简介:在中密度C/C复合材料基体上采用催化化学气相沉积方法生长碳化硅纳米线(SiCnw)及制备碳化硅纳米线/碳化硅(SiCnw/SiC)涂层,研究中密度C/C复合材料基体上加载催化剂后涂层沉积及其抗氧化性能,结果表明:中密度基体上催化制备SiCnw涂层,可改善沉积效率,同时可抑制裂纹扩展,明显改善SiC涂层在1200℃的氧化防护能力。另外,在1500℃的空气中氧化10h后,SiCnw/SiC涂层氧化质量损失率仅为1.34%,明显低于质量损失率为8.67%的单层SiC涂层。
简介:本文以2Dsic/BN/(sic/BN/sic)为研究对象,主要研究在1200℃温度下,应力氧化耦合情况下材料力学性能、微观结构和化学成分的变化。结果显示水氧环境1200℃蠕变后2DSiC/BN/(SiC/BN/SiC)的剩余弯曲强度呈先降后升趋势,断裂模式仍是韧性断裂,基体中BN自愈合层能起到裂纹偏转及阻止氧化气氛直接作用到界面的作用。
简介:摘要采用快速热退火方法,研究了Mo-4H-SiC在不同退火温度(600℃-1200℃)条件下的接触特性。通过对样品的I-V特性进行分析,结果表明在经过退火之后,势垒呈现上升趋势,达到1200℃时出现双势垒。对样品进行变温处理之后,测试结果表明1000℃样品有着较高的势垒以及良好的热稳定性,在150℃环境温度下反向漏电流保持在10-8cm-2数量级,在升温过程中几乎不出现变化。通过对有效理查德森常数的计算,使用高斯分布函数对理查德森常数进行优化计算,可以看出虽然退火有助于形成高势垒,但是在一定程度上也导致了样品的横向不均匀的加重。但是这代表肖特基接触在高温情况下的应用仍存在一定改善空间,而S1000样品也为高温情况下肖特基接触的应用提供了一定参考价值
简介:钡锶铝矽酸盐(BSAS)和Si/BSAS涂层经由一个二拍子的圆舞激光cladding过程在C/SiCcomposites的表面上被制作。微观结构,机械性质,和样品的水蒸汽腐蚀行为被调查。BSAS涂层被发现紧被结合到底层和仅仅一些毛孔,microcracks被观察。硅中间层的介绍被揭示减少热应力并且支持在激光cladding过程期间形成的缺点愈合。为了评估腐蚀抵抗,BSAS和Si/BSAS-coated,C/SiCcomposites暴露于50%H2在1250敢椠?慦桳潩的O和50%O2吗?
简介:
简介:采用反应合成方法制备孔隙度为54.3%的高纯Ti3SiC2多孔材料,并研究其在400~1000°C下空气中的氧化行为。采用热重-差热分析法、扫描电镜、X射线衍射技术、能谱仪、拉曼光谱、BET比表面分析法和孔结构测试等研究Ti3SiC2多孔材料在氧化前后的氧化动力学、物相组成、微观形貌以及孔结构参数演变。结果表明:形成不同晶型TiO2氧化产物是影响Ti3SiC2多孔材料抗氧化性及孔结构稳定性的主要因素。由于氧化产物体积应力以及热应力的存在,因此,在400~1000°C试验过程中试样表面均出现开裂现象。其中,在400~600°C下形成的锐钛矿型TiO2会导致Ti3SiC2晶粒出现严重开裂,并引发快速氧化以及孔径和透气度的异常减小。600°C以上在氧化过程中主要形成金红石型TiO2,开裂现象得以缓解,但是氧化膜的外延生长大幅降低了Ti3SiC2多孔材料孔隙的连通性。
简介:摘要:为研究C/SiC波纹点阵结构复合材料在高温条件下的力学行为,对比两种不同的热力耦合计算结果,分析不同耦合方式获得温度场和应力场差异,确定不同耦合方式的适用范围,利用ABAQUS软件数值模拟了不同温度和结构尺寸对热应力的影响。结果表明:顺序耦合方式所需的计算资源更少计算时间更短,而完全耦合方式的计算结果更精确但所需的时间长,在不同的温度边界下,C/SiC波纹点阵结构的温度分布差异较小,温度集中和应力集中的部位位于芯子板和上下面板的连接处;另外,温度边界条件一定时,随着芯子板角度变大,下面板温度变大,因为在两种传热方式中,辐射传热占主导,辐射随芯子板角度变大。