简介:实验评估了600V,4A碳化硅(SiC)肖特基二极管(英飞凌,SDP04S06)的性能。作为一种重点的应用,作者考虑选用一种300W,按平均电流模式控制的Boost功率因数校正器(PFC)。作者测量了采用该型号SiC肖特基二极管和采用两种超快、软恢复的硅功率二极管(RURD460和目前正被列入的STTH5R06D)制成的整机的效率、开关损耗、二极管损耗和电磁干扰(EMI)等特性。本文比较了这些结果,特别是定量地考察了SiC二极管提供的恢复电流的减小对该变换器行为的这些关键参数的影响。基于试验结果,本文表明在功率因数校正器设计中,采用SiC二极管只是在高开关频率时才是合算的。
简介:本文介绍大电流交流变直流的变换器(整流器)中保护功率半导体器件的5#快速熔断器。描述了某些典型的大型整流器的应用。论及多数在用的整流器类别。解释了有关熔断对整流器和功率半导体器件实现短路保护的原理。在大型整流器今天的输出额定值基础上,探讨了未来的某些趋势,讨论了同熔断器有关联的相应结果。解释了对大规格的5#熔断器进行测试的条件同该熔断器自身的负载能力及分断能力的关系,进而说明该熔断器同功率半导体器件的协同测试应该如何进行。本文还示出了新开发的5#熔断器的额定值。最后还讨论了5#熔断器如何能使大型整流器取得更高的负载能力,以及怎样通过采用较少数量的并联元件使系统的效率和成本优化。