简介：作用时间是衡量点火药点火性能的重要参数之一，通过对影响作用时间的主要因素（Zr粉粒度、活性）进行试验研究，为完善火工品点火药的制造工艺及点火药配方设计提供一定的理论依据。

简介：基于条形波导传统数学模型和等效折射率方法,建立了SOI（silicon-on-insulator）脊形波导散射损耗的数学模型,重点讨论了侧壁粗糙度与几何结构对波导散射损耗系数的影响。研究表明：侧壁粗糙度是引起散射损耗的主要因素;波导几何结构对散射损耗的影响主要由波导宽度决定;对于给定刻蚀深度,损耗随波导宽度增大而减小;对于给定波导宽度,损耗随刻蚀深度增大而增大。

简介：数学是人类文化的重要组成部分，已成为公民所必须具备的一种基本素质。数学在形成人类理性思维的过程中发挥着独特的、不可替代的作用。作为衡量一个人能力的重要学科，从小学到高中绝大多数同学对它情有独钟，投入了大量的时间与精力。然而并非人人都是成功者，许多小学、初中数学学科成绩的佼佼者，进入高中阶段，发现众多初中学习的成功者沦为高中学习的失败者，笔者对他们的学习状态进行了研究、调查表明，造成成绩滑坡的主要原因有以下几个方面。

简介：利用毛细管法测定水的粘度,探讨了毛细管两端不同压强差对水粘度测量的影响。结果表明不同压强差对测量粘度有一定的影响,压差的减小使测量结果的误差增大,与理论相符。

简介：研究了石墨颗粒对混杂增强铜基复合材料摩擦磨损特性的影响。结果表明,石墨颗粒的加入同时降低了复合材料和配偶件的磨损率,有利于摩擦副系统整体寿命的提高。石墨颗粒赋予了复合材料优良的减摩特性,使滑动摩擦过程更加平稳。混杂增强铜基复合材料磨损表面形成的富石墨的MML层是导致摩擦系数降低和摩擦副系统耐磨性提高的主要原因,而SiC颗粒的承载作用则有利于石墨固体润滑作用的发挥。

简介：实验研究了大气环境下纯铁薄片样品在1070nm连续激光辐照下的耦合特性变化规律,并通过控制激光辐照时间获得了不同反射率和氧化状态的纯铁氧化层样品。利用椭偏光谱法研究了不同氧化状态纯铁氧化层在1070nm处的折射率和消光系数,基于椭偏反演结果和氧化层的微观形貌,提出了激光辐照下初期生成的α-Fe2O3氧化层等效折射率随膜厚变化的分段表征,并进一步修正了计算金属氧化层激光反射率的多光束干涉模型。利用修正后的模型计算了纯铁在激光辐照过程中的反射率变化规律,与实验结果吻合较好。

简介：由于直线感应加速器束输运系统磁场准直偏差和束脉冲期间所引起的束流Corkscrew运动是导致发射度增长的重要原因之一，因而提高磁场准直精度是抑制和减小Corkscrew振幅的重要措施。机械轴的精密对中是磁轴准直及磁场误差校正的基础。

简介：目的：探索长时间停流情况下高扬程虹吸管中空气累积现象的发生发展及其对虹吸持续工作的危害，并给出应对该现象的工程预防措施。创新点：利用物理模型实验，结合理论解析推导，得到高扬程虹吸管内空气累积的原因及关键影响因素，突破高扬程虹吸排水在少雨地区的使用局限，给出其长期适用的工程设计条件，对其在实际边坡工程中的推广应用提供理论技术指导。方法：通过物理模型试验，揭示长期停流虹吸管内出现空气累积的必然性；利用理论公式推导，对不同因素的影响结果进行对比分析，得出影响空气累积的主要因素。结论：1．溶于水的空气因压力降低而析出、管端空气溶入扩散到虹吸管顶部及温度变化引起空气析出等现象是无法避免的；其中，原有空气的析出及温度变化引起的空气累积是主要因素；2．边坡虹吸排水设计时进水端口距控制水位至少应预留2．05m的地下水位上升余量，或者保持出水口的高程比进水口高程低4．1m来保证析出卒气段处于下水管中。

简介：通过理论计算和数值模拟方法研究了“闪光二号”加速器多针水开关放电通道电流均匀性对开关电感的影响,得到了各个放电通道电流分布不均匀对开关电感的影响规律。理论计算和数值模拟结果均表明,随着多针水开关放电通道电流不均匀性的增加,开关电感显著提高。采用保角变换和构造拉格朗日函数的方法证明了当多针水开关所有放电通道电流一致时开关电感最小,得到了“闪光二号”加速器多针水开关电感最小值为27nH,最大值为153nH。

简介：研究了树脂硫化剂硫化丁基橡胶材料的阻尼性能，同时对相应的阻尼机理进行了研究，以期对这类阻尼材料的阻尼机制获得更深刻的认识和了解。

简介：研究了不同谐振腔接收器表面的声压大小，发现谐振腔内增减凹球面反射面对声压波形有较大影响。分析了声压波形发生变化的原因，认为增加凹球面反射面时，声压波形变化是由于声波在谐振腔上下两表面存在非垂直反射。

简介：从误差的角度分析了灵敏电流计特性研究实验中,造成测得电流计内阻为负值的原因,并给出解决问题的办法。

简介：为探索PBL教学法在大学物理学习中的应用效果,抽取安阳师范学院2013级电气工程及其自动化专业两个班级作为试验组、对照组,两班年龄、成绩差异无统计学意义,运用PBL教学法和传统教学法完成教学任务后,进行理论、实践成绩分析并进行调查问卷。结果显示PBL教学组学生理论、实践成绩均高于对照班,差异具有显著性（P〈0.05）。调查问卷显示此教学法对学生综合素质的提高具有促进作用。

简介：采用晶体相场模型模拟了异质外延过程中不同衬底倾角时外延层的生长过程,研究了较大晶格错配度(??10.0)时不同衬底倾角下外延层的生长形貌和界面平均厚度,分析了晶格失配和衬底倾角对外延层的影响。研究表明,在错配度较大时,随着衬底倾角的增大,外延层由层状生长(0°与1°)转变为岛状生长(2°)。

简介：物理图像是“不同学科知识与研究方法的联系与渗透的典范，它遍布于物理“科学内容”的各大版块．本文通过对物理电现象中若干典型图像的详析，强调图像教学务必做到有目标、有比较、讲科学、讲效益，促进学生登上具有初步信息收集、信息处理、信息交流能力的平台．

简介：采用准静态模型近似描述地表异常电场传播到电离层的过程，建立了强震前带电气溶胶排放产生的附加电流，造成大气层一电离层传导电流扰动，最终造成电离层中电场扰动的计算方法；分析了电离层中电场发生明显扰动的区域大小与带电气溶胶排放参数的对应关系，并根据我国川滇地区和大华北地区强震等震线的特点，计算了不同等震线长短轴比值下，电离层中电场扰动面积随地震震级及带电气溶胶数密度的变化规律。结果表明：强震前气溶胶浓度远大于能引起电离层异常的最小气溶胶浓度值，会在地表处产生一个幅值小于100V·m-1的异常电场，并在电离层内产生幅值大于10mV·m-1的扰动电场；在相同气溶胶粒子数密度和相同震级条件下，等震线长短轴的比值k越小，电离层中电场异常区域越大。

简介：利用TCAD仿真技术,研究了电离总剂量辐射陷阱电荷对0.18μmN沟道MOSFET转移特性的影响.构建了0.18μmN沟道MOSFET的三维仿真结构,获得了在电离总剂量（totalionizingdose,TID）效应影响下,负栅压偏置时器件中电流密度的分布情况.分析了器件浅槽隔离层（shallowtrenchisolation,STI）中氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷对器件泄漏电流的影响.仿真计算了N-MOSFET的转移特性,仿真结果与辐照试验结果受辐照影响的趋势基本一致,为深亚微米MOS器件的总剂量辐射效应的损伤机制提供了一种分析手段.

简介：针对O型高功率微波产生器件采用的无箔二极管结构,在引导磁场为0.6T的条件下,研究了二极管电压、电流、阴阳极间距、漂移管管头倾角和阳极半径等参数对电子束包络的影响。结果显示:阴极附近和漂移管内部的电子束包络随二极管参数的变化规律有明显差异,阴极附近电子束包络幅值较小并不能确保漂移管内部电子束包络幅值较小;适当增大二极管阻抗有助于减小漂移管内电子束包络幅值;受电子束径向运动的空间周期性影响,漂移管内部的电子束包络幅值随阴阳极间距增大会出现振荡变化;漂移管管头倾角超过90°后,管头倾角对电子束包络幅值影响很小;当阳极半径明显大于阴阳极间距时,阳极半径对漂移管内电子束包络幅值的影响也较小。通过合理优化二极管参数,可以有效减小电子束包络幅值,这是低磁场O型高功率微波器件稳定工作的重要基础。

简介：应用晶体相场法研究大角度晶界在外加应力作用下温度对位错运动的影响。研究表明,大角度晶界在应力作用下会发生形状变化;当变形达到临界应变时,晶界褶皱处产生位错并发射进入晶粒内部;温度较低时,晶界处位错形核所需的临界应变更大。在应力作用下大角度晶界通过改变曲率和位错运动产生迁移,温度较高时有利于晶界迁移。

简介：为研究空间用四结太阳电池中InGaAsP/InGaAs子电池在电子辐照条件下的性能衰退情况,对InGaAsP/InGaAs双结电池开展了1MeV电子辐照试验,测试了辐照前后的电学参数和量子效率,分析讨论了参数退化情况.结果表明：随着电子注量和位移损伤剂量的增加,电池性能参数退化程度逐渐加大;由位移损伤缺陷导致的载流子寿命减小,是导致电池短路电流和开路电压下降的主要原因;InGaAsP/InGaAs双结电池基区损伤比发射区损伤更加严重,因此,提高其抗辐射能力的关键在于优化基区结构.