简介：随着EEPROM存储器件在太空和军事领域的广泛应用，国际上对EEPROM抗辐射性能的研究越来越多。为了满足太空及军事领域的需要，文章分别研究了FLOTOX和SONOS两种EEPROM工艺制成的存储单元在辐射条件下所受的影响，比较了FLOTOX和SONOS单元抗辐射性能的优劣，得出由于FLOTOX单元受工艺和结构的限制，抗辐射性能不如SON0s单元。同时在做抗辐射加固设计时，FLOTOX单元还需要考虑到电压耦合比的问题，且不利于等比例缩小。文章的研究不但满足了目前的工作需要，还为以后抗辐射EEPROM制作提供了理论基础。
EEPROM单元辐射机理研究
