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《中国惯性技术学报》
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2002年4期
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感应耦合等离子刻蚀技术研究
感应耦合等离子刻蚀技术研究
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摘要
依据感应耦合等离子体的刻蚀机理,对影响刻蚀的两个重要参数及先进的硅刻蚀技术进行了较深入的研究,并对影响刻蚀效果的参数进行了实验研究,刻蚀出了20μm深,2μm宽的谐振器结构,得到了最佳的工艺参数.
DOI
54yw3z89j0/1941052
作者
樊红安;蒋军彪;冯培德;王小斌
机构地区
不详
出处
《中国惯性技术学报》
2002年4期
关键词
感应耦合
等离子体
干涉刻蚀
谐振器
硅刻蚀
分类
[理学][力学]
出版日期
2002年04月14日(中国期刊网平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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来源期刊
中国惯性技术学报
2002年4期
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