简介:本文简要分析了县乡村的有线电视发展情况,并给出了A+B平台的EPON+EoC组网方案和同轴分配网的建网模型。
简介:针对国内军工电子行业的生产和信息化管理现状,分析了当前国内军工电子行业的生产管理特点并提炼了军工电子生产执行系统(ManufacturingExecutionSystem,MES)实施的制约要素。结合南京电子器件研究所MES项目的实施经验,提出了解决策略,并展示了MES项目在南京电子器件研究所的实施效果,生产过程记录工作量减少51%,数据录入时间缩短59.8%,记录损失减少76.0%,前置等待时间缩短10.3%,生产周期缩短30.3%;关联数据查询时间缩短95%,相关性分析效率提升大于80.9%;报表管理效率提高300%以上。
简介:在研发一套基于0.18μm工艺的全新半导体芯片时,由于芯片工艺的要求我们将标准0.18μm工艺流程中的接触孔蚀刻阻挡层由原来的UVSIN+SION改为SIN,但却引进了PID(等离子体损伤)的问题。当芯片的关键尺寸减小到0.18μm时,栅氧化层变得更薄,对等离子体的损伤也变得更加敏感。所以如何改善PID也成为这款芯片能否成功量产的重要攻坚对象。这一失效来源于接触孔阻挡层的改变,于是将改善PID的重点放在接触孔蚀刻阻挡层之后即后段工艺上。后段的通孔蚀刻及钝化层的高密度等离子体淀积会产生较严重的等离子体损伤,因此如何改善这两步工艺以减少等离子体损伤便成为重中之重。文中通过实验验证了关闭通孔过蚀刻中的磁场以及减小钝化层的高密度等离子体淀积中的溅射刻蚀功率可以有效改善芯片的等离子体损伤。通过这两处的工艺优化,使得PID处于可控范围内,保证了量产的芯片质量。