简介：<正>00593Fabricationof0.1μm-GateInPHEMTsUsingi-LineLithography/K.Sawada,K.Makiyama,T.Takahashietal(FujitsuLaboratoriesLtd,Japan)//2003IndiumPhos-

简介：本文分三个专题，介绍了IEEE第15届国际功率半导体器件和集成电路研讨会(SPSD’03)上有关IGBT的第二部分文章，供专业人士参考。

简介：

简介：摘要：工业控制、机车牵引等现代许多领域都离不开电力电子技术，作为其技术的直接呈现，电力电子器件的作用日益突出。文章首先从电压驱动型、电流驱动型两方面分别介绍了几种常见的电力电子器件，然后对其在实际中的应用和发展史进行了分析。

简介：

简介：摘要：现如今我国工业化发展迅速，而且已经全面开展电力电子技术，就比如工厂控制、机车牵引等重多领域。在这些领域当中电子器件的作用十分显著，而电子器件中的电力电子器件有着可以直接处理电能的功能，可以对电能实现更好的控制，对于电子器件的驱动、交流电力电子开关、和整流电路等功能有着显著的功效，对我国机械化工业有着重要意义，对我国科学技术发展有着明显的推动作用。本文对电力电子新器件的应用进行了分析，还对几种常见的器件进行了讲述

简介：IGBT是一种新型的功率器件，经过几代重大技术改革，已成为功率器件家族中应用最广泛的成员之一，除了巩固1000V-2000V领域的成功应用继续向更大功率的方向发展外，还在开拓300V-600V范围的应用。本文从研发和生产的角度，阐述IGBT在器件结构优化、工艺制造、器件封装、可靠性方面的最新进展、存在的问题和可能的解决途径。

简介：DC-DC隔离模块电源；模拟信号隔离放大器；

简介：TN2532003021143光纤电压传感器最新进展=Recentadvancesinfiber-opticvoltagesensors[刊,中]/唐丽杰（北方交通大学光波技术研究所.北京（100044））,吴重庆…//半导体光电.—2002,23（4）.—228-232综述了光纤电压传感器近年来国内外的最新研究进展,包括可用于SF6绝缘高压开关的光纤电压传感器、频率调制型的光纤电压传感器以及光控灵敏度的光纤电压传感器。介绍了国内在光纤电压传感器方面的研究进展,包括以DSP为信号处理芯片的BGO晶体的光纤电压传感器,以及应用光纤传感器机理来测试脉冲电压和电场的方法,并对光纤电压互感器暂态信号处理的原理进行了研究,试验证明可以满足继电保护的要求。图10参

简介：TN2532002042765光纤喇曼放大技术及其应用=FiberRamanamplifiertechnologyanditsapplication[刊,中]/赵玲(信息产业部电子第34所.广西,桂林(541004))∥光通信技术.—2001,25(4).—311-313概述了光纤喇曼放大器的发展情况、分布式喇曼放大器的原理和特性,阐述了掺铒光纤放大器与喇曼放大

简介：在全球电子行业稳步发展的大环境下,不少业内人士对于半导体分立器件的市场前景更为看好,据美国半导体产业协会公布的数据显示,半导体分立器件行业的销售排名已占电子市场总份额的前三。而在未来两年间,半导体市场成长率将保持了7.9%左右,半导体分立器件应用范围的不断拓展,将为行业发

简介：答：无源器件如：电阻电容，电感等，它们接入电路无需配置电源供电，即可以进行信号的传输变换及其他功能。而有源器件，如晶体管、集成电路(IC)等需配置相应的电源供电，方可正常有效的工作。如：三极管的基极与集电极电源，IC电路的电源供电等。没有电源供电，仅是一个孤立的晶体管或集成电路是根本不能工作的。

简介：战略分析指出，手机市场仍然是GaAs器件工业的主要驱动力，2003年北美的公司是其主导者。

简介：<正>英国阿斯科特的ElementSix公司与德国乌尔姆大学合作,采用化学汽相淀积制备的合成单晶金刚石制造出前期性微波器件(MESFET)。金刚石所固有的理论性能并结合最新推出的这种器件意味着,金刚石可占

简介：Ⅲ族氮化物（又称GaN基）宽禁带半导体属于新兴的第三代半导体体系，在短波长光电子器件和功率电子器件领域具有重大应用价值。过去10多年，以蓝光和白光LED为核心的半导体照明技术和产业飞速发展，形成了对国家经济和人民生活产生显著影响的高技术产业。近年来GaN基功率电子器件受到了学术界和产业界的高度重视，形成了新的研发和产业化热点。首先介绍了半导体照明技术和产业的发展历程和现状，分析了当前GaN基LED芯片技术面临的关键科学和技术问题；然后重点介绍了GaN基微波功率器件和电力电子器件的发展历程和动态，包括微波功率器件已经取得的突破性进展和产业化现状，电力电子器件相对Si和SiC同类器件的优势和劣势，并对GaN基功率电子器件当前面临的关键科学和技术挑战进行了较详细的分析。

简介：摘要：伴随电子信息技术的飞速发展，电子元器件的设计、制造水平对现代化电子设备的进步具有重要意义，同时也对电子元器件检测等工作具有更多需求。以目前我国社会经济发展状况为基础，通过近几年来人们对于电子设备提出的各种需求，明晰了电子元器件应用的重要性。所以，应看清电子元器件的未来发展趋势，大力提高检测的水平，以促进我国电子设备的高速发展。

简介：TK513.12004053748相交圆聚光器的计算机优选设计=Optimizeddesignonintersectingcirclepumpedcavities[刊,中]/张国顺(天津大学精密仪器与光电子工程学院,光电信息技术科学教育部重点实验室。天津(300072)),许宝忠…∥光电子·

简介：TN2132005042956恒定辐照下一维HgCdTe环孔PN结光生载流子浓度的计算=Calculationofphotocarrierconcentrationofa1-DloopholeHgCdTePNjunctionundersteady-stateincidence[刊,中]／王忆锋(昆明物理研究所,云南,昆明(650223)),蔡毅／／红外技术,-2004,26(6),-41-44,47通过求解一维HgCdTe环孔PN结连续性方程,得到了恒定辐照下光生载流子浓度的一般表达式,并对结果进行了分析讨论。图1参9(严寒)

简介：TB432002042855微腔对有机发光的影响的研究=Microcavityeffectsonorganicemissionlight[刊,中]/初国强,高劲松,朱万彬(中科院长春光机所.吉林,长春(130022))∥光学仪器.—2001,23(5/6).—202-205

简介：TL816.5//TP212.122002010516光电效应光位置检测器的性能分析=Performanceanalysisofphotonbeampositionmonitorsbasedonphotoelectrieeffect[刊,中]/孙葆根,何多慧,卢平,王筠华,刘建宏,张奇(中国科技大学国家同步辐射实验室.安徽,合肥(230029))∥强激光与粒子束.—2000,12