简介：

简介：WehavestudiedtheinterfacialstructuresofAlN/Si(111)grownbymetal-organicchemicalvapourdeposition.X-rayphotoelectronspectroscopyandAngerelectronspectroscopywereusedtoanalysethecomponentsandchemicalstructuresofAlN/Si(111).Theresultsindicatedthatamix-crystaltransitionregion,approximately12nm,waspresentbetweentheAlNfilmandtheSisubstrateanditwascomposedofAlNandSi3N4.AfteranalysiswefoundthattheexistenceofSi3N4couldnotbeavoidedintheAlN/Si(111)interfacebecauseofstrongdiffusionat1070℃.EveninAlNlayerSi-Nbonds,Si-Sibondscanbefound.

简介：TostudytheadsorptionbehaviorofCu+inaqueoussolutiononsemiconductorsurface,theinteractionsofCu+andhydratedCu+cationswiththecleanSi(111)surfacewereinvestigatedviahybriddensityfunctionaltheory(B3LYP)andMller-Plessetsecond-orderperturbation(MP2)method.ThecleanSi(111)surfacewasdescribedwithclustermodels(Si14H17,Si16H20andSi22H21)andafour-siliconlayerslabunderperiodicboundaryconditions.CalculationresultsindicatethatthebondingnatureofadsorptionofCu+onSisurfacecanbeviewedaspartialcova-lentaswellasionicbonding.ThebindingenergiesbetweenhydratedCu+cationsandSi(111)surfacearelarge,suggestingastronginteractionbetweenthem.ThecoordinationnumberofCu+(H2O)nonSi(111)surfacewasfoundtobe4.Asthenumberofwatermoleculesislargerthan5,watermoleculesformahydrogenbondnetwork.Inaqueoussolution,Cu+cationswillsafelyattachtothecleanSi(111)surface.

简介：Intrinsiccarrierconcentration（ni）isoneofthemostimportantphysicalparametersforunderstandingthephysicsofstrainedSiandSi1-xGexmaterialsaswellasforevaluatingtheelectricalpropertiesofSi-basedstraineddevices.Uptonow,thereportonquantitativeresultsofintrinsiccarrierconcentrationinstrainedSiandSi1-xGexmaterialshasbeenstilllacking.Inthispaper,byanalyzingthebandstructureofstrainedSiandSi1-xGexmaterials,boththeeffectivedensitiesofthestatenearthetopofvalencebandandthebottomofconductionband（NcandNv）at218,330and393KandtheintrinsiccarrierconcentrationrelatedtoGefraction（x）at300KweresystematicallystudiedwithintheframeworkofKPtheoryandsemiconductorphysics.ItisfoundthattheintrinsiccarrierconcentrationinstrainedSi（001）andSi1-xGex（001）and（101）materialsat300KincreasessignificantlywithincreasingGefraction（x）,whichprovidesvaluablereferencestounderstandtheSibasedstraineddevicephysicsanddesign.

简介：

简介：WepresentthetemperaturedependentelectricaltransportmeasurementsofAg/Si（111）-（√3×√3）R30°bytheinsitumicro-four-pointprobemethodintegratedwithscanningtunnelingmicroscopy.Thesurfacestructurecharacterizationsshowhexagonalpatternsatroomtemperature,whichsupportstheinequivalenttriangle（IET）model.Ametal-insulatortransitionoccursat-115K.Thelowtemperaturetransportmeasurementsclearlyrevealthestronglocalizationcharacteristicsoftheinsulatingphase.

简介：采用密度泛函理论方法,运用平板模型对噻吩分子在Ni（111）表面的水平吸附进行了结构优化和能量计算.结果表明,hcpA位的吸附最稳定,以bridgeB吸附最不稳定;噻吩吸附在表面上时,S原子向上翘起,4个C原子与边面Ni原子的作用更紧密,表面原子与噻吩的匹配程度决定了吸附的强度和吸附后S—C键的活泼性;噻吩以bridgeA吸附时分子与表面之间的电子给予与反馈最多,分子最活泼,而hcpA位吸附后噻吩分子轨道上电子的能量变稳定,分子并不活泼.

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简介：用离子束技术探讨了Si表面纳米Ti薄膜制备的可行性以及Ti薄膜组织结构与离子束工艺之间的关系。实验进行试样表面预处理、轰击离子能量、离子密度、温度、沉积时间等离子束工艺参数对单晶Si(111)表面沉积的Ti薄膜结构的影响。采用原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)分析了Ti膜表面晶粒形貌，并用X射线衍射仪(XRD)和俄歇电子谱仪(AES)分析了Ti膜的结构和成分。由于残余气体的影响，Ti膜发生了不同程度的氧化，随温度升高和轰击离子强度增加氧化愈加明显。

简介：AmassofGaNnanowireshasbeensuccessfullysynthesizedonSi(111)substratesbymagnetronsputteringthroughammoniatingGa2O3/Cofilmsat950C.X-raydiffraction,scanningelectronmicroscopy,highresolutiontransmissionelectronmicroscopeandFouriertransformedinfraredspectraareusedtocharacterizethesamples.Theresultsdemonstratethatthenanowiresareofsingle-crystalGaNwithahexagonalwurtzitestructureandpossessrelativelysmoothsurfaces.ThegrowthmechanismofGaNnanowiresisalsodiscussed.更多还原

简介：用同步辐射光电子谱详细研究了Cu(111）面上超薄Pb膜随厚度与退火的反应。发现室温下Cu(111）面上亚单层Pb以二维密积岛的形式生长。退火至200℃形成Pb-Cu表面合金。这种表面合金只发生在Cu(111）面的最外的一个原子层。作为在单晶Cu(111)表面诱使薄膜层状生长的活化剂，Pb的表面合金化可能会对它的活化作用产生不利影响。

简介：采用超高真空气相沉积系统外延硒（Se)超薄层钝化Si(100)表面，研究其与金属铝（A1)、铂（Pt)的接触特性。对于A1与Se钝化后的Si接触样品，其肖特基势垒高度（SBH)值为0.2eV，相比于HF处理的样品，SBH降低了一半；随着退火温度从200P升至500P，SBH值逐渐升高至HF处理的样品的SBH值。而对Pt与Se钝化的Si接触样品，未退火时电流电压特性基本与HF处理的样品一致，然而快速热退火后，Se钝化的样品基本保持不变，而HF处理的样品反向偏置电流迅速增大。通过拟合金半接触SBH与金属功函数的关系，得到线性关系的斜率为：=0.41，说明硒超薄层可以降低Si(100)表面与金属接触费米钉扎效应。

简介：世界上没有腐败分子的庇护所。在逃的中国储备粮管理总公司贪腐官员乔建军的前妻赵世兰，前不久在美国被捕。中美之间没有引渡条约，但双方正在讨论将他们从美国遣送回中国的其他办法。中国外交部对此事回应说。

简介：摘要 某钢厂生产的小规格（Ф13-Ф14mm）60Si2Mn弹簧钢表面存在翘皮、划伤等缺陷，合格率仅85%，严重制约交货时间，增加生产成本。经过分析，弹簧钢表面缺陷的产生原因主要是钢坯角部扒皮质量不好和活套、裙板辊、裙板罩板等工装件使用维护不到位。通过提升钢坯扒皮质量和工装件使用、维护标准，可以减少钢材表面缺陷的产生，提高合格率到90%以上。

简介：2016年秋季的一天，某知名大学的一位年轻的教授恭恭敬敬地敲开了周有光老先生的家门。

简介：我的母校琼州大学建在一座山上,从山脚到校园有长长的阶梯要爬。大一入学时,看见那么长的阶梯,我忍不住＂哇＂了一声,接站的学长笑着说：﹁这是全城最高的地方,总共有一百一十一级台阶,也是咱们学校最著名的地标：一百一十一台阶。﹂离开学校这么多年,总想回去再爬一下111台阶,边爬边抬头看,蓝天白云之下,巍峨的学校行政楼在眼前越来越大,有一种＂书山有路勤为径＂,向学识山峰最高处攀登的感觉,直到上111台阶最高一级,学校整个行政楼就伫立在面前,最高层的＂琼州大学＂四个烫金大字闪闪发光,夺人眼球。

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简介：<正>“Privacy”istranslatedasyinsiinChinese.Traditionally,intheChinesemind,yinsiisassociatedwithsomethingthatisclosedorunfair.Ifsomeoneissaidtohaveyinsi,meddlers(好事者)willbeattractedtopry(打探)intohisorheraffairs.Sopeoplealwaysstatethattheydon’thaveyinsi.

简介：TheinvestigationonopticalpropertiesofSi1-xGex/Sistrainedlayerstructureshasbeencarriedoutactivelyinrecentyears.Thephotoluminescencehasbe-comeabriskersubjectinthestudiesofitsvariousopticalproperties.Aresearchdevelop-menttophotoluminescencepropertiesofsomenewSi1-xGex/Sistrainedlayerstruc-turesisintroduced.