现：晶体中存在亚晶界，该晶界贯穿整个大单晶。由于亚晶界两边的单体存在取向差，在同步辐射形貌像中可观察到像漂移。根据高分辨X射线衍射所确定的取向差，我们计算了对应几个典型衍射的形貌像漂移，计算结果与从形貌像中测量的结果符合得很好。

简介：采用水热合成法制备了Ni/CeO2-ZrO2-A12O3催化剂。进行了添加和不添加水蒸气的CH4-CO2催化重整反应，测量了积碳量，并用EXAFS手段测试了催化剂Ni的K吸收边。结果表明，反应前后最近邻Ni—Ni配位距离无明显变化，而配位数却变化明显。无水蒸气反应后Ni-Ni配位数有较大幅度的减少，而添加了水蒸汽，Ni—Ni配位数比反应前减少幅度小。水蒸气的添加能减少积碳量，稳定催化剂中Ni的结构，从而提高催化反应的稳定性。