简介：通过了解模糊控制器优化的原理，对遗传算法进行改进，提出一种新的基于遗传算法的优化算法，并将其应用到模糊控制嚣设计当中。以工业过程控制为对象，通过二阶系统模型的仿真，结果表明改进后的遗传算法比原始算法有更好的控制性能，可实现模糊控制规则的自校正和量化因子的寻优。该算法简单、有效，对模糊控制器的工程设计有很大的实用性。

简介：根据新课程的指导思想，传感器及传感器技术写入《高中物理课程标准》中，本文就传感器的部分内容及相关的应用实验研究作简要介绍。

简介：网络环境下的应用系统安全涉及到网络本身、服务器和客户机.就服务器本身安全而言,其安全性涵盖操作系统安全性设置和管理,应用系统安全性设置和管理(如数据库),应用软件本身(如信息管理系统)的安全性设置和管理等.总之,需综合考虑,软硬结合,组成一个立体的、多层次的防御系统.本文仅仅从服务器端WIN2000的安全性设置和管理方面考虑,谈谈这方面的应用体会.

简介：堆垛机作为自动化立体仓库最主要的出入库输送工具,它运行的快速性和定位的准确性是影响立体仓库作业效率的主要因素。通过模糊控制技术手段合理精确的设计出位置控制器是实现堆垛机高效率、高准确度、高度安全性运行的重要因素。

简介：对基于Windows2000server上邮件服务器的部署进行了讨论,重点讲述了MDaemon的设置及应用、并对实际中可能遇到的问题给出了相应的解决方法。

简介：在当今信息时代,如何保证信息载体--服务器的正常运转至关重要.本文从一个服务器管理人员的角度介绍了服务器的日常维护技术,以及出现故障后如何对服务器进行紧急恢复,争取最短故障修复时间.

简介：立体声广播音域宽，采用音频处理器除了提高平峰比，以增加边带波功率外，主要是为了压缩信号的动态范围，以补偿因节目信号源变化而引起的声强级有过大的变化。压缩节目信号的动态范围，对于改善节目质量，提高平均调制度，扩大覆盖范围，保证发射机优质播出十分重要。

简介：《电机与变压器》是一门抽象难学的课程，从教学内容和教学方法两方面探讨中职学校所开设的《电机与变压器》课程教学改革，并总结了一些行之有效的教学方法。

简介：“传感器与测试技术”是中央广播电视大学机械设计制造及其自动化专业（本科）的专业基础必修课程，实行全国统一考试。课程内容涉及面宽，实践性强。传感器测试原理较难，使学生掌握相关知识有一定的难度。根据电大人才培养模式改革需求，课程教学需改变传统教学模式，制定课程导学实施方案，改革教学手段，创建学习资源平台，提高学生学习效果，培养社会需要的合格工程技术人才。

简介：本文对引进的合成氨装置汽化炉渣油泵无换向器电动机及其调速系统,针对其调速系统的整体进行浅析,以期对该系统作一原理性的解读.

简介：本文选取循环圆有效直径为560mm的YOX560型限矩型液力偶合器作为基型进行研究,建立了三维流道模型并进行了网格划分。利用滑移网格瞬态算法对限矩型液力偶合器内部流场进行CFD数值模拟计算,分析了其在不同充液率下不同工况时的内部流场速度矢量与压力分布的规律。同时对限矩型液力偶合器内部流场的环流特性进行了预测,分析了流体在工作腔、前辅腔、后辅腔之间的耦合流动特性。通过对比仿真计算结果与试验数据,分析了混合模型计算方法的正确性,对限矩型液力偶合器内部流场的研究以及流道结构参数的优化具有一定的参考价值。

简介：分析虚拟制造技术在实际产品生产过程中的应用价值，应用SolidWorks和COSMOSXperss进行零件的虚拟设计。进行典型部件的虚拟装配和虚拟干涉检查，并采用IPA制作产品装配的三维动画。虚拟制造技术在实际生产过程中的应用有机结合了虚拟设计、虚拟装配和运动分析等技术，提高了设计准确性。

简介：根据网上形成性考核系统中理工专业对数学公式编辑以及数学图形生成的需求，提出以MathML和公式插件Webeq为基础的在线公式编辑和数学图形生成器解决方案，并集成在线文本编辑器（以Fckeditor为例）实现，不断提出改进方案，逐步解决上述对公式编辑以及数学图形生成的需求。

简介：

简介：本文针对磁纳米粒子的磁化强度测量,利用差分式双探头的三端式磁通门传感器获取磁感应强度变化,并基于偶次谐波方法设计了测量电路.最后根据实验和数据分析的结果,表明此种原理的测量系统可以用于检测不同质量的磁性材料.

简介：由于缓和曲线的曲率半径是逐渐变化的,无法得到其上点位坐标的准确计算公式,以往都是用级数展开进行近似计算,计算公式比较繁琐,计算结果的精度也不够高。利用CASIO编程计算器的定积分功能,便能够精确地计算出缓和曲线上点的坐标值,然后利用逐渐趋近法,可完成圆曲线与缓和曲线交点坐标的精确计算。

简介：目前已确定了［（ＣＨ３）４Ｓｉ）、［（ＣＨ３）３ＳｉＯＳｉ（ＣＨ３）３ＳｉＯ－）］、［（－（ＣＨ３）２ＳｉＯ－）３）、［（－（ＣＨ３）２ＳｉＯ－４）及［（－（ＣＨ３）２ＳｉＯ－）５］在２９７±２Ｋ温度下与ＯＨ、ＮＯ３根及Ｏ３的气态反应的速度常数。它们与ＯＨ根ＮＯ３根及Ｏ３的气态反应的速度常数分别为（单位为ｃｍ３／克分子·秒）：［（ＣＨ３）４Ｓｉ］：１．００±１０－１２，＜８×１０－１７，＜７×１０－２１；［（ＣＨ３）３ＳｉＯ（ＣＨ３）３〕：１．３８×１０－１２，＜８×１０－１７，＜７×１０－２１；［（－（ＣＨ３）２ＳｉＯ－）３］：５．２×１０－１３，＜２×１０－１６，＜３×１０－２０；［（－（ＣＨ３）２ＳｉＯ－）４］：１．０１×１０－１２，＜２×１０－１６，＜３×１０－２０；［（－（ＣＨ３）２ＳｉＯ－）５〕：１．５５×１０－１２，＜３×１０－１６，＜３×１０－２０。对于这些化合物的对流层迁移过程，它们与ＮＯ３根及Ｏ３的反应是无关紧要的。在对流层中，这些易挥发的有机硅化合物因与ＯＨ根反应而引起的计算寿命的变化范围为从［（－（ＣＨ３）２ＳｉＯ－）５）的１０天到［（－（ＣＨ３）２ＳｉＯ－〕３］的３０天。