简介:利用TCAD仿真技术,研究了电离总剂量辐射陷阱电荷对0.18μmN沟道MOSFET转移特性的影响.构建了0.18μmN沟道MOSFET的三维仿真结构,获得了在电离总剂量(totalionizingdose,TID)效应影响下,负栅压偏置时器件中电流密度的分布情况.分析了器件浅槽隔离层(shallowtrenchisolation,STI)中氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷对器件泄漏电流的影响.仿真计算了N-MOSFET的转移特性,仿真结果与辐照试验结果受辐照影响的趋势基本一致,为深亚微米MOS器件的总剂量辐射效应的损伤机制提供了一种分析手段.
简介:提出了一个基于约瑟夫森电荷量子比特实现未知三粒子的GHZ态的方案。在这方案中,三对两粒子纠缠态作为量子通道。此外,不需要bell测量。以目前的技术,在该方案中所用到的设备都可以实现。
简介:为进一步研究激光防护材料的表面特性,提高激光测量设备的防护能力,对铝和铜材料粗糙表面的双向反射分布函数(BRDF)进行了研究。通过分析不同入射角度、不同表面粗糙度对铝和铜材料粗糙表面BRDF的影响,可得到,铝和铜材料粗糙表面的BRDF分布具有明显的镜反射特征,且入射平面内的BRDF峰值随入射角度增加而增大。在波长为1064nm激光辐照下对铝和铜粗糙表面的BRDF进行了实验测试。结果表明,相同粗糙度下,铜表面的BRDF镜反射方向峰值高于铝表面的。当表面粗糙度较大时,光子在粗糙表面内会经历多次散射,粗糙表面内多次散射光子数占所有散射光子数的比例随着表面粗糙度的增大而增加。