简介：对电阻性的接闪器消雷可能性加以评论。理论分析和初步验证试验均不能支持所谓"消雷器"的"限流功能"。现场应用的证据表明"半导体消雷器"不能提供比常规避雷针更好的保护。

简介：本文对半导体消雷器研究提出几点质疑,并认为半导体消雷器的理论与实验检验不可信,阐述了在自然科学领域里必须贯彻"实践是检验真理的唯一标准"这一原则。

简介：问:半导体消雷器(SLE)的作用是什么?它与导体消雷器的区别在哪里?答:半导体消雷器不是以"中和"为纲,而是以"限流"为纲,即当尖端放电不足以中和雷电而发生对地雷击时,它可以把雷电流限制到原值的千分之四左右,这样就可以把雷电的破坏性予以消灭。问:实际应用中,曾发生过雷击SLE的情况,那么是不是说明SLE是失败的呢?答:如上所述,SLE具有将雷击电流限制

简介：文中阐述采取措施消弱或避免油罐附近的直击雷,用理论和运行经验说明半导体少长针消雷器具有良好的防雷效果。

简介：本文分析了华中电管局调度大楼落雷数据为上行地闪所致,不能作为限流根据;论证了半导体消雷针在闪络后将产生弧光放电而不能限流;指出了半导体消雷技术仍是一种研究中的技术。

简介：关于半导体消雷器的通流能力问题,本人早些时候曾给半导体消雷器的研制人提出过。最近杨子石化公司动力处送来该公司从建筑物上拆下来的半导体消雷器针体三段,每段约长30cm,外径分别为Φ50、Φ40、Φ30。针体为环氧管状,外层涂有所谓的半导体涂层(黑色),其外再涂有透明绝缘保护膜。通流能力试验样品取直径Φ50及Φ40两种。先将针体两端的绝缘保护膜轻轻刮去,用裸铜线匝紧导电层作为两电极,两电极

简介：全国电力系统高电压专业工作网1996年有关文件指出:广东省应用消雷器较晚,多运行不到一年,到1995年6月为止,半导体消雷器共24台,其中站型17台,运行43.3台年,故障率20.8次/百台年;线路型7台,运行31台年,故障率为

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简介：本实验用惠斯通（Wheatstone）电桥测量了半导体电阻R随温度的变化规律，同时确定了本征半导体材料的禁带宽度△E。

简介：讨论了可调谐半导体激光器的发展，对可调谐外腔半导体激光器的研究情况进行了综述，并报道了外腔半导体激光器的应用。

简介：本文报导的高锰酸根半导体传感器（简称MnO4-—ISFET）是以乙基紫—MnO4-缔合物为电活性物质的化学半导体传感器。它是我们在研制钾离子敏感半导体传感器的基础上发展起来的又一化学半导体传感器,是传统的离子选择性电极和场效应晶体管相结合的产物。不仅工艺简单,并且具有半导体传感器的固有特点,如微型化、

简介：得可加强精益团队建设让客户期待更多(中国上海,2010年7月22日)得可日前宣布,委任精益六西格玛黑带师宗亮小姐为业务改善工程师。这位新成员将加入得可质量部,主要负责精益业务改善计划,以此提高全公司的效益,除此之外,她还将扩展中国和英国的质量管理系统,让这些地区的客户能"期待更多"。

简介：介绍了钝化离子注入半导体探测器的工作原理和制备工艺，两种探测器制备的灵敏面积分别为10mm^2和25mm^2，辐射性能测试实验结果表明该探测器具有响应线性度好、噪声低、偏压低等优点，反向偏压为3V时，剂量率监测范围为：1×10^-3～1×10^3cGy／h．

简介：摘要本文介绍了半导体制冷器的基本工作原理、优点、缺点和随后对半导体的相关公式进行了推导。最后根据半导体的研究现状，提出了半导体制冷器的主要性能参数，为今后的半导体制冷技术研究提供借鉴。

简介：简要介绍了半导体辐射探测器的发展，并介绍了部分新型探测器的结构原理和特点。

简介：飞兆半导体推出全新1200VFIELDSTOPTRENCHIGBT系列器件；MIPS科技推出嵌入式市场的多线程、多处理器IP核；NEC电子新款数字电视用系统芯片亮相中国市场。

简介：触摸屏技术是当今许多电子产品的主要技术，但驱动触摸屏发展的触觉技术遇到缓慢响应时间及大量电池消耗的难题。美国飞兆半导体公司开发了FAH4830触觉驱动器，帮助设计人员应对这些挑战，并通过极佳识别能力及用户友好界面增强终端用户的体验。

简介：分析了通信用光电子器件的分类，介绍了半导体光电子激光器件的发展背景和工诈原理，同时分析了半导体光电子激光器件的技术重点以及市场前景。

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