简介:通过建立一个典型的金/硅界面结构模型,对X射线入射界面时的剂量增强效应进行了研究。采用MonteCarlo方法计算了不同能量X射线入射金/硅界面的输运过程。其中,对X射线产生的次级电子在介质中的输运,采用了单次碰撞直接模拟方法;对电子的弹性散射截面和非弹性散射截面,分别采用Mott微分截面和Born近似下的广义振子强度模型计算得到。研究计算了不同能量X射线入射下,金/硅界面的剂量增强系数及特定X射线能量下剂量增强系数随金厚度的变化规律。结果表明:X射线能量为几十至几百keV时,剂量增强效应最明显,最大剂量增强系数对应的X射线能量随距金/硅界面的距离增加而增加;金的厚度影响界面附近剂量增强效果,当X射线能量不变时,剂量增强系数随金的厚度增加而增加,并趋于饱和值。
简介:以Li_2B_4O_7、LiBO_2和LiF(质量比为45∶10∶5)为混合熔剂,NH_4NO_3为氧化剂,LiBr为脱模剂,熔融制作样片,采用硅质砂岩、石英岩标准样品和配制标准样品作为校准样品,建立了熔融制样-X射线荧光光谱法(XRF)测定硅石中主次量成分(SiO_2、Al_2O_3、TFe_2O_3、MgO、CaO、K_2O、MnO、TiO_2、P_2O_5)的快速分析方法。对样品制备以及分析测试过程中的条件进行了优化,在最优条件下,对标准样品(GBW03112、GBW07835)进行重复测定,相对标准偏差RSD〈2%。同时对3个混合配制的硅石标准样品进行分析,结果与参考值无显著性差异。
简介:O441.42005042976太赫兹(THz)成像的进展概况=ReviewoftheprogressofT-rayimaging[刊,中]/张蕾(首都师范大学物理系,北京(100037)),徐新龙…//量子电子学报,-2005,22(2),-129-134评述了太赫兹射线成像的进展情况。太赫兹(THz)辐射介于微波和红外之间。与微波、X射线、核磁共振(NMR)成像相比,太赫兹成像不仅能给出物体的密度信息,而且能给出频率域的信息,以及在光频、微波和X射线范围内所不能给出的材料的转动、振动信息。太赫兹射线与其他频段的电磁波相比,它能量低,不会造成对生物样
简介:采用闪烁体加光电管,建立了一套X射线功率谱测量系统,在“强光”1号丝阵Z-pinch实验中,获取了喷气和丝阵负载的X光辐射功率波形。实验表明将X光探测器设置在与主测量管道成90°的分测量管道中,并选用ST-401闪烁体或红光闪烁体为X光/荧光转换材料,能使可见光透过闪烁体而不在闪烁体中有沉积能量。实验中X光探测器的电磁屏蔽也得到了解决。