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13 个结果
  • 简介:随着EEPROM存储器件在太空和军事领域的广泛应用,国际上对EEPROM抗辐射性能的研究越来越多。为了满足太空及军事领域的需要,文章分别研究了FLOTOX和SONOS两种EEPROM工艺制成的存储单元在辐射条件下所受的影响,比较了FLOTOX和SONOS单元抗辐射性能的优劣,得出由于FLOTOX单元受工艺和结构的限制,抗辐射性能不如SON0s单元。同时在做抗辐射加固设计时,FLOTOX单元还需要考虑到电压耦合比的问题,且不利于等比例缩小。文章的研究不但满足了目前的工作需要,还为以后抗辐射EEPROM制作提供了理论基础。

  • 标签: EEPROM 辐射机理 SONOS FLOTOX
  • 简介:网络移动通过移动路由器实现边缘移动网络节点间及其与骨干网络节点间的会话连续性。移动路由器在嵌套接入环境下的接入安全与切换延时已经成为网络移动发展的最大障碍。在分析网络移动无缝切换研究现状的基础上,提出基于协同模型的网络架构、基于移动模型的预切换方法等需要突破的关键技术以及相应的无缝切换技术思路,支持轻量可信切换、多穴负载均衡、嵌套路由优化,为设计具有服务质量和安全保证的端到端网络移动通信协议提供技术支撑。

  • 标签: 网络移动 无缝切换 路由优化 负载均衡 可信模型
  • 简介:开放式最短路径优先(OSPF)协议是目前应用广泛的路由协议之一。首先,介绍了OSPF协议的安全机制和面临的典型威胁;然后,分析了一种新型OSPF协议漏洞机理,在图形化网络模拟器(GNS3)模拟生成的测试网络环境中复现了漏洞场景,并对其危害性进行了模拟测试。测试结果表明,该漏洞可躲避OSPF协议的安全机制,产生持久路由操控效果。最后,针对该漏洞提出了防范措施。

  • 标签: 网络安全 开放式最短路径优先协议 漏洞 网络模拟
  • 简介:文章通过C-SAM、X-RAY、SEM等对分层样品做了系统分析,发现了分层的机理以及分层对器件的破坏机理。研究表明:分层通常发生在芯片上部与包封材料接触的面,并有向整个芯片区域延伸的趋势;应力使交接面分层的同时也使芯片的钝化层损坏,而环境中的湿气会进入器件的包封并聚集在分层区,同时水气会通过损坏的钝化层进入下面的金属互连区,使互连发生短路而损坏器件。

  • 标签: 分层 可靠性 缺陷 钝化层
  • 简介:介绍借助高压水驱动力的自吸空气和水的气液喷射洗净机的基本构造、特征、洗净机理的同时,评价了该洗净机的洗净质量

  • 标签: 气液喷射 洗净 应用 评价
  • 简介:本文利用有限元软件MARC模拟分析了PBGA经红外回流升温过程的变形机理。由分析结果得知,PBGA在受热后,由于材料的性能差异而导致PBGA发生翘曲,随温度上升PBGA会往上翘曲,当温度达到模塑封材料的玻璃转化温度时趋势反转,由基板主导的翘曲趋势改为由模塑封材料主导,从而使翘曲开始有往下的趋势。降低基板与模塑封材料的热膨胀系数是降低PBGA翘曲的一种解决方法。

  • 标签: 模塑封材料 热膨胀系数 玻璃转化温度 有限元模拟 翘曲
  • 简介:针对HPM对军用电子设备的严重威胁,给出了HPM典型特征参数,重点分析了其对军用电子设备的损伤机理,包括HPM对电子设备的"前门"耦合效应、"后门"耦合效应,耦合能量的计算及损伤效应的分类,最后对军用电子设备的HPM防护给出了普适的防护措施。

  • 标签: HPM 耦合效应 损伤机理 防护
  • 简介:存储单元的加固是SRAM加固设计中的一个重要环节。经典DICE单元可以在静态情况下有效地抗单粒子翻转,但是动态情况下抗单粒子翻转能力较差。提出了分离位线的DICE结构,使存储单元在读写状态下具有一定的抗单粒子效应能力。同时,对外围电路中的锁存器采用双模冗余的方法,解决锁存器发生SEU的问题。该设计对SRAM进行了多方位的加固,具有很强的抗单粒子翻转能力。

  • 标签: SRAM加固 DICE 分离位线 单粒子翻转
  • 简介:随着光器件在空间环境和辐射环境中的广泛应用,在国际上对光器件抗辐射性能的研究越来越多。为了提高光器件的抗辐射性能,满足空间应用的各种需要,文章介绍了空间辐射环境,空间辐射对光器件的影响和辐射损伤机理,主要是光纤、激光器、光探测器、光纤陀螺的辐射效应和损伤机理。同时,概述了航天用光器件的抗辐射加固技术及其最新进展。通过采用抗辐射加固技术,大大提高了空间应用的超辐射发光二极管(SLD)、超荧光光纤(SFS)光源、1310nm波长的InGaAsP/InP半导体激光器、电荷耦合器件(CCD)、互补性金属氧化物半导体(CMOS)器件的抗辐射性能和可靠性。

  • 标签: 空间 辐射 抗辐射加固 光纤 激光器 探测器
  • 简介:与其他半导体器件相比,CMOS集成电路具有功耗小、噪声容限大等优点,对于对重量、体积、能源消耗都有严格要求的卫星和宇宙飞船来说,CMOS集成电路是优先选择的器件种类。随着半导体器件的等比例缩小,辐射效应对器件的影响也在跟着变化。这些影响包括:栅氧化层厚度、栅长的减小、横向非均匀损伤、栅感应漏电流等方面。对于微电子器件的抗辐射加固,文章就微电子器件的应用场合、辐射环境的辐射因素和强度等,从微电子器件的制作材料、电路设计、器件结构、工艺等多方面进行加固考虑,针对各种应用环境提出加固方案。

  • 标签: 微电子器件 辐射效应 抗辐射加固 MOS器件等比例缩小