简介：随着航空航天事业的发展,器件的抗辐照性能变得越来越重要,因此对抗辐照指标的应用测试已显得至关重要。基于FPGA和NI工控机,设计四通道数据采集测试系统,用于监测FIFOSRAM单粒子实验中发生的单粒子翻转（SEU）和单粒子闩锁（SEL）效应。采样率可达50MHz,对器件的读写频率达10MByte/s。该系统可实现对FIFOSRAM单粒子试验过程的远程测控。在监测单粒子翻转的过程中,既监测存储器的SEU效应,又监测了读写指针的SEU效应,并经过实际的单粒子效应测试验证了本系统的可靠性。

简介：通过二维TCAD仿真，对IGBT的单粒子入射作用过程做了原理性的分析，据此在理论上将单粒子对器件的作用进行了分类。针对阻断态、贯通烧毁的情况，给出了IGBT加固的一般思路，提出并仿真验证了多种具体的加固方法，与文献测试结果相符。

简介：从工程应用的角度介绍了一种基于总剂量效应的SOI器件模型参数的快速提取方法。首先，提取0krad（Si）时器件的模型参数，然后针对总剂量敏感参数，对100krad（Si）总辐射试验后的同种器件进行模型参数优化，并对得到的模型参数进行验证。结果表明，该方法所提取的模型参数准确有效，解决了国内目前在抗辐照SOI工艺中因采用标准SOI工艺SPICE模型（如BSIMSOI等）导致不能反映辐照效应对器件特性的影响且无法给出经过不同辐照剂量之后的器件特性的缺点，可用于评估辐射对SOI电路的影响。

简介：一个透明的3-巯基丙基三甲氧基硅烷（MPTMS）/银/氧化钼复合阳极制备绿色有机发光二极管（OLED）。研究了亮度复合阳极和有机电致发光器件的工作电压的影响。通过优化各层的MPTMS/银/氧化钼结构的厚度，对MPTMS/银的透光率（8nm）/MoO3（30nm）达到75%以上在520nm左右。的薄层电阻为3.78？/□，与此相应的MPTMS／Ag（8nm）/MoO3（30nm）的结构。为优化阳极的有机电致发光器件的电致发光（EL），最大电流效率达到4.5cd/A，最大亮度是37和036cd/m2。此外，通过优化阳极的有机电致发光器件具有非常低的工作电压（2.6V）获得100cd/m2的亮度。我们认为，改进的设备性能主要是由于增强的空穴注入造成的减少孔注入势垒高度。我们的研究结果表明，使用MPTMS-SAMs/银/氧化钼作为复合阳极可以在低工作电压和高亮度OLED的制作一个简单的和有前途的技术。