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186 个结果
  • 简介:摘要水性聚氨酯是以水代替有机溶剂作为分散介质的新型聚氨酯体系,具有无污染、安全可靠、易于改性等优点。本文从wPu分子改性、共混改性以及聚合物改性等方面对水性聚氨酯进行改性,探究其性能以及效益。

  • 标签: 水性聚氨酯 改性 综述
  • 简介:采用挤压铸造方法制备了体积分数为55%、不同颗粒粒径增强的电子封装用SiCp/Cu复合材料,并分析了颗粒尺寸和热处理状态对材料物理性能和力学性能的影响规律.显微组织观察表明SiC颗粒分布均匀,复合材料组织致密;随着SiC颗粒尺寸的减小,复合材料的平均线膨胀系数和热导率均降低;退火处理可以降低复合材料的热膨胀系数,同时提高材料的热导率.复合材料具有高的弯曲强度和弹性模量,退火处理后材料的弯曲强度降低,但弹性模量变化不大.

  • 标签: 电子封装 SICP/CU复合材料 制备 性能
  • 简介:微电子技术的飞速发展也同时推动了新型封装材料的研究和开发.本文综述了电子封装用金属基复合材料的研究和发展状况,并以A1/SiCp为重点,分析对比了目前国内外的差距,提出了其未来的发展趋势及方向.

  • 标签: 电子封装 金属基复合材料 A1/SiCp
  • 简介:摘要:本文深入探讨了复合材料在机械设计制造中的应用及其发展前景。复合材料以其独特的性能,如高强度、轻质和良好的耐腐蚀性,已经成为机械设计制造领域的重要材料。文章首先概述了复合材料的基本概念和特性,然后详细讨论了它们在航空航天、汽车制造、电子产品等领域的具体应用。同时,文章也识别了复合材料设计和制造过程中面临的关键技术和挑战,包括材料设计、加工技术、性能测试等方面。最后,文章对复合材料在机械设计制造中的未来发展前景进行了展望,强调了市场需求、技术创新和政策支持的重要性。

  • 标签: 复合材料 机械设计 制造应用 关键技术
  • 简介:摘要随着科学技术的不断发展,越来越多的新型材料被制造并且应用在各行各业的发展中。尤其是先进复合材料的出现并且在航天领域中的广泛应用,推动了中国航天事业的进一步发展,同时,航天事业也对复合材料的应用提出了新的要求。在航天器材建造中,所使用的复合材料具有各向异性和非均质性的特点,这种特点使得其对于分层损伤和层间断裂十分敏感,为了减少这种损伤对于航天器材的作用发挥的影响,研究人员开始对于冲击损伤下航空复合材料修复技术进行了研究。

  • 标签: 冲击损伤 航空复合材料 修复技术
  • 简介:采用四端口网络理论分析了极化方式、介电常数与损耗角正切对天线罩透波率的影响,讨论了石英/氰酸酯玻璃钢复合材料的传输特性。数值仿真和实测结果表明,在频带1.2~18GHz,水平方位角-40°~40°范围内,厚度为1.8mm的石英/氰酸酯平板功率传输系数均大于60%,表现出良好的宽频特性。

  • 标签: 石英/氰酸酯 四端口网络理论 透波率 天线罩
  • 简介:气密封装对采用裸芯片组装而成的多芯片组件至关重要,它可以让组件内部长期保持惰性气氛,降低元器件因湿气造成的环境失效。可伐材料是一种常用的封装材料,在微组装领域应用广泛。为弥补这种材料材料密度大、导热性能差的缺点,结构上选择铝碳化硅材料增强散热效果,同时达到减重的目的。采用低温钎焊工艺进行材料间连接,针对前期研制过程中出现的半密封检漏不合格问题进行分析,开展焊料选择、焊接参数优化工作,使半密封检漏漏率小于5×10-2Pa·cm3/s。

  • 标签: 气密封装 低温钎焊工艺 焊接参数
  • 简介:随着微电子技术及半导体技术的快速发展,高封装密度对材料提出了更高的要求。SiCP/Al复合材料具有低膨胀系数、高导热率、低密度等优异的综合性能,受到了广泛的关注。作为电子封装材料,SiCP/Al复合材料已经在航空航天、光学、仪表等现代技术领域取得了实际的应用。文章介绍了SiC颗粒增强铝基复合材料的研究现状,详细阐述并比较了几种常用的制备方法,包括粉末冶金法、喷射沉积法、搅拌铸造法、无压渗透法、压力铸造法等,进一步分析了各种方法的优缺点,并在此基础上展望了未来研究和发展的方向。

  • 标签: 电子封装 SICP /Al复合材料 制备方法 应用
  • 简介:本文结合"ODS清洗剂消费淘汰项目"的实施,并对新型超声波清洗机及新型ODS清洗液进行了工艺试验,阐述了超声波清洗技术是贵/廉金属复合材料生产过程中无可替代的清洗技术.

  • 标签: 贵/廉金属复合材料 超声波 清洗
  • 简介:2009年12月19日,河北华整实业有限公司承担的河北省科技支撑计划项目《钨铜新型电子复合材料》鉴定验收会议在石家庄成功召开。会议经河北科技厅组织,由衡水市科技局主持,邀请有关专家组成鉴定委员会和验收委员会。景县县委、政府对该项目产品的研发成功和鉴定验收予以高度重视,政府县长李建刚同志、刘兰智副县长参加了此次会议。

  • 标签: 复合材料 河北省 鉴定会 电子 钨铜 鉴定验收
  • 简介:高电子及封装技术的快速发展对封装材料的性能提出了更加严格的要求,具有高导热及良好综合性能的新型封装材料的研究和开发显得更加重要。本文综述了一种新型的封装复合材料环氧树脂,碳纤维复合材料。对复合材料的热传导性能.电传导性能以及热机械性能进行了分别讨论。

  • 标签: 封装材料 封装技术 电传导 快速发展 电子 性能
  • 简介:金刚石/铜复合材料具有高的热导率和可调的热膨胀系数,是一种极具竞争力的新型电子封装材料,可作为散热材料广泛应用于高功率、高封装密度的器件中。文中从工程化的角度出发,对应用中的瓶颈因素进行了研究。为改善其钎焊性能,采用磁控溅射、电镀等方法在金刚石/铜表面获得了附着力、可焊性良好的Ti-Cu-Ni-Au复合膜层。在此基础上进行了钎焊试验,金锡焊料在复合膜层上铺展良好、无虚焊。对金刚石/铜的散热效果与钼铜片做了对比试验,结果表明,在相同条件下,与钼铜热沉片相比,降温幅度超过20℃,具有更优异的散热效果。

  • 标签: 金刚石 电子封装材料 膜层 可焊性 散热效果
  • 简介:<正>距本刊上一次采访汤昌丹,时间已经过去了17个月。与上次见面相比,汤昌丹脸上依然是笑容可掬,但不同的是在汤昌丹带领下的深圳瑞华泰薄膜科技有限公司(以下简称"瑞华泰")在不经意间"轻舟已过万重山",从当初的创业艰难步入平稳快速发展期。而当初让汤昌丹和瑞华泰声明大噪的"黄金薄膜"——聚酰亚胺薄膜产品,也已经完成第一期项目的建设,3条1200毫米幅宽高性能聚酰亚胺薄膜连续化生产线正式投产,目前达到年生产能力350吨,成为业内首屈一指的龙头企业。而过去的8年中,作为瑞华泰总经理的汤昌丹经历的,却远远不止这些,

  • 标签: 华泰 发展期 轻舟已过万重山 连续化生产 化学研究所 应用领域
  • 简介:对于有机薄膜器件(包括有机电致发光器件(OLED)和有机场效应晶体管(OTFT)),器件的电流机制直接决定了器件的性能,因此深刻理解其相关机理是十分必要的。虽然对于有机薄膜器件的电学性能研究较早,但是由于器件结构及有机薄膜内部影响机制的复杂性使得不同学者的研究结果很不一致。为此,文章以相同的镁银合金(MgAg)为电极,有机电子传输及发光材料八羟基喹啉铝(Alq3)为有机功能层,深入研究了MgAg/Alq3/MgAg器件的电流机制。测试及拟合结果表明,该器件为单电子器件,器件的电流属陷阱电荷限制电流机制。不同温度下的测试结果表明,随着温度增加器件电流迅速增加,这是因为随温度增加,器件中载流子的浓度和迁移率呈指数上升。

  • 标签: 有机薄膜器件 电流机制 陷阱电荷限制 空间电荷限制
  • 简介:薄膜晶体管是液晶显示器的关键器件,对显示器件的工作性能具有十分重要的作用。本文论述了薄膜晶体管的发展历史,描述了薄膜晶体管的工作原理,分析了非晶硅薄膜晶体管、多晶硅薄膜晶体管、有机薄膜晶体管、ZnO活性层薄膜晶体管的性能结构特点与最新进展,并展望了薄膜晶体管的应用。

  • 标签: 薄膜晶体管 液晶显示 ZNO薄膜
  • 简介:介绍了南开大学在实用Tl和Hg系高温超导薄膜方面的研究工作。在Tl系高温超导研究领域,利用磁控溅射和后退火两步法在LaAlO3(001)衬底上制备出高质量的Tl-1212和Tl-2212超导薄膜,超导临界转变温度Tc分别为92K和106K;在两步法的基础上,利用两次后退火,得到Tl,Bi-1223超导薄膜,超导临界转变温度Tc可以达到110K;同时,利用阳离子置换反应技术,在Tl-1212和Tl-2212超导薄膜基础上得到Hg-1212超导薄膜,利用Tl-2223超导薄膜作为先驱膜,得到Hg-1223超导薄膜,结果显示,Hg-1212和Hg-1223超导薄膜的临界转变温度Tc可分别高达124K和132K。为满足Tl系高温超导薄膜的微波应用需求,分别在LaAlO3、蓝宝石、氧化镁(MgO)衬底上制备出2英寸双面Tl-2212超导薄膜,该超导薄膜具有均匀的超导特性,薄膜超导特性优良,为制备高温超导微波无源器件提供了基础。

  • 标签: 高温超导 超导薄膜 两步法 阳离子置换反应
  • 简介:文中采用磁控溅射方式在铁氧体基片上制备了微带隔离器的多层膜结构。通过带金属掩模版溅射电阻层,避免了对薄膜电阻的光刻和刻蚀;通过使用铜靶和湿法刻蚀,克服了对溅射用金靶、反应离子刻蚀等工艺技术和设备的依赖。该新型工艺方法简化了镍铬薄膜电阻的制作,降低了薄膜电路的制造成本,可应用于集成电阻的薄膜电路基板的研制。

  • 标签: 铁氧体 微带隔离器 薄膜电路 磁控溅射
  • 简介:Si1-x-yGexCy是继Si和GaAs之后又一重要的半导体材料。由于Si1-x-yGexCy具有优于纯Si材料的良好特性,器件和制程又可与SL工艺兼容,采用Si1-x-yGexCy及其Si1-x-yGexCy/Si结所制作出来的器件如异质结双极晶体管(HeterojunctionBipolarTransistor,HBT),其电性能几乎可达到GaAs等化合物半导体制作的同类器件的水平,而且在成本上低于GaAsHBT。因此Si1-x-yGexCy可能是未来微电子发展进程中必不可少、并起着关键作用的一种材料。文章对Si1-x-yGexCy薄膜的表征进行了探索,在总结大量数据的基础上,验证了利用Si1-x-yGexCy薄膜的反射率进行光学表征的方法的可行性。同时,文章系统研究了Si1-x-yGexCy薄膜的工艺条件、薄膜成份、薄膜厚度等参数对光刻对准性能的影响。

  • 标签: SI1-X-YGEXCY 光学表征对准性能 HBT异质结双极晶体管