简介：通过对高压SOINMOS器件进行总剂量辐照试验发现,辐照后器件埋氧化层中引入了大量的氧化层陷阱电荷,使得器件背栅发生反型,在较高漏极工作电压下,漏极耗尽区与反型界面相连,使得源漏发生穿通,导致器件漏电。通过原理分析提出了增加顶层硅膜厚度的优化措施,证明在顶层硅膜较薄的情况下,SOINMOS器件容易发生总剂量辐照后背栅漏电,厚顶层硅器件特性受背栅辐照效应的影响则显著降低直至消失。
简介：如今各个领域都在使用光纤进行信息传递,通过与互联网的结合,光纤通信焕发出了新的活力,光纤通信技术广泛应用于通信领域,在人们的日常生活中扮演着越来越重要的角色。
抗辐射高压SOI NMOS器件的背栅效应研究
浅谈现代光纤通信传输技术的有效应用
