采用天然氧化物提高MOSFET截止频率-中国期刊网

首页 > 《半导体信息》 > 2008年5期 > 采用天然氧化物提高MOSFET截止频率

（整期优先）网络出版时间：2008-05-15

作者: 陈裕权

电子电信 >物理电子学

同系列资源

/ 1

同系列内容

《半导体信息》2008年5期 - 采用天然氧化物提高MOSFET截止频率 2008-05-15 5854
《半导体信息》2008年5期 - NEDO成立“纳米管应用研究中心” 2008-05-15 632
《半导体信息》2008年5期 - 业内最易使用的光到数字传感器芯片 2008-05-15 2930
《半导体信息》2008年5期 - 日开发出波长极短的半导体激光 2008-05-15 5955
《半导体信息》2008年5期 - Hynix半导体开发出高速移动芯片 2008-05-15 6808

查看全部

来源期刊

半导体信息

半导体信息

相关推荐

同分类资源更多

相关关键词

截止频率氧化层厚度相控阵雷达 MOCVD 氧化方法栅电极

返回顶部