简介: 1前言 对于MOS晶体管的栅氧化膜来说,按照高集成化、高性能化的比例要求,在采用0.35μm工艺技术的64MDRAM中,要求薄膜减薄到10nm,而在0.25μm的256MDRAM中则要减薄到8nm.对于高性能CMOS逻辑电路来说,在薄膜化方面的要求比DRAM还要早一个时代,对于0.25μm工艺来说,则要求使用6nm这样极薄的氧化膜. ……
简介:本文要解答的问题是:1,二氧化碳雪清洗剂是怎样形成的?它与其它二氧化碳清洗剂有何不同?2,二氧化碳雪的清洗机理是怎样的?3,二氧化碳雪清洗剂有那些实际应用?4,使用二氧化碳雪清洗剂时应该注意那些问题?
简介:铜材料引线框架具有良好的导电导热性能,同时具备良好的机械性能和较低成本,但是由于框架和塑封料之间较差的粘结力在回流焊时容易造成封装体开裂。文章研究了铜框架氧化膜的特性,以及氧化膜对半导体封装的可靠性影响。根据试验,氧化膜会随着时间温度而增加,当氧气含量低于1%时增加缓慢。当氧化膜的厚度超过20nm时,塑封料与氧化铜之间的结合力就会显著下降,同时交界面的分层也会加剧。最后针对氧化膜厚度受控的产品做回流焊测试,确认是否有开裂,结果表明与结合力测试相符。氧化膜的厚度需要低于42.5nm,可以提高在reflow时的抗开裂性能。
简介:
简介:<正>在2012年12月于美国举行的"IEDM2012"上,被采用的4篇论文中,有2篇是有关氧化物半导体的成果。可以看出Si(硅)行业对该材料备受关注。氧化物半导体具有可在低温下制备、性能高且透明的特点,正在以高精细显示器的驱动晶体管为中心实现实用化,夏普于2012年针对液晶面板开始量产
简介:气敏传感器在现代工农业、信息技术、环境监测等领域都有重要应用。随着这几个领域的发展,人类对其综合性能要求越来越强,进而不断积极改良气敏传感器的性能。金属氧化物气敏元件是利用金属氧化物半导体的表面电阻遇到被测气体发生变化的原理制成的电子器件,其选择性和稳定性是研究气敏元件的两项重要指标。文章概述了金属氧化物元件气敏特性的研究进展,介绍了基体材料、掺杂材料、气敏材料的制备工艺、电极材料及结构等几个因素对元件气敏特性的主要影响,并对各种因素的作用机理进行了分析。最后展望了金属氧化物气敏元件的发展前景。
简介:文章着重介绍高压水喷砂在汽车工业中的应用,结合工业企业的实际需求,运用现代自动控制技术,将繁琐、复杂的车体表面处理过程变得简单可行,生产效率大大提高,实现金属表面批量处理的流水线生产.
简介:<正>日本产业技术综合研究所日前发布消息说,他们通过自行开发的"大容量高纯度臭氧发生装置"生产出浓度高于90%的臭氧,并成功使用这种超高浓度的气体在400摄氏度较低温环境下制造出高品质的硅氧化膜。
简介:液体二氧化碳是一种新的环保型清洗剂,应用在织物干洗上达到了较佳的清洗效果。本文介绍了液体二氧化碳溶剂的性能、洗涤原理和在干洗织物上的应用。
简介:在亚微米的半导体生产制造技术中,二氧化硅工艺中的颗粒污染会造成漏电流形成击穿电压,已经成为产品良率的主要影响因素。文章主要针对目前市面上流行的TELAlpha-8SE的立式APCVD二氧化硅炉管制造工艺中所遇到的颗粒污染问题进行研究。通过大量的对比性实验,进行排查与分析,并利用各种先进的实验设备和器材,炉管、高倍度电子扫描设备、先进的光学仪器和缺陷分析设备等,找到产生颗粒污染的原因,并且找到解决问题的方案。在减少机台停机时间的同时,提高了机台的使用率,而且改善了颗粒污染的状况,最终获得良率的提升,优化了制造工艺。
简介:密封电子元器件在长时间存放后,会存在无法检测的现象.当超过密封件细漏检测的最长候检时间时,应再次压氦,然后进行细检漏.按现行的各种规范的规定,压氦法和预充氦法再压氦的条件、程序和判据一般均与首次压氦相同,但分析表明,这样可能会使测量漏率判据出现成倍或更大的偏差,有时会出现大漏的漏检和细漏的错判.推演出多次压氦法和预充氦压氦法的测量漏率判据公式,给出了相应的压氦条件和细检漏的最长候检时间,从而更为便捷准确地解决了长候检时间下的密封性检测问题.
简介:<正>氧化物半导体的应用领域不仅局限于显示器驱动晶体管,现在还提出了在玻璃基板和柔性基板上集成使用氧化物半导体的透明运算电路等独特应用。不过,氧化物半导体存在难以实现CMOS电路的缺点,因为很难形成p型晶体管,以前推出的In-Ga-Zn-O晶体管全是n型。
简介:在一个竞争优势并不明显的无常世界里,正确制定策略将成为一种生存锻炼。它是体验式的,有更多的情感参与决策过程。如何调试、做自我心理按摩成为经理人所必须面对的新课题。
简介:Al掺杂ZnO(AZO)已被用来作为电子传输和空穴阻挡层倒有机太阳能电池(ioscs)。在本文中,偶氮结构,光学和结构特性和ioscs性能的影响作为一个功能的前驱体溶液浓度为0.1mol/L1mol/L时,我们证明了该装置用0.1mol/L的AZO缓冲层的前驱物浓度提高短路电流和填充因子ioscs同时。由此产生的设备显示,功率转换效率提高了35.6%,相对于1摩尔/升的设备,由于改善的表面形貌和透过率(300-400纳米)的偶氮缓冲层。
简介:据新华社信息北京2003年7月3日讯据海外媒体报道,台湾金属工业研究发展金属中心开发出高密度二氧化碳精密洗净系统,以满足3C、光电、精密机械等产业对精密洗净制程的需求,并解决制品使用有机溶剂(如CFC、HCFC等)所造成的
简介:Sn-Zn无铅焊料由于熔点接近Sn-Pb,价格低廉、无毒性、力学性能优良等特点,倍受人们的关注。然而由于Zn的表面活性高,在钎焊过程中焊料容易氧化,导致了润湿性能下降。本文综述合金元素对Sn-Zn无铅焊料氧化性能、润湿性的影响。并对Sn-Zn焊料今后的研究方向进行了简要分析。
简介:在基于正交频分复用(OFDM)的认知无线电系统中,提出了一种旁瓣抑制的星座修整法,动态增大频域符号块中某些星座点的实部或虚部来抑制OFDM信号在目标频段内的旁瓣。将旁瓣抑制的星座修整法建模为二阶约束二阶规划(QCQP)问题,从而获取最优解。仿真结果表明,该方法可以获得良好的旁瓣抑制效果。
简介:<正>《中华人民共和国节约能源法》(简称《节能法》经过十几年的酝酿、商讨和多次修改,终于出台了,把节约能源以法律的形式确立了下来。但是,《节能法》如何落实,却成了摆在每个节能工作者面前的一个既现实而又无
简介:介绍了固定分析法和Sagnac干涉法测量光纤偏振模色散的原理,并用其对三种一阶PMD模拟器的偏振模色散进行了测量,证明了固定分析法比Sagnac干涉法应用范围更广,固定分析法更具有普适性.
简介:摘要通过提高DAAO的酶活来进一步提高本研究的多酶转化体系的转化效率。本章通过对来源于Rhodosporidiumtoruloides的DAAO(RtDAAO)的N-端进行研究,并通过一系列的改造和修饰,提高了RtDAAO在E.coli中的可溶性表达,同时又保证了宿主细胞的生长,以便于表达后重组菌的收集和多酶级联体系的制备。
0.4~0.25μm时代的栅氧化膜形成技术
二氧化碳雪清洗技术
引线框氧化与可靠性关系的研究
采用天然氧化物提高MOSFET截止频率
夏普推进IGZO量产,氧化物半导体备受关注
金属氧化物气敏元件的研究进展
高压水喷砂,除金属表面浮锈和氧化皮
日本在较低温环境下研制出硅氧化膜
液体二氧化碳在干洗织物中应用
二氧化硅工艺中颗粒污染的解决方案
多次压氦法和预充氦压氦法质谱细检漏方法研究
瑞萨为氧化物半导体应用于CMOS电路开辟道路
商业中的老虎·伍兹法
通过调节铝掺杂氧化锌前驱体溶液的浓度来改善其性能
台湾开发出高密度二氧化碳精密清洗系统
Sn-Zn系无铅焊料抗氧化性和润湿性研究现状
OFDM信号旁瓣抑制的星座修整法
《节约能源法》的喜与忧
基于Sagnac干涉法和固定分析法测量三种PMD模拟器的结果比较
N-端修饰提高D-氨基酸氧化酶的表达酶活