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高功率密度GaN HEMT

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摘要 <正>TriQuint与LockheedMartin公司共同研制出一种高功率密度、PAE及RF寿命长的GaNHEMT。该器件连续波功率为12W/mm,频率在10GHz时PAE为50%。TriQuint运用其独有的"先进的栅工艺"使GaNHEMT的功率密度比传统的E电子束及

DOI lj11nox7jv/1563768

作者周慧

机构地区不详

出处《半导体信息》 2004年2期

关键词功率密度 GaN HEMT Lockheed 连续波 Quint

分类 [电子电信][物理电子学]

出版日期 2004年02月12日（中国期刊网平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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来源期刊

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