简介：报导了CdS／ZnS纳米晶体（NCs）的制备过程和其光学}生质。通过采用连续离子层吸附和反应技术（SILAR），我们用少量的表面活性剂合成了不同壳层的四个样品，包括CdS核纳米晶以及具有1～3层ZnS壳的CdS／ZnS核／壳结构纳米晶体样品。发现具有一层ZnS壳的CdS／ZnS样品的荧光量子产率大约比未包覆壳层的CdS纳米晶体样品的强11倍。另外，随着壳层的增加（增至两到三层），荧光量子产率呈现下降的趋势。对样品进行了温度相关的光谱测量，发现CdS／ZnS和CdS一样具有特殊的光学特性。

简介：ZnS是直接带隙半导体材料,和具有良好的光电能力,广泛用于光电子学,如紫外检测器、太阳能电池,以其完美的光电转换效率和纯净度,洁净效率等效于CdS薄膜。关键词ZnS制备；ZnS紫外探测器；ZnS紫外探测器应用1.ZnS的结构介绍硫化锌是带隙半导体材料的其中之一。一般来说，白色粉状固体有两种变体高、低温变体，细胞参数a0=0.384nm,c0=0.5180nm,z=2。ZnS的晶体结构可以被认为是精密的六边形堆积。ZnS俗称闪锌矿，还具有面心立方的晶体原子结构，细胞参数a=0.5406nm,z=4。在两种晶体结构中，每四个硫离子形成一个四面体，四面体中含有一个锌离子，构成硫化锌四面体。导致了不同的光电子学性能。比较结构化的研究了材料的发光原理。带隙分别为3.67-3.75eV和3.91-3.94eV。本征发光为蓝光带，但对ZNS纳米材料的制备及不同尺寸、掺杂和形貌的ZNS的发光性能尚未深入研究6。2.ZnS的基本性质硫化锌是一种直接宽带隙半导体，具有良好的压电、热电和光电导性能5。锌具有各种优良的性能，广泛应用于许多领域。3.ZnS作为紫外探测器的选择依据紫外探测器可以将电辐射信号变换成其他易于接收的信号。微粒激发原子核产生电子，然后由外面收光电子。从其间得到的为得到的变化值。紫外探测器的主要性能参数有效率、应答性、应答时间、电流等。根据性能和设计要求，制作紫外探测器需要带隙半导体材料。材料必须具有带隙大、导热性能好、饱和度高等特点。可用它来造出超高频电路，辐射耐久好的电路、高密度集成的电路，还有大功率电子学器件。ZnS作为一种典型的宽频带隙半导体，在优良的光电性能方面具有最显著的优势。根据硫化锌的宽带隙和光电导率高的特点，可以发现硫化锌是制作紫外探测器的良好材料，可以用于制作紫外探测器。同时具有无毒无害、节能环保、生产工艺简单、体积小、在光电集成电路中的广泛应用等优点，具有很大的应用价值。4.ZnS制备方法ZnS是一种应用广泛的纳米材料，制备方法很多。由于其用途不同，制备方法也不同。制备的锌一般有粉状、块状和薄膜状。锌的优良性能主要取决于颗粒的大小、分布和形貌。因此，如何控制颗粒的大小和分布，以及形貌和表面的修饰是研究的关键。ZnS8的制备方法多种多样。到目前为止,大量的文献报道的合成硫化锌,包括模板方法9,元素直接反应法10、11降水方法,水热合成方法12,微乳液方法13,溶胶-凝胶法14,15,化学气相沉积方法等。这些方法涵盖多个学科,每个都有自己的优点和缺点。根据合成环境的不同，可分为固相法、气相法和液相法。5.ZnS的应用ZnS是其中具有宽带隙的半导体材料之一。ZnS作为过渡金属硫化物，具有许多优良的特性，是一种重要的发光材料和半导体材料。它在荧光粉、发光、传感器、红外电子材料领域有着很好的发挥用途。主要用途有(1)在材料中的应用。ZnS是其中过剩本征半导体之一。它具有电性和热粒子性，是很优秀的基体。然而ZnS没有能计算的性能。(2)在发光材料中的应用。锌是最佳基体之一，流行在离子、显示、材料等领域。此外，它还被用于传感器检测x射线和伽马射线。还可用于制作太阳能器件、纳米激光激光，广泛应用于具有光电识别标志的器件之中。6.紫外探测器的用途紫外探测器能起到警示的作用，还可以与军队进行联系，还能用紫外线进行观察周围的情况，还可以用来制造导弹，可以作为国家防御的非常重要的一部分，所以十分受到了军队的高度重视和审视。紫外光探测器可以用于科学的研究，队科技的进步起到十分重要的作用，还对国家军队的防御起到至关重要的作用，对于飞向天空的梦想也起到很重要的作用，还可以对环境的保护等很多很多的领域起到关键性的作用。不仅如此，它对医学的研究。还有各种各样的生物的研究都起到很重要的作用。在日常生活中，它可以作为uv-a(230~320nm)和uv-b(280~320nm)紫外线测量仪，适用于个人在海滩、山区等紫外线丰富的环境中使用。不仅如此，在普通的农民的领域，紫外探测器还可以广泛应用于气体的燃烧，对汽车的尾气进行观察，还对于火灾的防备，还有周围环境的检测与防备，对于细胞进行癌分析，还对DNA进行观察与研究，具有很大的发展潜力。7.硫化锌紫外探测器的制备近十年来，在带隙半导体中，ZnS由于具有很优秀的性能，如正常温度情况下，ZnS光学性能还不错，成为一种很好的选择。ZnS是一种很有前途的硅衬底集成光电器件的制备材料。总结本文对硫化锌的制备进行了探讨，并对硫化锌的应用领域进行了总结。现在为止我们制备ZnS薄膜的方法有真空蒸发法、化学气相沉积法、磁控溅射法、模板法、溶胶-凝胶法等。

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简介：CDS如同一把菜刀。本来的功能是切菜，然而现在人们却拿它杀人。遗憾的是，一些专家学者准备给CDS判刑，这无疑显得有些滑稽。

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简介：债市违约频发，中国版信用风险缓释工具升级。9月23日，中国银行间市场交易商协会（下称交易商协会）发布修订后的《银行间市场信用风险缓释工具试点业务规则》（下称新版CRM），通过新设产品、降低门槛、简化流程以及调整监管框架，重新梳理了信用风险缓释工具的业务体系，标志着中国版CDS以新面目问世。

简介：AnovelphotoelectrochemicalbiosensorincorporatingnanosizedCdSsemiconductorcrystalswithenzymetoenhancephotochemicalreactionhasbeeninvestigated.CdSnanoparticlesweresynthe-sizedbyusingdendrimerPAMAMasinnertemplates.TheCdSnanoparticlesandglucoseoxidase(GOD)wereimmobilizedonPtelectrodevialayer-by-layer(LbL)techniquetofabricateabiological-inorganichybridsystem.Underultravioletlight,thephoto-effectoftheCdSnanoparticlesshowedenhancementofthebiosensortodetectglucose.PtnanoparticlesweremixedintotheNafionfilmtoimmobilizetheCdS/enzymecompositesandtoimprovethechargetransferofthehybrid.Experimentalresultsdemon-stratethedesirablecharacteristicsofthisbiosensingsystem,e.g.asensitivityof1.83A/(mMcm2),lowerdetectionlimit(1M),andacceptablereproducibilityandstability.

简介：Theelectroluminescencethinfilmsdopedwitherbium,fabricatedbythermalevaporationwithtwoboats,areanalyzedbyX-raydiffraction(XRD).Therelationshipbetweenelectroluminescencebrightnessandmicrostructureofthethinfilmsisobtained.Theresultsrevealthatthelargegrainsizeinhighindexplaneofdepositedmicrocrystallinefilmhasaneffectonelectroluminescencecharacteristicsofthefilmdevices.

简介：　　CMP公司研制的丁3CDS电缆密封接头采用了独特的可逆铠装锥形体和双向铠装卡环,适用于所有铠装与编织电缆,以及带铅护层的电缆.……

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简介：CdSthinfilmsweredepositedbytheionlayergasreaction(ILGAR)method.Structural,chemical,topographicaldevelopmentaswellasopticalandelectricalpropertiesofas-depositedandannealedthinfilmswereinvestigatedbyXRD,SEM,XPS,AFMandUV-VIS.Theresultsshowedthatthethinfilmsareuniform,compactandgoodinadhesiontothesubstrates,andthegrowthofthefilmsis2.8nm/cycle.Theevolutionofstructureundergoesfromthecubicstructuretothehexagonalonewithapreferredorientationalongthe(002)planeafterannealingat673K.AnamountofC,OandClimpuririescanbereducedbyincreasingthedryingtemperatureorbyannealinginN2atmosphere.ItwasfoundthatthebandgapoftheCdSfilmsshiftstohigherwavelengthafterannealingorincreasingfilmthickness.Theelectricalresistivitydecreaseswithincreasingannealingtemperatureandfilmthickness.

简介：CdSnanocrystalsofvariousshapesweresynthesizedbyusingcadmiumethyldithiocarbonatio(xanthate)asasingleprecursorundersolvothermalcondition.Thereactiontemperature,cadmiumconcentration,andsolventsdeterminetheCdSmorphology.MultipodalCdSstructuresofdifferentfractionsofallparticleswereobtainedattemperaturesrangingfrom100to180℃withthecorrespondingprecursorconcentrationsinethylenediamine(EDA)solution.Thisapproachisdifferentfromthatreportedintheliterature,whereEDAisregardedasasolventfavorabletotheformationofCdSnanorodsinsteadofpods.UniformCdSmultipodswerepreparedat160℃with1.0gofcadmiumxanthate.TheformationofCdSmultipodsinEDAsolutionmaybeattributedtoasynergisticeffectbetweenthereactiontemperatureandCdconcentration,i.e.,thermodynamicailyandkineticallycontrolledgrowthoftheCdSwurtzite(WZ)andzincblende(ZB)phases,asconfirmedbythestructuralcharacterizationofthecomponentCdScrystals.EDAandxanthateligandsactasco-assistedcappingagentsinthegrowthofCdSmultipods.WhenusingN,N-dimethylformamide(DMF)andethyleneglycol(EG)assolvents,theCdSappearsastriangularparticlesandflower-likemicrospheresassembledbypolyhedrons,respectively.

简介：选用新型的有机硫源二硫化四甲基秋兰姆（Tetramethylthiuramdisulfide）．以水热法分别在苯和乙二胺溶剂中制备了不同形貌和尺寸的CdS纳米微粒。采用TEM、XRD、UV—Vis等测试手段对产物进行了表征，结果表明：在苯溶剂中得到的是近球形的CdS纳米微粒，直径在30nm左右；而在乙二胺中得到的是CdS纳米线．其表面光滑，直径均匀（40nm）。二者的UV-Vis光谱的吸收峰相对于体相CdS均发生了蓝移。

简介：ZnSnanostructureswithdifferentdimensionsandstructure-relatedpropertieswerereviewedinthispaper.Thecrystallizationofnanostructuresfrom0D,1Dto3D,aswellastheheterogonouscounterparts,wassummarizedintheaspectofzincblende,wurtzitestructure,andtheircombinations.Furthermore,thestructure-relatedenergybandsandthecorrespondingphotoelectricpropertiesofZnSnanostructureswerealsofocused,inwhichwemadeabriefsummaryoftheco-relationsbetweenphotoluminescenceandcrystallography,especiallythedefectrelatedluminescencepropertiesofZnSnanocrystal.

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简介：Chargedcentersexistinthephosphorlayerofthecommonthinfilmelectroluminescentdevices.Inthisarticle,electronscatteringprocessduetothesecentersisstudiedthroughphaseshiftanalysis.Thescatteringratesindifferentcasesareobtainedandcomparedwithotherimportantscatteringprocesses.ElectrontransportprocessedunderdifferentchargedcentrersconditionsaresimulatedbymeansofMonteCarlomethod.Thequantitativeresultsabouttheinfluenceofchargedcentersonelectronenergyareobtained.

简介：综述ZnS薄膜制备技术的特点.ZnS薄膜材料具有工艺容易控制、成本低等特点,极具市场发展潜力,尤其作为高阻层在CIGS太阳能电池的应用,有望替代传统使用的CdS膜.

简介：我们制作胶体的CdSe/ZnS量点(QD)并且poly的电影(9-vinylcarbazole)(PVK)在二个电极之间夹了的混血儿。电镀物品光(EL)的电压和温度依赖被测量。胶体的QD的限制量的空效果清楚地被观察。在QDEL探索机制，混合电影与胶体的QD的不同集中被制作。电子和洞被建议独立分别地在QD和PVK被搬运。

简介：高密度的CdS空nanospheres被一种简单化学蒸汽免职技术成功地综合。水晶结构，组合信息，和词法结构被X光检查衍射(XRD)描绘，扫描电子显微镜学(SEM)，传播电子显微镜学(TEM)，和精力散的X光检查分光计(EDX)。结果证明同样准备的CdS空nanospheres让制服缩放大约1在直径的3m。Kirkendall现象为CdSnanostructures的形成被建议。在580nm定位的强壮的排出物被观察。

简介：利用微乳液法制备出ZnS∶Cu纳米微粒.透射电子显微镜(TEM)和动态光散射(DLS)测试结果表明,所得微粒粒径为2～8nm.XRD结果表明,ZnS∶Cu纳米微粒为立方晶型结构,与体材料ZnS的晶型结构一致;在紫外吸收光谱中,ZnS∶Cu纳米微粒吸收峰蓝移.发射光谱表明ZnS∶Cu纳米微粒产生一个位于482nm的绿色发射带.