简介：台湾芯片制造商威盛公司最近将其下一代x86兼容处理器命名为C7。

简介：近来，关于AMD下一代采用90nm工艺生产的处理器的消息流出。根据一家散热器厂商提供的资科显示，AMD的SOI90nm处理器在热量方面并不像Intel的那么高，桌面版本的Athlon64Socket939WinChester核心处理，其4000+（2.6GHz）将不会超过100W的功耗，

简介：高压水射流作为一种新型、高效、清洁的能量,与机械刀具联合作用清洗油管具有优势。根据不同使用条件和适用对象,对水射流参数进行调整,对钻头切削齿和喷嘴布置进行合理的设计。首创了一种高压水射流处理水泥堵塞油管新技术,设计制造了清洗堵塞油管专用设备和工具,现场实验取得了

简介：建立了单粒子多位翻转的测试方法和数据处理方法,在此基础上开展了体硅90nmSRAM重离子单粒子多位翻转的实验研究。通过分析单粒子多位翻转百分比、均值、尺寸等参数随线性能量转移（linearenergytransfer,LET）的变化关系,表明了纳米尺度下器件单粒子多位翻转的严重性,指出了单粒子多位翻转对现有重离子单粒子效应实验方法和预估方法带来的影响。构建了包含多个存储单元的全三维器件模型,数值模拟研究了不同阱接触布放位置对单粒子多位翻转电荷收集的影响机制,表明阱电势扰动触发多单元双极放大机制是导致单粒子多位翻转的主要因素,减小阱接触与存储单元之间的距离是降低单粒子多位翻转的有效方法。

简介：Magma公司和中芯国际公司于9月7日共同宣布推出基于中芯国际公司90nm低功耗制程的先进IC实现参考流程，该流程使用了Magma公司BlastPower^TM，BlastCreate^TM和BlastFusion^R产品；中芯国际的90纳米标准单元库和IO单元库，以及Magma的低功耗综合和多电压设计流程，可以解决电源功耗管理中的三个主要问题：动态功耗、漏电功耗和功耗分布。

简介：无线连接、定位与音频平台领导厂商CSR与TSMC2月10日共同发布扩大双方合作关系，CSR已采用TSMC先进的90nm嵌入式闪存制程技术、硅知识产权与射频CMOS制程推出新一代的无线产品。

简介：意法半导体在基于ARMCortex-M系列处理器内核的微控制器研发项目上取得突破，推出采用90nm技术嵌入式闪存的微控制器。这些微控制器的特性包括：运行速度快，外设集成度高，节能降耗，提供高密度的片上SRAM和非易失性存储器。

简介：英特尔继续依托其“Tick-Tock”策略，已经将企业、桌面、移动平台主流处理器制造工艺提升45nm。2007年1月初，英特尔内部率先研制出世界第一款45nm制造工艺处理器，时隔一年多的时间，英特尔已经基本完成45nrn制造工艺战略部署。

简介：摘要目的探讨1 064 nm/755 nm双波长激光脱毛的临床疗效。方法2017年1—12月，吉林大学中日联谊医院皮肤科脱毛患者60例，男7例、女53例，年龄18~52(30±7)岁。用双波长激光器对同一患者的对称部位或2个不同部位分别用1 064 nm或755 nm激光进行脱毛治疗，每6周1次，共6次。治疗结束6周后评估疗效、不良反应、患者满意度。结果1 064 nm和755 nm激光脱毛总有效均为58例，占96.7%，各部位激光脱毛有效率在1 064 nm和755 nm两组比较差异无统计学意义(P>0.05)。1 064 nm激光色素沉着1例，755 nm激光色素沉着2例，两者比较差异无统计学意义(P>0.05)；所有患者均未出现色素减退、水疱及瘢痕。1 064 nm组患者满意57例，占95.0%，755 nm组患者满意59例，占98.3%。结论1 064 nm/755 nm双波长激光脱毛均安全有效。

简介：Duetoitsmajorroleinmaintainingthewater-retainingpropertiesoftheepidermis,ceramideisofgreatcommercialpotentialincosmeticsandpharmaceuticalssuchashairandskincareproducts.However,currentsyntheticapproachesforceramidearetediousandtime-consumingforindustrialapplications.Therefore,itisdesirabletofindanalternativecost-efficientandhighly-yieldmethodforobtainingthevaluableproducts.Inpresentstudy,thepotentialofproducingceramidethroughenzymatichydrolysisofsphingomyelinwithenzymeirradiatedby808nmlighthasbeenstudied.Withenzymeirradiatedby808nmlight,itsactivitycanbeenhancedandreactionspeedcanbeincreasedsignificantly.

简介：关于金刚石的生长机制的讨论从金刚石的人工合成之前就已经开始了，至今仍然是许多学者感兴趣的题目，在过去的几十年中先后提出过几个重要的理论，比较重要的有。

简介：Wepresentanovelandsimplemethodtoobtainanultrawidefreespectralrange(FSR)siliconringresonatortogetherwithatuningrangecoveringtheentirespectrumfrom1500to1600nm.AringresonatorwithalargeFSRtogetherwithahighQfactor,hightuningefficiency,andlowfabricationcostandcomplexityisdesiredformanyapplications.Inthispaper,weintroduceanovelwaytomakesucharingresonator,whichtakesadvantageofthewell-knownresonance-splittingphenomenon.ItisasingleringresonatorwithanFSRofmorethan150nmaround1550nmandwhichhasaneasythermo-optictunabilitythatcanproduceatuningrangearound90nmorevenmore.Moreover,thedeviceissimpletoimplementandcanbefabricatedinstandardcomplementarymetal-oxidesemiconductortechnologywithoutrequiringanykindofcomplicatedprocessingorextramaterials.Thepotentialapplicationsincludesinglemodelasercavities,wavelengthdivisionmultiplexingfilters,(de)multiplexers,opticalsensors,andintegratedreflectors.

简介：<正>今日的半导体行业正在经历着若干充满挑战性的转型过程,不过这也为Soitec为市场与客户创造新增加值带来了巨大机遇。随着传统的CMOS技术的日薄西山—这一点从28nm巨大产量与20nm缺乏吸引力的规格与成本就可以看出,整个半导体产业的发展方向正在转向全耗尽晶体管架构。然而,如果FinFET和其他全耗尽多栅架构只能从14nm开始供货的话,在这之前我们又应当怎样应对呢?早在数年之前,Soitec及其合作伙伴就在开展紧

简介：<正>1.她过马路,在路边的花店选了一打红玫瑰,瞄了一眼红绿灯的时间显示器。红灯,90秒,绿灯,15秒。她有15秒的时间,够了。

简介：

简介：集成电路工业从一开始就在使用离子注入技术。如果不利用离子注入的固有的精确性就很难制造极大规模集成电路（VLSI）。特别是离子注入可精确地调整MOSFET的阈值电压。离子注入有三大优点：能达到晶片表面上掺杂剂均匀分布、可精确控制掺杂剂的深度及其分布、可精确控制掺杂剂密度。这些优点催生了所谓“掺杂剂分布工程”，它对早期CMOS的研制成功是一个关键因素。如果没有离子注入就不会有CMOS工艺的快速发展也就不会对我们的生活产生如此深刻的影响。

简介：TSMC于美西时间13日在美国加州圣荷西市举行技术研讨会，会中宣布将跳过22nm工艺，直接发展20nm工艺。此系基于“为客户创造价值”而作的决定，提供客户一个更可行的先进工艺选择。

简介：<正>《电子产品世界》2004年8月报道:世界主要半导体厂商的生产领域已可应用90nm工艺技术,为确保技术优势,已把竞争推向65～70nm级工艺,计划2005年推向量产阶段。Intel去年已采用65nm工艺试制或SRAM产品,计划2005年后投入批量生产。东芝和索尼联手开发出65nmLSI,年初已生产出试制品,2008年上半年跨入大批量生产。三星已开发70nm工艺,计划年末在30nm生产线上量产4GbNAND内存。台积电决定2005年前采用65nm技术开发出SoC平台。采用65nm工艺生产芯片,可使芯片上集成的晶体管数翻一番,性能提高,成本下降。因此,后起半导体企业年底前也须进入90nm以下的超微细加工领域,也是今后存活半导体市场的一大关键。

简介：1965年4月，当时还是仙童公司电子工程师的摩尔在《电子学》杂志上发表文章对半导体产业做出预言——半导体芯片上集成的晶体管数量将每年翻一番。1975年他对此预言做出修正，芯片上集成的晶体管和电阻数量将每两年翻一番。而就在该理论提出时，集成电路才问世6年。而摩尔所在的实验室也只能将50只晶体管和电阻集成在一个芯片上。

简介：WestudiedthespatialevolutionoftheFe-Niplasmageneratedbythefundamental(1064nm)andsecond(532nm)harmonicsofaQ-switchedNd:YAGlaser.Theexperimentallyobservedlineprofilesoftheneutraliron(FeI)havebeenusedtoextracttheplasmatemperature(Te)usingtheBoltzmannplotmethod,whereastheelectronnumberdensity(Ne)hasbeendeter-minedfromtheStarkbroadening.Inaddition,westudiedthespatialbehaviorofTeandNewiththevariationoflaserenergyforironplasmabyplacingthetargetmaterial(iron-nickelalloy)inairatatmosphericpressureforbothmodesoftheNd:YAGlaser.