简介：文中针对当前通过在A1GaN层进行F－离子注入这种实现EAlGaN／GaN增强型HEMT器件的重要方法，建立其数值模型。对该方法F－起到对导电沟道的调制机理进行了分析解释，对该方法的实现过程中的关键F－离子注入量、注入深度分布的对宏观器件特性的影响进行数值分析，得到了具有指导意义的结果。为今后该方面的器件特性进一步研究提供了理论指导。
简介：日前，西门子公司向市场投放了两款最新的多功能软起动器产品，它们是Sirius3RW40和Sirius3RW44。
F-离子注入实现的AlGaN／GaN增强型HEMT器件特性的模型分析
西门子推出新一代具备极性平衡特性的Sirius软起动器
