简介：提出了一个核污染传播的分层模型,通过对核污染事件发生后,核污染物外围大颗粒的抛射与重力降落、放射云内小颗粒的沉降和放射云的膨胀扩散等传播方式的研究,给出了放射性核污染物传播的范围和污染程度,为核泄露事件发生后,核污染的防治提供了一种参考依据。

简介：介绍了全面禁止核试验条约（CTBT）中涉及的放射性氙同位素及其来源、核爆炸产生放射性氙同位素特征和CTBT大气放射性氙监测技术，重点总结了CTBT中大气放射性氙的取样、测量、事件性质识别和源项解析等技术的最新进展。在氙监测设备方面，已有3套商业化的氙监测系统可供采购，且氙同位素取样效率和探测灵敏度已远超临时技术秘书处设定的技术指标要求；在放射性氙同位素活度测量与能谱分析方面，Si-PIN新型探测器研究取得较大进展，建立了放射性氙数据分析软件；在氙监测事件性质识别方面，建立了Kalinowski判据模型；在大气输运模拟研究与应用方面，基于FLEXPART模型开发了Web-Grape和Web-GrapeIBS软件。但从实际监测效果看，有效获取敏感核素对及核素比，并依此提供确凿核爆炸证据的能力尚显不足。下一步工作应聚焦在氙同位素探测灵敏度提升、氙监测事件识别及溯源等研究上。

简介：为探索＂脏弹＂恐怖袭击危害规律,提高公众安全防护的能力,采用特定的源项模型、高斯扩散模型,考虑多种照射途径,研究了不同大气稳定度、不同风速、不稳定风场以及降雨率等因素对＂脏弹＂袭击放射性后果评价的定量影响。研究结果显示：大气稳定度为稳定F类时,下风向辐射后果为极不稳定A类的4-18倍,小风2m·s^-1的剂量后果为10m·s^-1风速的5倍;在不稳定风场下,＂脏弹＂的危害范围呈不规则状,严重剂量后果分布受第一时段的天气条件影响较为明显;短期评价下,降雨率大则地面剂量后果小,长期评价下,降雨率大则剂量后果大。

简介：介绍了用闪烁探测器代替盖革-米勒计数管验证放射性衰变中的统计规律,为缺少G-M计数管的实验室提供一种新的实验方法。

简介：介绍了国内外极低辐射本底实验现状,总结了对材料放射性筛选的要求和实现手段,给出了相关实验中探测器、屏蔽体、电子学部件等材料的放射性水平。可以看出,筛选材料放射性的手段,主要有低本底γ谱仪分析、辉光放电质谱分析及电感耦合等离子体质谱分析;对大部分材料的放射性比活度要求在mBq·kg^-1量级;对探测器材料和内部屏蔽体材料铜的放射性要求更高,放射性比活度需达到0.1-1μBq·kg^-1。

简介：计算了核试验后10～4×106d时间内熔岩内核素衰变产生的热功率,评估了核素衰变热对熔岩温度的影响.采用国际原子能机构给出的100ktTNT当量地下核试验产生的半衰期大于1a的放射性核素含量,利用其中裂变产物核素137Cs的含量推算出累积裂变产额大于1‰,半衰期1d～1a的短寿命裂变产物核素的含量.分析了各核素的放射性衰变特点,采用美国ENDF/BⅦ库中核素衰变辐射的平均α能量、平均电子能量和平均电磁辐射能量,计算各核素在熔岩玻璃体内因衰变而沉积的能量.计算结果表明:熔岩内核素衰变热功率呈分段幂函数衰减;在10～2×103d、2×103～6×104d和6×104d之后的时段内,衰变热功率分别主要源于短寿命裂变产物核素、长寿命裂变产物核素和锕系元素.核素衰变热对熔岩温度和玻璃体溶解速度的影响程度不大,1000d后影响就非常小了.

简介：利用美国国家海洋大气局开发的大气污染扩散模型HYSPLIT的轨迹溯源功能与自主研发的放射性核素大气输运软件RATRANS的正向扩散模拟功能,对2013年高崎台站监测到的放射性核素Xe异常事件中Xe在大气中的输运进行模拟分析,结合监测的Xe同位素活度浓度比值,对未知核泄漏事件源项进行研判,得到该事件可能的3个泄漏源项：文殊快中子反应堆附近的轻水堆、福岛核电站和朝鲜地下核试验场。

简介：光学元件真空状态下的激光负载能力，直接关系到神光Ⅲ的整体技术达标与ICF物理实验的成败，研究光学元件真空激光损伤机理，提高光真空激光负载能力，目前显得尤为迫切与重要。提高光学元器件和材料的真空抗损伤能力，必须深入研究真空环境下激光辐照的损伤机制。

简介：利用4.5MeV的氪离子（Kr^17＋）辐照（100）晶向本征未掺杂和高掺锌（P型）、（100）和（110）混合晶向的高掺硅（N型）砷化镓（GaAs）半导体材料,辐照注量为1×10^12～3×10^14cm^-2,测试辐照后材料的拉曼光谱。随着辐照注量增大,材料的纵向光学（longitudinaloptical,LO）声子峰向低频方向移动,出现了明显的非对称展宽,并且N型样品辐照后,晶体结构损伤要大于P型与本征未掺杂样品。3种类型样品的LO峰频移随辐照损伤的变化趋势一致,研究表明,掺杂元素不影响材料本身的晶体结构,可能是因为混合晶向的生长方式导致辐照后N型GaAs结构稳定性变差。

简介：根据点源、面源和体源探测效率之间的函数关系,建立了虚拟源刻度方法;对于大面积及大体积放射源,可将其探测效率进行分割,利用蒙特卡罗输运程序进行计算,然后利用虚拟点源模拟体源峰效率。模拟中,将虚拟点源发射的放射性粒子准直成锥形发射,以方便计算。该方法解决了蒙特卡罗方法计算大源小探测器的小概率输运问题。采用该方法,用HPGe探测器对实验室放射性133Xe气体样品及航空圆柱状气体烟云探测效率进行了刻度模拟实验,虚拟点源和体源的计算结果一致,证明了该刻度方法正确可靠。

简介：采用显式动力分析软件LS-DYNA，对内部近距离化爆作用下花岗岩洞室的损伤破坏过程进行了数值模拟，考虑了炸药空气结构之间的流固耦合作用以及花岗岩材料本构模型的高应变率、高静水压和损伤效应。结果表明，在内部近距离爆炸冲击作用下，该洞室围岩损伤具有时空特征与结构层次特征：首先,爆心截面附近岩石受压产生材料损伤，损伤范围随装药量的增加逐渐增大；其次,爆炸冲击波在洞室端部会聚，反射超压显著增大，引起该处岩石的材料压缩损伤；最后，随着洞室侧壁位移与端部位移的先后增大，在侧壁与端部交界处产生撕裂，在侧壁形成平行于轴向的裂缝，且随着药量的增加，两处裂缝将逐渐扩展、贯通，结构破坏风险随之增大。本工作可为硬岩中抗爆结构设计及相关工程建设提供借鉴与参考。

简介：本项工作利用二元相位光栅的特点，研究一种高效快速的阈值测量方法。基本原理是设计一个具有特定相位分布的相位光栅，入射高斯光束通过二元相位光栅形成类高斯分布的激光点阵，并对样品进行辐照，研究衍射点阵中各点的峰值能量密度分布和样品的损伤情况，可用单脉冲激光确定光学元件的损伤阈值。

简介：芳纶纤维复合材料具有高强度、高模量、高冲击强度、纵向负热膨胀系数等特点，其应用范围非常广泛。通过对激光辐照实验回收样品的微观分析，得到在整个激光加载过程中材料的损伤过程和模式。

简介：基于激光辐照金属靶板的热传导模型和高能激光作用下金属靶板的损伤特征,提出了小光斑激光测量金属靶板损伤阈值的实验方法,理论分析了靶板单元尺寸和光强分布对测量结果的影响。分析表明：光强分布是影响小光斑激光测量结果的主要因素,通过调制激光强度分布,可准确测量金属靶板的损伤阈值。利用大功率光纤激光器,实验测量了硬铝靶板的损伤阈值,分析了主要的不确定度来源。结果表明：该方法简单易行,适用范围广,可为金属靶板损伤阈值的测量及抗激光损伤能力的评估提供参考。

简介：为了分析高能激光对鳞片石墨改性酚醛树脂涂层的损伤机理,本文采用激光辐照方法研究激光对该涂层的损伤过程。首先,制备出纯酚醛树脂涂层和鳞片石墨改性酚醛树脂涂层,使用不同的激光参数进行激光辐照实验,根据损伤区域形貌和损伤面积分析鳞片石墨的对涂层的改性作用,分析损伤区域微观形貌和内部残炭的石墨化程度,通过对损伤中心进行三维成像来分析烧蚀凹坑的尺寸与烧蚀深度。最后,根据不同颜基比涂层在激光辐照过程中损伤区域的面积和显微形貌,分析了颜基比对激光损伤涂层过程的影响。分析结果表明：酚醛树脂经激光辐照后会裂解生成石墨化程度不同的残炭,经鳞片石墨添加改性后,损伤区域的面积相比于纯酚醛树脂涂层最大可增加35mm2。由此可知鳞片石墨的添加改性增强了涂层的横向散热能力,但过高的颜基比会使具有粘附作用的残炭生成量减少,进而导致鳞片石墨脱落明显,涂层损伤严重。

简介：利用CO2激光对BP550型滤光片开展大样本量的表面损伤实验研究,通过抽样统计的方法分析不同实验样本量对应的几种定义的滤光片激光损伤阈值。结果表明：BP550型滤光片在0～100%的损伤概率与功率密度满足线性关系;在准确性及置信度相同时,与通过线性拟合法得到50%概率损伤阈值所需的样本量相比,通过线性拟合法得到0概率和100%概率损伤阈值所需的样本量更大,而通过最大不损伤功率密度与最小损伤功率密度平均值的方法获得50%概率损伤阈值所需的样本量更小。

简介：介绍了材料位移损伤效应研究中的多尺度数值模拟方法,包括第一性原理、分子动力学和动力学蒙特卡罗方法,举例说明了3种方法的作用和模拟结果,指出了半导体材料位移损伤多尺度模拟研究中待研究的问题,为半导体材料的辐射效应研究提供参考。

简介：采用LS-DYNA有限元软件对某地下钢管道-混凝土-围岩结构的抗爆炸冲击响应进行了数值模拟。对混凝土结构模拟采用Holmquist模型、Malvar模型和RHT模型;对花岗岩结构的模拟则根据实测数据拟合了Holmquist模型参数。理论分析比较了3个模型的特点,并结合实际工况要求得出结论：1）Holmquist模型和Malvar模型、RHT模型均能较好地模拟混凝土结构在爆炸载荷下的损伤效应,但Holmquist模型更适用于模拟压缩损伤,后两个模型模拟拉伸损伤更为合理;2）须根据实际工况和工程目标对各模型预测的损伤分布结果进行判定、取舍,获得更为准确信息;3）对混凝土材料性质未知或知之甚少的典型工况,可使用多个本构模型进行数值模拟对比分析,能够快速、全面地把握结构响应特征。

简介：针对DC/DC的质子位移效应,选取具有抗TID能力的DC/DC器件作为试验样品,在3MeV质子辐照条件下获取了器件的失效位移损伤剂量.结果表明,DC/DC功能失效是PWM控制器输出异常导致的.通过等效^60Coγ辐照及退火试验,排除了TID效应的影响,确定器件功能失效是由位移损伤引起的.高温退火后器件功能恢复,并立即对该器件进行了测试.结果表明,输出电压、电压调整度、负载调整度、交叉调整度、纹波及负载跃变时的输出电压均大幅衰退.利用这些敏感参数,获取了位移损伤导致的电源性能衰退模式.根据位移损伤缺陷类型及退火温度,分析了DC/DC的退火规律,可为DC/DC质子辐射损伤模拟试验方法的建立及其空间应用提供依据.

简介：利用拉曼光谱研究了He^2＋注入六方SiC晶体样品时的损伤缺陷随注量的变化关系，并采用直接碰撞/缺陷模拟模型与多级损伤累积模型，模拟了室温及723，873，1023K下晶体样品的无序度随注量的变化关系。测试结果表明：随着注量的增加，晶体样品无序度增大，样品的拉曼特征峰强度减小。