简介：<正>美国安可科技(AmkorTechnology)与美国德州仪器(TI)宣布,共同开发出了利用窄间距铜柱凸点连接芯片与封装底板的倒装芯片封装,并已开始生产。据称,使用铜柱凸点比原来利用焊料凸点可缩小凸点间距,因而可应对伴随芯片微细化而产生的I/O密度增加问题。另外,通过优化铜柱凸点的配置,与普通的面积阵列型倒装芯片封装相比,可削减封装底板的层数,因而还能降低

简介：

简介：<正>据报道,日本富士通公司开发出了新型倒装芯片封装技术。该技术可形成35微米超细间距的焊点和高精度的倒装芯片互连。与传统倒装芯片互连相比,该项技术突破性将连接密度提高了大约50倍。传统的倒装芯片技术为了避免焊点间的短路,焊点间距大约介于

简介：焊球与铜互连是芯片倒装封装中两种主要的互连结构,而随着数字电路时钟频率的不断提升,差分信号已成为高速数字电路中最常用的信号形式。采用HFSS全波仿真方法对芯片倒装封装中高速差分信号在差分对焊球和铜互连结构中的传输特性进行了研究。首先在理想情况下对差分对焊球结构进行了建模,分析了焊球阵列中焊球的尺寸和节距参数对差分信号传输特性的影响,发现在假定焊球节距为焊球直径2倍的情况下,现阶段常用的直径为0.1-1.27mm的焊球中焊球尺寸和节距越小越能在宽频段内实现更好的传输性能。其次对平行式和内弯式、外弯式非平行差分铜互连结构进行了对比研究,发现平行式结构优于内弯式非平行结构,内弯式非平行结构优于外弯式非平行结构。

简介：为了增加在有机基板上倒装芯片安装的可靠性，在芯片安装后，通常都要进行下填充。下填充的目的是为了重新分配由于硅芯片和有机衬底间热膨胀系数失配产生的热应力。然而，仅仅依靠填充树脂毛细管流动的传统下填充工艺存在一些缺点。为了克服这些缺点，人们研究出了一些新的材料和开发出了一些新的工艺。

简介：采用粘塑性Garofalo—Arrhenius模型描述无铅焊料的蠕变行为，确定了96．5Sn3.5Ag焊点材料的模型参数。采用与固化过程相关的粘弹性力学模型描述倒装焊底充胶的力学行为。利用有限元法模拟了无铅板上倒装焊在封装工艺及热循环条件下的应力应变行为。结果表明由于无铅技术在封装中的引入，封装工艺对倒装焊器件的影响更为重要。

简介：倒装芯片在电子封装互连中占有越来越多的份额，是一种必然的发展趋势，所以对倒装芯片技术的研究变得非常重要。倒装芯片凸点的形成是其工艺过程的关键。现有的凸点制作方法主要有蒸镀焊料凸点、电镀凸点、微球装配方法、焊料转送、在没有UBM的铅焊盘上做金球凸点、使用金做晶片上的凸点、使用镍一金做晶片的凸点等。每种方法都各有其优缺点，适用于不同的工艺要求。介绍了芯片倒装焊基本的焊球类型、制作方法及各自的特点，总结了凸点制作应注意的问题。

简介：ShellCase公司的圆片级封装技术工艺，采用商用半导体圆片加工设备，把芯片进行封装并包封到分离的腔体中后仍为圆片形式。圆片级芯片尺寸封装（WL—CSP）工艺是在固态芯片尺寸玻璃外壳中装入芯片。玻璃包封防止了硅片的外露，并确保了良好的机械性能及环境保护功能。凸点下面专用的聚合物顺从层提供了板级可靠性。把凸点置于单个接触焊盘上，并进行回流焊，圆片分离形成封装器件成品。WL—CSP封装完全符合JEDEC和SMT标准。这样的芯片规模封装（CSP），其测量厚度为300μm-700μm，这是各种尺寸敏感型电子产品使用的关键因素。

简介：从锡铅工艺向无铅工艺转化过程中，可能会出现一些意想不到的器件封装、测试问题，因此必须从模拟实验中推测可能出现的问题，寻求出解决方案。无铅装配中器件性能及长期可靠性固然重要，但如果凸点材料不具备可生产性和可测试性，那么就不能将这种材料引入无铅产品中。另外，无铅测试中要求负载力增大，这样会导致贵重测试设备的损坏或降低生命周期，因此．选择了错误的材料或是操作设置参数不适当．就会延误产品投放市场的最佳时机，在利润减少的同时，又失去了客户的信任度。

简介：2006年10月25日，英特尔公司与成都市共同见证了英特尔成都芯片封装测试项目二期工程的竣工仪式。一年前建成投产的一期芯片组工厂在这一天还迎来了第1880万颗芯片组产品下线。这一工程不仅写照了英特尔对中国市场的持续投入，同时体现了英特尔对于中国政府“西部大开发”战略的鼎力支持。

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简介：<正>超前互连技术公司(AIT)推出两种新型引脚框封装,DFN(双精细间距无引脚)和DFN+(双精细无引脚提高版),它们适合于手机、PDA、笔记本电脑等IC,以替代SOIC、TSOP、TSSOP等小体积封装,并保持管脚兼容。DFN+还允许无源器件集成到引脚框的两侧。这种新型引脚框封装比SO封装具有更好的散热、电性能和机械特性。与分散的IC和无源器件相比,其成本可降低25%。这种新型引脚框封装特别适用射频应用。这种封装

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简介：在军用电子元器件和民用消费类电路中，电子封装均起着举足轻重的地位。当今社会，电子技术日新月异，集成电路正向着超大规模、超高速、高密度、大功率、高精度、多功能的方向迅速发展，对集成电路的封装技术提出了愈来愈高的要求，使得新的封装形式不断涌现，新的封装技术层出不穷。文中介绍了一种新型的封装发展趋势——圆片级封装技术，主要详述了圆片级封装的概念、技术驱动力，列举了主要厂家圆片级封装技术的应用情况。

简介：本文评价了系统封装技术的研发历程,探讨了这种封装的特性.同时指出了在实际应用中一种具有代表性的成果.

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简介：本文介绍了目前国际微电子封装的发展趋势,阐述了我国微电子封装发展的特点,说明了发展微电子封装设备的必要性,并提出发展我国徽电子封装设备的几点建议.

简介：<正>00614HighFrequenceParasiticEffectsforOn-WaferPackagingofRFMEMSSwitches/A.MargomenosandL.P.B.Katehi(UniversityofMichigan,USA)//2003IEEEMTT-sDigest.—1931介绍了RFMEMS开关的圆片级封装设计。所设计的圆片级封装件在频率高至40

简介：小型化和多功能化是SAW器件发展的主要动力。文章回顾了SAW器件封装的发展历史，介绍了金属封装、塑料封装、SMD封装各自的特点，详述了芯片倒装技术及芯片尺寸SAW封装（ChipSizedSAWPackage，CSSP）技术，将通用芯片倒装技术（FlipChipBonding，FCB）和SAW封装的特点结合，使封装尺寸减小到极限。然后对今后的复合封装进行了展望。

简介：文章介绍了堆叠封装的最新动态,包括芯片堆叠封装、封装堆叠封装、系统级封装、多芯片封装、堆叠芯片尺寸封装和三维封装等.文章归纳出当前堆叠封装的发展方向是：种类越来越多、市场越来越大、高度越来越薄、功能越来越多和应用越来越广等.