简介:随着半导体大功率器件的发展,芯片的散热一直是制约功率器件发展的因素之一。而器件内部散热主要是通过芯片背面向外传导,芯片焊接工艺是直接影响器件散热好坏的关键因素之一,合金焊料的一个显著优点就是其导热性能好,因此在散热要求高的大功率器件中使用较为广泛(如Au80Sn20、Au99.4Sb0.6等),但由于合金焊料烧结后会产生较大的残余应力,在尺寸大于8mm×8mm的芯片上,烧结工艺应用较少。文章针对11.5mm×11.5mm超大面积芯片进行金锡合金烧结试验,经过对应力产生的原因进行分析,从材料、封装工艺等方面采取措施来降低缓释应力,并对封装产品进行可靠性考核验证。试验结果表明,没有芯片存在裂纹、碎裂现象,产品通过了可靠性验证。
简介:<正>00576ACompactTransceiverforWideBandwidthandHighPowerK-,Ka-,andV-BandApplications/D.Yamauchi,R.Quon.Y-HChungetal(NorthropGrummanSpaceTechnology)//2003IEEEMTT-sDigest.—2015用当今先进的InPMMICs和先进的封装技术演示了一种宽带宽(13%~54%)高功率(>500mW)K、Ka及V波段小型收发机。该组件有30多块MMIC和200多个元器
简介:ONSemiconductor公司宣称已采用一种崭新的沟槽工艺技术,它比其他沟槽工艺,能使导通电阻平均降低40%。去年,该公司已将基于创新的沟槽技术用于P沟和N沟MOSFET,并且这种器件已应用于负载管理、电路充电、电池保护和手提式、无线产品中的DC-DC