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Vishay新款30V MOSFET具有高功率密度和高效率等特性

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摘要日前，VishayIntertechnology，Inc．宣布，发布新的30VN沟道TrenchFET第四代功率MOSFET——SiA468DJ，为移动设备、消费电子和电源提供了更高的功率密度和效率。VishaySiliconixSiA468DJ采用超小尺寸PowerPAKSC-70封装，是具有业内最低的导通电阻和最高的连续漏极电流的2mm×2mm塑料封装的30V器件。

DOI pj0kw69y4y/1761527

作者

机构地区不详

出处《半导体信息》 2017年3期

关键词功率MOSFET 高功率密度 SC-70封装特性移动设备消费电子

分类 [电子电信][物理电子学]

出版日期 2017年03月13日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）