简介：以Ti-Al的3个化合物相（Ti3Al、TiAl和TiAl3）及Ti3Al8Mn为对象,采用密度泛函的赝势平面波法,在优化驰豫的基础上计算其电子结构和弹性模量,系统分析成分对各相电子结构的变化及脆性的影响。结果表明：Al含量逐步增多导致Al2p—Ti3d成键并抑制Ti—Ti键,使共价键以及成键的各向异性增强,因而使合金脆性增大;Mn替代Al位掺杂后,可减少Al—Al共价键,抑制Al2p—Ti3d成键并增强Mn与Ti的3d电子层杂化程度,降低由Al—Al共价键和Al2p—Ti3d杂化键形成所带来的键的空间各向异性和高位错能垒,进而改善合金的室温脆性。

简介：采用电弧熔炼法制备8个不同Ge含量的Co-Ge二元合金铸锭,利用扩散炉对不同成分的合金分别在不同温度下进行退火。通过利用X射线衍射（XRD）、电子探针显微分析（EPMA）和差示扫描量热法（DSC）对铸态和退火态合金进行分析,更新该体系零变量反应温度和液相线数据。结果表明：在600℃下有Co3Ge相生成,在600℃和500℃下均未发现Co5Ge2相。在600℃和700℃下,βCo5Ge3与CoGe两相平衡,没有观察到η相。

简介：用粒度为63μm和14μm的SiC粉末为原料,在注射温度和注射压力分别为160℃和70MPa、粉末装载量（体积分数）为63%的条件下,获得SiCp注射坯,经过溶剂脱脂和真空热脱脂以及1100℃/7h的真空预烧结后,在1000℃、N2气氛下进行Al合金熔渗,制备高体积分数63%SiCp/Al复合材料电子封装壳体。研究表明,熔渗组织均匀、致密,SiC颗粒均匀分布在Al基体中。熔渗时需要严格控制熔渗时间,熔渗时间超过10min后会导致坯体被Al合金熔体过度熔渗,从而在复合材料表面产生Al合金层,时间越长,Al层厚度逐渐增加。最终制得的高体积分数63%SiCp/Al复合材料封装壳体的尺寸精度优于0.3%,其热物理性能优异,热膨胀系数和热导率分别为7.2×10-6K-1和180W/m·K,密度为3.00g/cm3,能够满足电子封装材料性能的要求。

简介：以热模拟实验为基础,建立固溶态GH4169合金的动态再结晶模型,应用DEFORM-3D有限元软件模拟圆柱状试样在不同压缩变形条件下的动态再结晶体积分数分布;结合金相定量分析、电子背散射衍射（Electronbacksatterdiffraction（EBSD））分析及有限元模拟结果,对比研究变形参数对圆柱状GH4169合金心部微观组织的影响。研究结果表明：升高变形温度及降低应变速率,均可促进圆柱状GH4169合金热模拟压缩试样变形的均匀性;应变速率的降低可加速GH4169合金中小角度晶界向大角度晶界的转变过程;GH4169合金的动态再结晶形核机制为以原始晶界为主的非连续动态再结晶,在试验变形条件下,孪晶界的演化对动态再结晶过程起重要作用;同时,分析实验结果与模拟结果之间的差异及其原因。

简介：利用WC，Co，（Ti,W）C，Ti（C,N）等原料粉末，采用1步烧结法制备脱β层梯度硬质合金，利用扫描电镜观察合金表层的微观组织结构，采用电子探针微区分析技术（electronprobemicroanalysis,EPMA）定性分析合金表层的金属元素W、Ti、Co及轻元素C、N的分布规律，采用EPMA定量技术分析金属元素尤其是Co的复杂分布规律，并对其形成机制进行深入讨论。定性分析结果表明：脱β层内W元素的含量稍高于合金芯部的平均W含量；所有含Ti相均已完全脱除；脱β层不仅是缺立方相层，同时也是富Co层；脱β层中C元素的含量略有下降；N元素含量并不为零，某些区域甚至高于芯部。定量分析结果表明：脱β层中Ti元素含量基本为零，但在界面靠近芯部一侧Ti元素含量明显高于芯部的平均值；从合金表层至芯部依次存在低钴层、高钴层及贫钴层3个钴含量不同的区域。合金整个表层钴含量的复杂分布情况是由钴原子的空位扩散机制与液相迁移机制联合形成的。