简介:对不同年代IGBT通用型模块的主要数据逐一对比分析。通过分析发现,随着应用外延片制造到区熔单晶硅技术的进步。极限参数中额定电压参数的测试条件在进步,表明了IGBT模块的阻断性能在进步;不同壳温下的额定电流差距在缩小;集电极耗散功率随着集电极一发射极饱和电压的降低而不再需要很高;栅一源极阈值电压的离散性在缩小,栅一源极闽值电压在提高,提高了抗电磁干扰能力;开关性能在提高;栅极体电阻参数的给出表明了IGBT模块中各IGBT芯胞开通/关断的一致性在提高。
简介:随着特高压电网和智能变电站的发展,气体绝缘开关设备(GasInsulatedSwitchgear,GIS)中隔离开关操作产生的高幅值、宽频带的瞬态外壳电压(TransientEnclosureVoltage,TEV)对汇控柜中智能组件的潜在威胁越来越大。由于TEV频率较高、模型复杂,准确地建立其宽频等效电路非常困难,而采用基于时域有限积分的全波仿真可以避开电路建模的难点,直接建立实物模型,在源和边界条件给定后将模型网格剖分进行电磁场数值计算,完全适用于TEV的仿真计算。根据某1100kVGIS单相试验回路建立其全波仿真模型,计算获得不同位置TEV单次击穿时域波形,与实际测量结果在幅值和其他波形特征参数方面一致性较好,说明TEV全波仿真的正确性。