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  • 简介:美国水星海事公司开发出一种即刻膏化铸造工艺,它利用受专利保护的制膏设备可对熔铝进行搅拌并实施冷却使其达到一定的稠度。这种软膏状的铝可直接送至模铸口并注入模具腔。这是一种流体铸造工艺,其中铝液可精确调节温度,使其达到某种半固态。用这种铝膏可制成高质量的、无孔铸件。

  • 标签: 铸件 孔隙 软膏 铸造工艺 专利保护 调节温度
  • 简介:直径2英寸A/N衬底研制成功和LED技术的发展(可在同质衬底上生长掺杂外延层)将使Ⅲ族氮化物工艺进入一个新时代。2006年5月18日出版的著名科学杂志《自然》报道:日本NTT制出了迄今波长最短的LED,该公司用Si和Mg分别作n型和P型掺杂剂,制出了AINPIN型LED(在此以前,研究人员还未能“精确地”研制出满足LED器件要求的P型和n型A1N),该器件发射波长为210nm(但其发光效率还很低且工作电压很高(25V))。这为开发极短波长器件迈出了关键一步,可制出光谱的深紫外波段的发光和探测器件。

  • 标签: LED技术 照明技术 AIN LED器件 发光效率 发射波长
  • 简介:每年几乎有4000个儿童因为吞入了纽扣电池被送进急救室,这种扁平的圆柱形电池主要用于给玩具、计算器以及很多其它装置供电。吞入这些电池有很严重的后果,包括对食道造成永久性烧伤,损坏消化道,而且在某些情况下甚至会导致死亡。为避免出现这些伤害,麻省理工学院、布莱根妇女医院、以及马萨诸塞州综合医院的研究人员设计出了一种新方法,他们在电池表面涂覆一种特殊材料可以使它们被吞服后不导电。动物实验表明这种电池不会损伤胃肠道。

  • 标签: 纽扣电池 复合材料涂层 安全 麻省理工学院 综合医院 马萨诸塞州
  • 简介:美国物理学协会出版的《物理评论》杂志刊登了德克萨斯大学化学工程系教授卡金的最新成果,他和他的研究团队研制出纳米级压电材料。这种材料可以用在低能耗电子产品中代替电池,将声波变成驱动产品运行的能量。

  • 标签: 压电材料 纳米级 充电 手机 电子产品 化学工程
  • 简介:美国加州大学欧文分校的科学家宣布在使用纳米科技方面取得突破。这项突破使电气信号以高达10GHz的速度传播,而不受现行瓶颈的限制。参与研究的工程和计算机科学助理教授PeterBurke表示,今后世界上的高速电子器件、计算机、无线网络或者电话系统中都可以使用纳米管器件,人们将从这个技术获益。

  • 标签: 纳米技术 电气信号 信号传输 计算机科学 美国加州大学 电子器件
  • 简介:日本田中有限公司开发出一种等离子渗碳处理技术可使奥氏体不锈钢螺栓、螺母的表面变硬。操作温度低于500℃,这有利于防止碳化铬形成,但可提供固溶强化。对于奥氏体稳定材料,如S31600和S31700渗碳工艺提高了螺栓、螺母的耐磨性、拉毛及卡死等特性。

  • 标签: 渗碳工艺 奥氏体不锈钢 碳化铬 固溶强化 表面 螺母
  • 简介:美国能源部己拨款820万美元给罗切斯特大学,支持该大学的极端状态物质聚变研究中心未来5年的项目研发。这次的支持力度比2004年的550万美元增加了50%。聚变中心通过研发聚变的新方法帮助物理学家认识物质的极端状态。

  • 标签: 聚变 氢弹丸 罗切斯特大学 加热 压缩 激光
  • 简介:中国在首饰方面的需求使2005年钯金需求量增加了几乎50万盎司,达到5年来的最高点704万盎司。

  • 标签: 需求量 首饰 中国
  • 简介:美国阿贡国家实验室(TheArgonneNationalLaboratory)的研究人员最近发明了一项技术能将塑料袋转化为碳纳米管,成为制造锂离子电池的主要成分之一。从小小的手机,到汽车,锂离子电池已经成为日常生活中必不可少的物品。WilasPol称这种转化程序为“升级回收(upcycling)”,因为这些物品经过回收转化以后的价值远远高于它最初的价值。VilasPol的发明不仅仅是制备纳米管的经济有效的方式,他赋予的更是一种环保的新思路。

  • 标签: 碳纳米管 塑料袋 变废为宝 高科技 锂离子电池 国家实验室
  • 简介:太阳能是一种新能源。但是,从太阳获得电能是极其昂贵的,因此仍然无法与传统的发电方式竞争。目前研究人员正探索所有可能的途径,以便更廉价地生产太阳能装置。

  • 标签: 太阳能模块 新材料 铝制品 寿命 框架 塑料
  • 简介:美国Mesocoat公司宣布了一项关于PComP纳米复合材料金属陶瓷涂层的突破性技术。在石油和天然气工业中,这种涂层可延长设备在极端环境下的的寿命以及扩大作业范围。这种含有固体润滑剂纳米颗粒与其它陶瓷纳米颗粒的金属陶瓷涂层坚硬而耐用,

  • 标签: 金属陶瓷涂层 纳米复合材料 天然气工业 石油 纳米颗粒 固体润滑剂
  • 简介:中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室许智、王文龙、白雪冬、王恩哥等人提出了一种新的方法,在生长单壁碳纳米管过程中,原位进行硼(B)、氮(N)共掺杂,实验和理论研究发现,硼、氮共掺杂使金属性碳纳米管转变为半导体。该工作得到了国家科技部、中科院和同家自然科学基金委的资助。本相关研究结果发表在近期的AdvancedMaterials20,3615(2008)上。AsiaMaterials对该成果以标题“Dopingcarbonnanotubes”作为研究亮点进行了报道。

  • 标签: 单壁碳纳米管 共掺杂 半导体 金属性 中国科学院物理研究所 国家实验室