简介:利用TCAD仿真技术,研究了电离总剂量辐射陷阱电荷对0.18μmN沟道MOSFET转移特性的影响.构建了0.18μmN沟道MOSFET的三维仿真结构,获得了在电离总剂量(totalionizingdose,TID)效应影响下,负栅压偏置时器件中电流密度的分布情况.分析了器件浅槽隔离层(shallowtrenchisolation,STI)中氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷对器件泄漏电流的影响.仿真计算了N-MOSFET的转移特性,仿真结果与辐照试验结果受辐照影响的趋势基本一致,为深亚微米MOS器件的总剂量辐射效应的损伤机制提供了一种分析手段.
简介:在激光脉宽的时间尺度内,非平衡是激光靶耦合物理的重要特征。为了深入地研究激光靶耦合产生的等离子体状态以及辐射场的时空特性,考察“三温”模型的适用性,发展了新版的一维平板非平衡辐射流体力学程序RDMG,程序中用多群辐射输运方程描述辐射场的演化,增加了激光加源,在非平衡区求解非平衡电子占据概率方程,在线计算非平衡的辐射发射和吸收系数,其中平均原子模型可以考虑到角量子数层次。下面介绍一个典型的数值模拟结果,计算条件为强度1×10^14W/cm^2,波长0.35m,脉宽1ns的Gauss激光脉冲以与靶面垂直的方向由右向左辐照4m厚的平面Au靶。
简介:TN9112001010373光子相关计及DMA数据传输系统设计=ResearchondesignandapplicationofdualdatachannelsDMAtransfersystems[刊,中]/李峰,杨建文,陆祖康,包正康(浙江大学现代光学仪器国家重点实验室.浙江,杭州(310027))∥浙江大学学报.工学版.-2000,34(2).-135-139提出了一种实现双数据通道DMA传输的新方法,并成功地应用于光子相关计中,详细地分析了工作在命令传输方式的操作时序,提出了实现双数据传输方式的逻辑设计。图6表1参5(李瑞琴)
简介:O433.597052890研究表面光学和热学特征的一种新方法—光热位移光谱=Anewmethodforthestudyofopticalandthermalpropertiesofsurfaces:photothermaldisplacementspectroscopy[刊,中]/张振杰(西北大学物理系.陕西,西安(710069))//光子学报.—1996,25(7).—585—588介绍研究固体、表面及薄膜的光学和热学特性的一种十分灵敏的探测技术。这一探测技术—光热位移光谱,是基于对样品表面吸收电磁辐射后所引起的热膨胀的测量。该技术亦适用于那些要求高真空和温度变化范围较大条件的实验研究工作。这种光谱技术还能将面吸收和体吸收很好的区分开来,入射功率面的