简介：在光栅的制作中有两种方法:其中一个是湿法,另外一个是干法.本文分别就湿法和干法的实验结果,进行比较.用干法刻蚀方法做出了比较好的一级光栅,证明了干法刻蚀优于湿法刻蚀.

简介：摘要：本文利用化学干法刻蚀的各种同性特征，研究化学干法刻蚀中不同的O2/CF4的比例对SINx、MO以及光刻胶刻蚀效率之间的影响。最后，选取了更加合适的O2/CF4比例在TFL-LCD工艺的应用进行论证。

简介：摘要：本文研究的主要目的是在集成电路技术发展及纳米时代到来的背景下，强调刻蚀腔环境对电介质刻蚀混合制程的影响研究的重要性。通过设计刻蚀腔环境对电介质刻蚀混合制程的影响研究实验，并对实验的动机、概况、结果、结论几方面做出分析，以全面提升国家芯片技术制造质量，进而推动国家现代化发展，应对国外技术封锁。此次研究选用的是文献研究法，通过对相应文献的查找，为文章的分析提供一些理论基础。

简介：文章基于Mintab软件,运用Precision5000等离子刻蚀技术研究0.8μm多晶栅刻蚀中功率、压力、HBr流量、Cl2流量对刻蚀效果的影响。获得了四个因素对刻蚀效果影响的主次关系,同时由Mintab软件分析获得了各因子效应的pareto图,各因素对多晶条倾斜角度影响的主效应图,各因子对刻蚀效果的正态分布图,并拟合获得了多晶栅刻蚀的最优化条件。运用最优化条件刻蚀多晶栅,其结果表明剖面倾斜角度及表面形貌均能达到MOS器件的工艺制造要求。

简介：依据感应耦合等离子体的刻蚀机理,对影响刻蚀的两个重要参数及先进的硅刻蚀技术进行了较深入的研究,并对影响刻蚀效果的参数进行了实验研究,刻蚀出了20μm深,2μm宽的谐振器结构,得到了最佳的工艺参数.

简介：摘要刻蚀工艺是将未被抗蚀剂膜（通常为光刻胶）掩蔽的膜层刻蚀掉，从而在薄膜上得到与抗蚀剂膜完全相同图案的工艺。刻蚀工艺通过化学的、物理的或同时使用化学和物理的方法，有选择地刻蚀掉一定厚度的未被抗蚀剂掩蔽的目标薄膜，从而在目标膜层上得到与抗蚀剂膜层上完全一致的图形。本次实验依照控制变量法的原理，通过改变某一工艺参数，保持其余参数不变，来设置使用干法刻蚀工艺加工二氧化硅的对比实验，并根据实验测试结果分析此工艺参数对刻蚀速率、选择比以及刻蚀形貌等的影响。

简介：摘要：

简介：美国宇航局宣称，他们用刻蚀法在一片硅片上为韦伯氏太空望远镜制成了快门阵列。这一组快门由腔体和带有微型折页的移动门组成。微型快门上装有钴铁磁条。一个移动磁铁可打开所有小门，将磁条纳入腔体中。当小门打开时，工程人员可借助一套组合电动势控制快门的开或关。当磁铁移开时，快门就会关闭。

简介：摘要：本控制系统根据湿法刻蚀设备的工艺要求，以PLC为主控制器，工控机、ET200远程模块、阀岛、变频器等进行硬件系统的搭建，根据工艺流程基于博途V18进行软件编写，实现对硅片的刻蚀、清洗、碱洗、酸洗、烘干、传输等功能，经过设备在客户现场生产线上实际应用，控制系统运行正常，满足客户使用需求。

简介：摘要本文主要从电子束的光刻系统、2ZEP520A正性的抗蚀剂基本工艺条件这两个方面入手，分析了电子束的光刻技术。同时，从ICP刻蚀装置基本架构及特征、运行原理、ICP刻蚀的参数影响这三个方面入手，分析了ICP的刻蚀技术。从而能够让广大专业的技术人员全面了解与掌握电子束的光刻技术、ICP的刻蚀技术，不断提高电子束的光刻与ICP的刻蚀技术专业水平，以为微电子的集成领域后期发展提供强大的技术支持及保障。

简介：摘要：随着微机械加工技术的不断提高，MEMS器件生产工艺也随之得到不断开发与完善。而刻蚀技术是MEMS器件生产过程中的关键技术与核心环节，本文就湿法、干法刻蚀分析了代表性的氢氟酸腐蚀刻蚀和ICP刻蚀方法，就其特点和应用进行列比分析，并结合MEMS器件工程项目生产实际提请建设性意见。

简介：阐述了利用不同的方法，如自组装、嵌段共聚物辅助等方法在基底表面形成一层均匀的无机材料纳米粒子掩模，以此作为模板进行刻蚀，可得到各种纳米图形和纳米结构。这一方法具有操作简单、成本低、可批量生产等优点，在纳米电子器件等领域具有广泛的应用前景。

简介：摘要：本文讨论了半导体蚀刻设备可靠性和维护的优化问题。通过分析半导体蚀刻设备可靠性和维护的需求，提出了优化维护策略，并讨论了其在提高设备可靠性和降低故障率方面的应用。文章还探讨了如何通过有效的维护措施延长设备的使用寿命。

简介：采用中性蛋白酶进行羊毛纤维表面刻蚀处理，设计正交试验对精纺羊毛织物进行整理。对整理后的面料进行拒水接触角、拒油等级、拉伸断裂强度和透气率等的测试。运用正交试验和综合评分法对结果进行分析，结果表明中性蛋白酶刻蚀纤维可以改善精纺羊毛面料的一些服用性能，通过分析得到的最优处理方案为：中性蛋白酶的添加量为千物质量的0．8％，处理时间为50min，处理温度为65℃，pH值为6。

简介：评估了使用深反应离子刻蚀工艺来进行晶圆的切割,用于替代传统的刀片机械切割方式。结果表明,使用深反应离子刻蚀工艺,晶圆划片道内的硅通过等离子化学反应生成气态副产物被去除,从而避免了芯片侧面的机械损伤。切割后整个晶圆没有出现颗粒沾污,芯片边缘没有崩角以及开裂等损伤。该工艺还可以适用于更窄的划片道切割要求。

简介：摘要：逐层刻蚀工艺是半导体器件制造中重要的加工工艺之一，其主要作用是通过在薄膜层之间进行刻蚀，来形成复杂的三维结构。本文首先介绍了逐层刻蚀工艺的分类，然后详细讨论了其在不同类型的半导体器件中的应用，包括CMOS器件、MEMS器件和光学器件等。同时，本文还探讨了逐层刻蚀工艺在半导体器件制造中所面临的挑战和解决方案，并提出了未来逐层刻蚀工艺的发展方向。

简介：中微半导体在刚刚召开的2009年IC市场年会上喜获设备类创新产品和技术大奖。此次“中国半导体创新产品和技术”评选活动是由权威机构中国半导体行业协会、中国电子材料行业协会、中国电子专用设备工业协会，中国电子报共同举办并经评选委员会按照评审条件和程序进行严格的综合评价。

简介：对比了ICP刻蚀和湿法腐蚀制备台面型InP/InGaAs雪崩光电二极管(APD)时侧壁、表面形貌的不同,以及对暗电流和击穿电压的影响。在Cl2/Ar2/CH4条件下感应耦合等离子体(ICP)刻蚀InP会出现表面粗糙,对其原因进行了探究。并主要对ICP的刻蚀时间和刻蚀功率进行了优化,提高刻蚀表面的温度,保证了刻蚀的稳定性并改善了InP刻蚀表面的形貌,确定了稳定制备APD器件的刻蚀条件,最终制备出性能优良的台面型APD器件。

简介：摘要：微电子器件制造是现代科技发展的基石，随着技术的不断进步和需求的增长，对器件的精度和性能提出了更高的要求。然而，传统的制造方法在满足这些要求方面面临一系列挑战。激光刻蚀技术作为一种高精度、非接触的加工方法，具有潜在的优势，可以应用于微电子器件制造中。通过对激光刻蚀技术的概述、微电子器件制造的挑战、激光刻蚀技术的应用案例以及技术可行性的研究，可以为进一步推动微电子器件制造领域的发展提供理论和实践依据。

简介：摘要：微电子器件制造是现代科技发展的基石，随着技术的不断进步和需求的增长，对器件的精度和性能提出了更高的要求。然而，传统的制造方法在满足这些要求方面面临一系列挑战。激光刻蚀技术作为一种高精度、非接触的加工方法，具有潜在的优势，可以应用于微电子器件制造中。通过对激光刻蚀技术的概述、微电子器件制造的挑战、激光刻蚀技术的应用案例以及技术可行性的研究，可以为进一步推动微电子器件制造领域的发展提供理论和实践依据。