简介:NMOS管I-V曲线在ESD(electrostaticdischarges)脉冲电流作用下呈现出反转特性。其维持电压VH、维持电流IH、触发电压VB、触发电流IB以及二次击穿电流等参数将会影响NMOS管器件的抗ESD能力。文章通过采用SILVACO软件,对1.0μm工艺不同沟长和工艺条件的NMOS管静电放电时的峰值电场、晶格温度以及VH进行了模拟和分析。模拟发现,在ESD触发时,增加ESD注入工艺将使结峰值场强增强,VH减小、VB减小,晶格温度降低;器件沟长和触发电压VB具有明显正相关特性,但对VH基本无影响。最后分析认为NMOS管ESD失效主要表现为高电流引起的热失效,而电场击穿引起的介质失效是次要的。
简介:A4.1GHztwo-stagecascodeLow-NoiseAmplifier(LNA)withElectro-StaticDischarge(ESD)protectionispresentedinthispaper.TheLNAhasbeenoptimizedusingESDandLNAco-designmethodologytoachieveagoodperformance.Post-layoutsimulationresultsexhibitaforwardgain(S21)ofabout21dB,areverseisolation(S12)oflessthan-18dB,aninputreturnloss(S11)oflessthan-16dB,andanoutputreturnloss(S22)oflessthan-17dB.Moreover,theNoiseFigure(NF)is2.6dB.ThisdesignisimplementedinTSMC0.18μmRFCMOStechnologyandthedieareais0.9mm×0.9mm.
简介:课程背景:随着我国IT产业的崛起和迅速发展,电子行业已经成为我国国民经济的主要产业,静电对高分子材料、微电子器件及相关产品造成的危害日益显著,静电防护工作显得越来越重要,为稳定持续发展电子行业,提高同防、科研、生产领域专业人员和广大职工的防静电技术水平,预防和减少静电危害所造成的损失,提高电子及相关产品的质量与可靠性已经成为电子产品生产企业急迫需解决的问题。为了帮助学员解决ESD实务中的问题及对ESD各标准的对比使企业更好的实施ESD标准使之符合生产及客户的要求,深圳市拓普达资讯公司特推出为期三天的《防静电(ESD)防护技术、标准及体系建设》与大家分享。