简介：IEC62645：2014为核电厂基于计算机的仪表和控制（I＆C）系统、或集成的硬件描述语言（HDL）程控设备（HPD）（以下简称I＆CCB＆HPD系统）有效安全程序的开发和管理确立要求并提供指南。这些要求和指南的固有准则是电厂I＆CCB＆HPD系统安全程序遵循适用的国家I＆CCB＆HPD系统的安全要求。本标准的主要目的是规定足够有计划的措施，以便对使用数字化手段（攻击计算机）对I＆CCB＆HPD系统的恶意行为进行预防、侦测并做出反应。这包含一切不安全状况以及设备损坏或电厂性能退化。

简介：该出版物是对两项安全导则的修订与结合，即IAEA安全标准系列No．NS—G-1．1和N0．NS—G-1．3。该出版物对以上两项安全导则发布后仪表与控制系统发生的改变进行说明。主要变化与计算机应用的持续发展相关，也与仪表与控制系统的安全、稳定和实际使用上必要方法的演变有关。此外，也将人因工程学的进展和计算机安全性的需求纳入考虑范围。

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简介：在C60单晶（111）解理面上制备出厚度约30mm的K3C60单晶膜。利用同步辐射光源，在低温下（约150K）测量了样品法向发射的角分辨光电子谱。观察到K3C60导带和价带明显的色散。导带的光电子谱峰可清晰分辨出4个子峰，这些子峰的最大色散超过0.5eV，并且色散曲线与K3C60的一维无序晶体结构模型下的能带理论基本吻合，只是子带间隔差异较大。

简介：在C60单晶(III)解理面上制各出Rb3C60单晶薄膜．得到了室温和150K温度时导带的光电子谱峰形，费米面附近的电子态密度随温度显著变化．甚至在室温时也能观察到导带有不少于6个子峰．

简介：随着北京同步辐射光电子能谱实验站持续稳定的开放运行，用户基于该实验站提供的光电子能谱各种实验模式开展了从金属表面界面电子结构到纳米材料、掺杂金属富勒烯以及磁电阻氧化物体系电子结构的研究工作。本文中选择部分具有代表性的实验结果进行介绍。

简介：对于x从0．0到0．4之间变化的Pt1-xSrxMnO3多晶体所进行的价带光电子能谱实验显示，在Fermi边和Fermi边以下－12eV范围内出现的能带态密度随掺杂量x有一个显著的变化。对这些现象以Pr1-xSrxMnO3体系在基态下发生电荷转移为出发点进行了讨论。提出了随掺杂量x的非线性电荷转移机制和存在由电荷转移导致的二级相变的可能性。

简介：根据钾在C60晶体中的扩散系数分析了在C60单晶解理面上制备K3C60单晶膜的实验条件。对据此制备出的样品进行了角分辨光电子谱研究。结果表明样品确定为K3C60单晶，并首次观察到K3C60的能带色散。

简介：用同步辐射光电子谱详细研究了Cu(111）面上超薄Pb膜随厚度与退火的反应。发现室温下Cu(111）面上亚单层Pb以二维密积岛的形式生长。退火至200℃形成Pb-Cu表面合金。这种表面合金只发生在Cu(111）面的最外的一个原子层。作为在单晶Cu(111)表面诱使薄膜层状生长的活化剂，Pb的表面合金化可能会对它的活化作用产生不利影响。

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简介：针对核与辐射安全法规标准审查委员会秘书组在法规标准审查工作中需要处理大量法规标准编制修订的电子文件的情况，提出了一套系统的管理方法，包括电子文件命名方法，文件传送、存储和使用的程序以及审查会会议资料电子文件的管理．．

简介：我们用XPS和同步辐射技术研究了钙钛矿型氧化物SrTi1-xSbxO3(x=0,0.05,0.10,0.15,0.20）薄膜的电子结构。该薄膜系列在可见光波段透明，其透过率均超过90％。所有掺杂薄膜均导电。同步辐射电子能谱研究结果表明该薄膜中来自Sb杂质的退局域化电子在母化合物的禁带中引入了杂质能级。这是导电性的根源，价带中很小的电子态密度限制了跃迁几率。大的禁带宽度和小的跃迁几率是光学透明性的原因。

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简介：用XPS和同步辐射技术研究了钙钛矿型氧化物La1-xSnxMnO3薄膜的电子结构。特别地，我们采用角分辨X－射线光电子谱技术（ARXPS），研究了薄膜表面最顶层原子种类和排列状况。结果表明，La1-xSnxMnO3薄膜的表面最顶层为MnO2原子平面。在此基础上，我们进一步在原子水平上探讨了薄膜的层状外延生长机理。

简介：本文利用同步辐射角分辨光电子谱研究了f.c.c.Fe与Cu{111}之间的界面。观察到了位于表面布里渊区中K点附近的界面态，表明它是一个有序的界面。垂直出射的价带谱表明外来Fe原子对衬底Cu{111}的能带结构无任何影响。这与互混的Co/Cu{111}的结果不同，表明界面处不存在Fe与Cu原子之间的互混。

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简介：2016年5月6日，第五届全国核能标准化技术委员会（SAC／TC58）与第六届全国核仪器仪表标准化技术委员会（SAC／TC30）第一次工作会议在北京召开。国家标准化管理委员会（以下简称国家标准委）工业二部副主任王莉、国家国防科技工业局（以下简称国防科工局）系统工程二司副司长高洪滨、中国核工业集团公司总工程师雷增光、