简介：盲孔压接区的污染问题是N＋N双面盲压背板制作过程中最常见的问题。本文建立鱼骨图对盲孔压接区的破损污染问题进行了分析,找到了产生盲孔区污染的主要原因为：半固化片开槽设计、钻孔后烘板、去毛刺铜皮破损、阻焊前烘板、各工序擦花及成品酸洗,通过优化设计、工艺和制程管控来解决成品开盖前的盲孔污染问题。

简介：2010年是复苏与回落并存的一年，虽然没有大的危机，但烦恼或许更多。我们的经济社会将会在2011年呈现出怎样的模样？这是每个人都急迫的疑问，对业界人士来说，它意味着对后危机时代变革趋势和商业机会的敏锐洞察与大胆展望。

简介：MOSFET是大多数开关电源（SMPS）中晶体管的选择。MOSFET可以作为栅极整流器来提高效率。为了在功率应用中选择最好的开关，本文对优化后的P沟道和N沟道MOSFET进行了比较。

简介：0前言随着PCB逐步朝小型化、高外观品质要求化发展,纯粹的模冲成型工艺已很难再满足工艺要求,但模冲作为一种高效化、低成本的成型工艺,其实用价值又不可忽视。如何改变这种困势,如何在不摈弃模冲优势的同时解决模冲所带来的外观品质问题,视为模冲未来发展之重点方向之一。从此点出发,介绍一种模冲外观品质改善的案例,以此来探讨模冲工艺的改良方向。

简介：在日前举行的“2011TD—LTE组网技术研讨会”上，工信部科技司高技术处正处级调研员叶林表示，从全球目前TD—LTE的发展来看，多模芯片和终端依然是一种发展趋势，目前TD—LTE、FDD—LTE都需要发展多模芯片和终端，工信部将积极推动相关芯片企业抓紧开发TD—LTE的多模芯片和终端。初期已经明确，TD—LTE、TD—SCDMA、GSM为多模必选模式，后期将支持TD—LTE、FDD—LTE多模的方案。

简介：日前锐迪科微电子宣布RDA6861多模前端模块推出样片，它支持四频GSM／EDGE和WCDMA／CDMA／LTE手持移动设备和智能手机。RDA6861是一种高功率，高效率的前端模块芯片，是由多模功率放大器和一个多掷天线开关组成的。该产品的内部功率放大器支持WCDMA／LTE频带的频率，并提供两个可选的，用于外部WCDMA／LTE功率放大器连接的UMTS交换机端口。功率放大器，